
- •Конспект лекций (3 семестр)
- •Содержание
- •1 Полупроводниковые диоды
- •Обозначение:
- •1.1 Выпрямительный диод
- •Механизм сглаживания пульсаций:
- •1.2 Стабилитрон
- •Применение стабилитронов:
- •1.3 Варикап
- •Принцип работы схемы:
- •1.4 Фотодиод
- •Р hν ассмотрим фотодиодный режим:
- •Рассмотрим ве́нтильный режим:
- •Применение фотодиодов:
- •1.6 Светодиод
- •Принцип работы:
- •Конструктивно светодиоды выполняются:
- •Применение:
- •2 Оптроны
- •Оптрон с внутренней фотонной связью:
- •Оптрон с внешней фотонной связью:
- •Достоинства оптронов:
- •Недостатки оптронов:
- •3 Транзисторы
- •3.1 Биполярные транзисторы
- •Обозначение:
- •3.1.1 Назначение областей транзистора
- •3.1.2 Режимы работы транзистора
- •3.1.4 Принцип работы транзистора
- •3.1.5 Основные коэффициенты, характеризующие работу транзистора
- •3.1.6 Транзистор, как усилительный элемент
- •3.1.7 Схемы включения транзисторов
- •А) Общий эмиттер ( n-p-n)
- •Назначение элементов:
- •Как расставляются знаки у источников питания?
- •Б) Общая база (n-p-n)
- •В) Общий коллектор (эмиттерный повторитель)(n-p-n)
- •3.1.8 Статические характеристики биполярного транзистора Статические вах транзистора об
- •Статические вах транзистора оэ
- •3.1.9 Динамический режим работы транзистора
- •3.1.10 Первичные параметры транзистора
- •Пример расчета h-параметров транзистора оэ
- •Примечание:
- •3.2 Полевые транзисторы
- •Полевой транзистор содержит 3 электрода:
- •Полевые транзисторы бывают:
- •3.2.1 Полевой транзистор с p-n затвором
- •Обозначение:
- •Принцип действия полевого транзистора
- •Вах полевого транзистора с p-n затвором
- •Обозначение:
- •Достоинства полевых транзисторов::
- •Недостатки:
- •4 Тиристоры
- •4.1 Динисторы
- •Обозначение:
- •4.2 Тринисторы
- •Пример: ку 201а, ку 202а
- •Вах тринистора
- •5 Интегральные микросхемы (имс) логических элементов
- •5.1 Транзисторно-транзисторная логика (ттл)
- •Ттл с простым инвертором (и-не)
- •2.2 Эмиттерно-связанная логика (эсл)
- •Характерная особенность схемы:
- •Принцип работы переключателя тока:
- •5.4 Комплементарная моп-транзисторная логика (кмоп тл)
- •Кмоп тл (или-не)
- •Кмоп тл (и-не)
- •Преимущества кмоп тл перед моп тл:
- •Литература
5.4 Комплементарная моп-транзисторная логика (кмоп тл)
Пара транзисторов называется комплементарной, если они обладают одинаковыми параметрами, но разной проводимостью.
Основой КМОП ТЛ является инвертор.
Кмоп тл (или-не)
и
соединены последовательно,
-
параллельно.
Затворы и , и соединены.
-
0
0
1
0
1
0
1
0
0
1
1
0
а) Пусть . открыты (каналы образуются), закрыты (каналы не образуются). Сопротивления закрытых транзисторов велики, общее сопротивление параллельно соединенных также будет велико, следовательно, велико будет и падение напряжения на нем, т.е. на выходе установится высокий потенциал: .
б) Пусть . закрыты (каналы не образуются), открыты (каналы образуются). Сопротивления открытых транзисторов малы, общее их сопротивление также мало, следовательно, мало и падение напряжения на нем, т.е. на выходе установится низкий потенциал: .
в)
Пусть
.
открыты (каналы образуются),
закрыты (каналы не образуются).
Сопротивление открытого
мало, сопротивление закрытого
велико. Общее их сопротивление будет
меньше меньшего, т.е. мало, следовательно,
мало будет и падение напряжения на нем,
поэтому на выходе установится низкий
потенциал:
.
Таким образом, схема осуществляет операцию ИЛИ-НЕ.
Кмоп тл (и-не)
соединены параллельно, - последовательно.
-
0
0
1
0
1
1
1
0
1
1
1
0
а) Пусть . открыты (каналы образуются), закрыты (каналы не образуются). Сопротивления закрытых транзисторов велики, общее сопротивление последовательно соединенных также будет велико, следовательно, велико будет и падение напряжения на нем, т.е. на выходе установится высокий потенциал: .
б) Пусть . закрыты (каналы не образуются), открыты (каналы образуются). Сопротивления открытых транзисторов малы, общее их сопротивление также мало, следовательно, мало и падение напряжения на нем, т.е. на выходе установится низкий потенциал: .
в)
Пусть
.
открыты (каналы образуются),
закрыты (каналы не образуются).
Сопротивление открытого
мало, сопротивление закрытого
велико. Общее их сопротивление будет
велико, следовательно, велико будет и
падение напряжения на нем, поэтому на
выходе установится высокий потенциал:
.
Таким образом, схема осуществляет операцию И-НЕ.