Электронно-дырочный р-n переход
Основным структурным элементом большинства полупроводниковых приборов является электронно-дырочный (р-n) переход, образующийся в области контакта полупроводников р- и n-типа (рисунок 22). Свойства этого перехода в основном и определяют принцип действия и функциональные возможности полупроводниковых приборов. В области контакта полупроводников с различным типом проводимости происходит взаимная диффузия противоположных зарядов и их рекомбинация. Следовательно, в области контакта образуется тонкий слой, в котором отсутствуют свободные заряды.
В пределах р-n перехода возникает электрическое поле с контактной разностью потенциалов б, называемой барьерным потенциалом, препятствующее дальнейшему взаимному обмену зарядов между полупроводниками.
Рис.22. Электронно-дырочный переход
Подключение к р-n переходу внешнего источника способно влиять на величину барьерного потенциала б и на толщину обедненного слоя, а, следовательно, и на величину тока, протекающего через р-n переход.
При подаче на кристалл р-типа плюса источника, а на n-типа - минуса источника величина б уменьшится, так как результирующий потенциал равен = б -вн. Это вызовет уменьшение толщины обедненной области, а при вн б эта область исчезнет, сопротивление р-n перехода резко уменьшится, и через него будет протекать ток, в основном определяемый внешними цепями. В этом случае принято говорить, что р-n переход смещен в прямом направлении.
Е
сли
полярность внешнего источника поменять,
то обедненная область расширится, и ее
сопротивление возрастает. В этом случае
через р-n
переход будет протекать очень
незначительный обратный ток, обусловленный
примесями в кристалле полупроводника.
При этом включении принято говорить,
что р-n
переход смещен в обратном направлении.
Вольт-амперная характеристика р-n перехода, характеризующая зависимость величины тока через р-n переход от величины и знака напряжения, приложенного к нему, приведена на рисунке 23.
Рис. 23. Вольт-амперная характеристика р-n перехода
Обратный ток перехода на несколько порядков меньше прямого, а для кремния (Si) на 2 ... 3 порядка меньше, чем у германия (Ge).
Когда величина обратного напряжения достигнет некоторого критического значения, обратный ток через переход резко возрастает. Это явление называется пробоем диода.
Различают два вида пробоя: электрический (участок 1) и тепловой (участок 2). Электрический пробой не вызывает разрушение р-n перехода и используется в стабилитронах, а тепловой пробой - необратимое явление, сопровождаемое разрушением, р-n перехода.
Стабилитрон - полупроводниковый прибор, в котором для стабилизации напряжения используется слабая зависимость напряжения лавинного /или туннельного/ пробоя от обратного тока через переход.
Условное графическое изображение стабилитрона
Максимально-допустимая температура для германиевых диодов составляет 80 . . . 100°С, а для кремниевых - 150 ... 200°С.
В настоящее время промышленностью выпускается большая номенклатура полупроводниковых приборов с одним р-n переходом, называемых диодами.
Варикапом называется полупроводниковый диод, в котором существенна зависимость емкости от величины обратного напряжения и который предназначен для применения качестве элемента с электрически управляемой емкостью. Применяются: - в генераторах (частотные модуляторы); - для электронной настройки частоты, выбора каналов в телевизорах и т.п.
Условное графическое изображение варикапа
