
- •Конспект лекций (3 семестр)
- •Содержание
- •1 Полупроводниковые диоды
- •Обозначение:
- •1.1 Выпрямительный диод
- •Механизм сглаживания пульсаций:
- •1.2 Стабилитрон
- •Применение стабилитронов:
- •1.3 Варикап
- •Принцип работы схемы:
- •1.4 Фотодиод
- •Р hν ассмотрим фотодиодный режим:
- •Рассмотрим ве́нтильный режим:
- •Применение фотодиодов:
- •1.6 Светодиод
- •Принцип работы:
- •Конструктивно светодиоды выполняются:
- •Применение:
- •2 Оптроны
- •Оптрон с внутренней фотонной связью:
- •Оптрон с внешней фотонной связью:
- •Достоинства оптронов:
- •Недостатки оптронов:
- •3 Транзисторы
- •3.1 Биполярные транзисторы
- •Обозначение:
- •3.1.1 Назначение областей транзистора
- •3.1.2 Режимы работы транзистора
- •3.1.4 Принцип работы транзистора
- •3.1.5 Основные коэффициенты, характеризующие работу транзистора
- •3.1.6 Транзистор, как усилительный элемент
- •3.1.7 Схемы включения транзисторов
- •А) Общий эмиттер ( n-p-n)
- •Назначение элементов:
- •Как расставляются знаки у источников питания?
- •Б) Общая база (n-p-n)
- •В) Общий коллектор (эмиттерный повторитель)(n-p-n)
- •3.1.8 Статические характеристики биполярного транзистора Статические вах транзистора об
- •Статические вах транзистора оэ
- •3.1.9 Динамический режим работы транзистора
- •3.1.10 Первичные параметры транзистора
- •Пример расчета h-параметров транзистора оэ
- •Примечание:
- •3.2 Полевые транзисторы
- •Полевой транзистор содержит 3 электрода:
- •Полевые транзисторы бывают:
- •3.2.1 Полевой транзистор с p-n затвором
- •Обозначение:
- •Принцип действия полевого транзистора
- •Вах полевого транзистора с p-n затвором
- •Обозначение:
- •Достоинства полевых транзисторов::
- •Недостатки:
- •4 Тиристоры
- •4.1 Динисторы
- •Обозначение:
- •4.2 Тринисторы
- •Пример: ку 201а, ку 202а
- •Вах тринистора
- •5 Интегральные микросхемы (имс) логических элементов
- •5.1 Транзисторно-транзисторная логика (ттл)
- •Ттл с простым инвертором (и-не)
- •2.2 Эмиттерно-связанная логика (эсл)
- •Характерная особенность схемы:
- •Принцип работы переключателя тока:
- •5.4 Комплементарная моп-транзисторная логика (кмоп тл)
- •Кмоп тл (или-не)
- •Кмоп тл (и-не)
- •Преимущества кмоп тл перед моп тл:
- •Литература
3.1.4 Принцип работы транзистора
p ЭП n КП p
IЭР
IКР
Э
К
IЭ
IЭn
IРЕК
IКБО
IК
ЕВН
IЭ
Б
IК
IБ ЕВНЕШН
+
IБ
+
UПР
UОБР
Пусть транзистор находится в активном (рабочем) режиме, т.е. на ЭП подано прямое напряжение, а на КП – обратное.
При
этом возникает
инжекция дырок из эмиттера в базу, в
обратном направлении будет происходить
инжекция электронов. Ток,
проходящий через ЭП, равен сумме дырочной
и электронной составляющих:
.
Т.к.
концентрация ОНЗ в эмиттере много больше
концентрации ОНЗ в базе, то инжекция
дырок будет преобладать над инжекцией
электронов, т.е.
.
Пришедшие
в базу дырки начинают рекомбинировать
с электронами.
Но рекомбинация
– процесс не мгновенный. Поэтому бо́льшая
часть дырок успевает пройти через тонкий
слой базы и достигнуть КП.
Суммарное
поле КП (
)
является ускоряющим для дырок, поэтому
дырки перебрасываются этим полем через
КП
(происходит экстракция ННЗ) и участвуют
в образовании дырочной составляющей
коллекторного тока
(управляемая
часть коллекторного тока). Т.к.
КП находится под обратным напряжением,
через него протекает еще один ток –
неуправляемый тепловой
ток
коллекторного перехода
.
Суммарный ток коллектора равен:
.
Т.к. тепловой ток мал, то
.
Те
дырки, которые всё же успевают
прорекомбинировать с электронами в
базе, участвуют в создании тока
рекомбинации
.
Таким
образом, суммарный ток базы равен:
Все составляющие этого тока малы, следовательно, ток базы также мал.
Рекомбинация
в базе + инжекция электронов из базы в
эмиттер нарушают электрическую
нейтральность базы (база приобретает
положительный заряд). Для восстановления
электрической нейтральности базы от
внешнего источника питания (
)
в базу поступают электроны. Т.к. ток
всегда направлен в сторону, противоположную
движению электронов, токи
и
имеют направление сверху вниз,
следовательно, ток базы
имеет
такое же направление.
Пришедшие
в эмиттер из базы электроны и ушедшие
из эмиттера дырки нарушают электрическую
нейтральность эмиттера (эмиттер
приобретает отрицательный заряд). Для
восстановления нейтральности эмиттера
избыточные электроны уходят из эмиттера
к внешнему источнику питания (
),
т.е. во внешней эмиттерной цепи протекает
ток
снизу вверх.
Пришедшие
в коллектор дырки нарушают его
электрическую нейтральность(коллектор
приобретает положительный заряд). Для
восстановления электрической нейтральности
в коллектор поступают электроны от
внешнего источника питания (
),
т.е. во внешней коллекторной цепи
протекает ток
сверху вниз.