- •Конспект лекций (3 семестр)
- •Содержание
- •1 Полупроводниковые диоды
- •Обозначение:
- •1.1 Выпрямительный диод
- •Механизм сглаживания пульсаций:
- •1.2 Стабилитрон
- •Применение стабилитронов:
- •1.3 Варикап
- •Принцип работы схемы:
- •1.4 Фотодиод
- •Р hν ассмотрим фотодиодный режим:
- •Рассмотрим ве́нтильный режим:
- •Применение фотодиодов:
- •1.6 Светодиод
- •Принцип работы:
- •Конструктивно светодиоды выполняются:
- •Применение:
- •2 Оптроны
- •Оптрон с внутренней фотонной связью:
- •Оптрон с внешней фотонной связью:
- •Достоинства оптронов:
- •Недостатки оптронов:
- •3 Транзисторы
- •3.1 Биполярные транзисторы
- •Обозначение:
- •3.1.1 Назначение областей транзистора
- •3.1.2 Режимы работы транзистора
- •3.1.4 Принцип работы транзистора
- •3.1.5 Основные коэффициенты, характеризующие работу транзистора
- •3.1.6 Транзистор, как усилительный элемент
- •3.1.7 Схемы включения транзисторов
- •А) Общий эмиттер ( n-p-n)
- •Назначение элементов:
- •Как расставляются знаки у источников питания?
- •Б) Общая база (n-p-n)
- •В) Общий коллектор (эмиттерный повторитель)(n-p-n)
- •3.1.8 Статические характеристики биполярного транзистора Статические вах транзистора об
- •Статические вах транзистора оэ
- •3.1.9 Динамический режим работы транзистора
- •3.1.10 Первичные параметры транзистора
- •Пример расчета h-параметров транзистора оэ
- •Примечание:
- •3.2 Полевые транзисторы
- •Полевой транзистор содержит 3 электрода:
- •Полевые транзисторы бывают:
- •3.2.1 Полевой транзистор с p-n затвором
- •Обозначение:
- •Принцип действия полевого транзистора
- •Вах полевого транзистора с p-n затвором
- •Обозначение:
- •Достоинства полевых транзисторов::
- •Недостатки:
- •4 Тиристоры
- •4.1 Динисторы
- •Обозначение:
- •4.2 Тринисторы
- •Пример: ку 201а, ку 202а
- •Вах тринистора
- •5 Интегральные микросхемы (имс) логических элементов
- •5.1 Транзисторно-транзисторная логика (ттл)
- •Ттл с простым инвертором (и-не)
- •2.2 Эмиттерно-связанная логика (эсл)
- •Характерная особенность схемы:
- •Принцип работы переключателя тока:
- •5.4 Комплементарная моп-транзисторная логика (кмоп тл)
- •Кмоп тл (или-не)
- •Кмоп тл (и-не)
- •Преимущества кмоп тл перед моп тл:
- •Литература
Статические вах транзистора оэ
Входные характеристики транзистора ОЭ – это зависимость входного тока от входного напряжения при постоянном выходном напряжении, т.е.
при
IБ,mA UКЭ =0 UКЭ=5В
UБЭ, В
0 1
Если использовать выходное напряжение >5В, то входные характеристики незначительно сместятся вправо, (пойдут кучно), поэтому чтобы не загромождать рисунок, ограничиваются двумя характеристиками: при и при . При этом погрешность будет незначительной, ею можно пренебречь.
Выходные
характеристики транзистора ОЭ -
зависимость
выходного тока от выходного напряжения
при постоянном входном токе, т.е.
при
IК, mA
IБ3
насыщение
IБ2
IБ1
IБ3
> IБ2
> IБ1
IКЭО
IБ=0
отсечка
UКЭ,
В
3.1.9 Динамический режим работы транзистора
Динамический режим работы транзистора – это режим, при котором во входной цепи имеется источник переменного сигнала, а в выходной цепи присутствует сопротивление нагрузки.
2-й закон Кирхгофа для выходной цепи:
Данное выражение является уравнением выходной динамической характеристики (уравнением нагрузочной прямой).
Нагрузочная прямая строится на семействе выходных статических вольт-амперных характеристик по двум точкам (А и В):
а)
Пусть
транзистор полностью закрыт (режим
отсечки),
т.е.
.
Тогда из уравнения (11) получим
.
Т
аким
образом, координаты точки А будут:
б
)
Пусть
транзистор полностью открыт (режим
насыщения),
т.е.
.
Тогда из уравнения (11) получим
.
Таким образом, координаты точки В будут:
IК,
mA
IБ4
ЕП/RК
B
IБ3
IБ2
нагрузочная
IБ1
прямая
(выходная
A
IБ=0
динамическая
0
ЕП
UКЭ,В
характеристика)
Выходная динамическая характеристика транзистора отличается от статических выходных ВАХ, т.к. наличие сопротивления нагрузки резко изменяет режим работы транзистора.
В
качестве входной динамической
характеристики используют входную
статическую характеристику транзистора
при
,
т.к. они мало чем отличаются вследствие
того, что сопротивление нагрузки слабо
влияет на входную цепь.
IБ,mA
UКЭ=5В
входная динамическая
характеристика
0
1В UБЭ,В
