
- •1. Процессы физического осаждения из газовой фазы (pvd).
- •1.2. Испарение в электрической дуге.
- •1.3. Электронно-лучевое испарение.
- •1.4. Импульсное лазерное испарение или абляция.
- •1.5. Ионно-лучевое и ионно-плазменное распыление.
- •1.6. Катодное распыление.
- •1.8. Ионно-лучевое и ионно-плазменное распыление при воздействии высокочастотного электромагнитного поля.
- •1.9. Молекулярно-лучевая эпитаксия.
- •2. Физико-химические процессы и закономерности образования и роста тонких слоев и покрытий, формируемых из газовой фазы физическим осаждением
- •2.1. Образование адсорбционной фазы: механизмы и кинетика элементарных процессов взаимодействия отдельных атомов с поверхностью при их осаждении из газового потока.
- •2.1.1. Энергообмен (аккомодация) с поверхностными атомами подложки.
- •2.1.2. Адсорбция.
- •2.2. Зародышеобразование адсорбционной фазы и рост зародышей.
- •2.2.1. Классическая термодинамическая теория гомогенного зарождения новой фазы в первоначальной фазе.
- •2.2.2. Классическая термодинамическая теория гетерогенного зарождения новой фазы в первоначальной фазе.
- •2.2.3. Классическая кинетическая теория зарождения новой фазы.
- •2.2.4. Статистическая теория зарождения новой фазы.
- •2.2.5. Критическое разделение фаз (фазовые переходы 2-го рода).
- •2.2.2. Современная теория зародышеобразования в адсорбированной фазе при физическом осаждении паров.
- •2.3. Формирование сплошного слоя или покрытия в результате взаимодействия зародышей между собой, их срастание (коалесценция, созревание Освальда)и дальнейший рост слоя или покрытия.
- •2. Процессы химического осаждения из газовой фазы (сvd).
- •3.Формирование тонких слоев и покрытий из растворов (золь-гелевая технология).
- •Формирование тонких слоев и покрытий электроосаждением (гальванотехника, гальваностегия, электролитическое осаждение).
- •Основные параметры тонких слоев (пленок) и покрытий
2.1.2. Адсорбция.
Как было показано выше, в результате взаимодействия атомов потока с поверхностью и протекающих при этом процессов энергообмена определенная их часть адсорбируется. При этом плотность адсорбированных атомов nа, ат./м2, зависит от плотности потока атомов j, ат./(м2с), взаимодействующих с поверхностью, и определяется вероятностью десорбции атомов: Ŵ= nа/а,, где а=оexp(Eа/kT) (2.1а) – время жизни в адсорбированном состоянии, о=10-13…10-12с; Eа – энергия связи с поверхностью; k – постоянная Больцмана. Тогда изменение плотности адсорбированных атомов за дифференциальное малое время dt: dnа= jdt-nаdt/a (2.1б). Уравнение (2.1) составлено на основании закона сохранения массы: количество адсорбированных атомов равно разности числа атомов jdt, поступающих на поверхность за время dt, и атомов, перешедших за это время обратно в газовую фазу.
Решением
дифференциального уравнения (2.1) при
начальных условиях (t=0 и na=0)
является выражение:
(2.2).
Для начальных стадий осаждения (t<<τa)
можно принять, что
тогда на основании (2.2) получим: na=jt
. Таким образом, при малых временах
осаждения наблюдается линейное
возрастание плотности адсорбированных
атомов в процессе осаждения.
На поздних стадиях роста, при t>>τa из (2.2) получим na=jτa. Следовательно, при таких режимах адсорбционная фаза характеризуется равновесной плотностью, зависящей только от j и а . При прекращении поступления атомов на поверхность происходит их десорбция, и через время а они все покинут поверхность.
2.1.3. Поверхностная диффузия.
Адсорбированный атом совершает хаотическое или направленное движение в поверхностном слое (само- или взаимодифузию соответственно) в зависимости от отсутствия или наличия градиента концентрации или химического потенциала. В зависимости условий формирования покрытий в процессе диффузии атом может либо присоединиться к зародышу конденсированной фазы (устойчивой частице осаждаемого материала), т.е. участвовать в формировании покрытия, либо же через некоторое время t, равное времени жизни в адсорбированном состоянии а, перейти обратно в газовую фазу, т.е. в десорбированное состояние (Рис.2.7).
Рис. 2.7. Схема протекающих процессов при адсорбции атомов (substrate temperature –подложка при заданной температуре; diffusion across an atomic step – диффузия поперек атомной ступени; adsorption at the edge – адсорбция на краю ступени; diffusion along the edge - диффузия вдоль атомной ступени; desorption - десорбция; deposition - осаждение; island – стабильный зародыш покрытия (островковая структура); nucleation mechanism – механизм нуклеации)
Поверхностная
диффузия характеризуется длиной
диффузионного пробега Х=(2Dа
)1/2,
которая равна расстоянию, проходимому
атомом на поверхности за время его жизни
в адсорбированном состоянии.
С учетом уравнения 2.1а
Х=2аexp[(Еа
– Еd)/2kT]
, где а
– расстояние между соседними адсорбционными
узлами поверхности; D–коэффициент
поверхностной диффузии – коэффициент
пропорциональности в линейном законе
Фика
,
где ja-
поток
дффундирующих атомов в адсорбционном
слое, dn/dx
– градиент
их концентрации или плотности слоя; Еа
и Еd
– энергия активации процессов адсорбции
и поверхностной диффузии соответственно;
k
- постоянная Больцмана).