- •Конспект лекций (3 семестр)
- •Содержание
- •1 Полупроводниковые диоды
- •Обозначение:
- •1.1 Выпрямительный диод
- •Механизм сглаживания пульсаций:
- •1.2 Стабилитрон
- •Применение стабилитронов:
- •1.3 Варикап
- •Принцип работы схемы:
- •1.4 Фотодиод
- •Р hν ассмотрим фотодиодный режим:
- •Рассмотрим ве́нтильный режим:
- •Применение фотодиодов:
- •1.6 Светодиод
- •Принцип работы:
- •Конструктивно светодиоды выполняются:
- •Применение:
- •2 Оптроны
- •Оптрон с внутренней фотонной связью:
- •Оптрон с внешней фотонной связью:
- •Достоинства оптронов:
- •Недостатки оптронов:
- •3 Транзисторы
- •3.1 Биполярные транзисторы
- •Обозначение:
- •3.1.1 Назначение областей транзистора
- •3.1.2 Режимы работы транзистора
- •3.1.4 Принцип работы транзистора
- •3.1.5 Основные коэффициенты, характеризующие работу транзистора
- •3.1.6 Транзистор, как усилительный элемент
- •3.1.7 Схемы включения транзисторов
- •А) Общий эмиттер ( n-p-n)
- •Назначение элементов:
- •Как расставляются знаки у источников питания?
- •Б) Общая база (n-p-n)
- •В) Общий коллектор (эмиттерный повторитель)(n-p-n)
- •3.1.8 Статические характеристики биполярного транзистора Статические вах транзистора об
- •Статические вах транзистора оэ
- •3.1.9 Динамический режим работы транзистора
- •3.1.10 Первичные параметры транзистора
- •Пример расчета h-параметров транзистора оэ
- •Примечание:
- •3.2 Полевые транзисторы
- •Полевой транзистор содержит 3 электрода:
- •Полевые транзисторы бывают:
- •3.2.1 Полевой транзистор с p-n затвором
- •Обозначение:
- •Принцип действия полевого транзистора
- •Вах полевого транзистора с p-n затвором
- •Обозначение:
- •Достоинства полевых транзисторов::
- •Недостатки:
- •4 Тиристоры
- •4.1 Динисторы
- •Обозначение:
- •4.2 Тринисторы
- •Пример: ку 201а, ку 202а
- •Вах тринистора
- •5 Интегральные микросхемы (имс) логических элементов
- •5.1 Транзисторно-транзисторная логика (ттл)
- •Ттл с простым инвертором (и-не)
- •2.2 Эмиттерно-связанная логика (эсл)
- •Характерная особенность схемы:
- •Принцип работы переключателя тока:
- •5.4 Комплементарная моп-транзисторная логика (кмоп тл)
- •Кмоп тл (или-не)
- •Кмоп тл (и-не)
- •Преимущества кмоп тл перед моп тл:
- •Литература
5.1 Транзисторно-транзисторная логика (ттл)
Характерной особенностью ТТЛ является наличие на входе схемы многоэмиттерного транзистора (это транзистор, имеющий в одном корпусе одну базу, один коллектор и несколько эмиттеров).
Схема осуществляет логическую операцию И-НЕ:
|
|
|
0 |
0 |
1 |
1 |
0 |
1 |
0 |
1 |
1 |
1 |
1 |
0 |
Ттл с простым инвертором (и-не)
а)
Пусть на входы поданы логические нули,
т.е.
.
Т.к.
эмиттеры транзистора
-
это области с электронной проводимостью,
то, подавая на них логические нули,
получаем прямое смещение эмиттерных
переходов.
этого
транзистора также смещен в прямом
направлении, т.к. «плюс» источника
питания (ИП) через резистор
подается на базу
(p-область).
Таким образом, находится в режиме насыщения (полностью открыт).
Сопротивление открытого транзистора мало, следовательно, мало и падение напряжения на нем (по закону Ома), что соответствует логическому нулю.
Но
выходное напряжение транзистора
является входным для
(
),
следовательно, на базу
(p-область)
подается логический нуль, что соответствует
обратному смещению
.
также находится под обратным напряжением,
т.к. «плюс» ИП через резистор
подается на коллектор
(n-область).
Таким образом, находится в режиме отсечки (полностью закрыт).
Сопротивление
закрытого транзистора велико,
следовательно, велико и падение напряжения
на нем, что соответствующий логической
единице:
Для
рассматриваемого случая ток
будет протекать через эмиттерные
переходы на входы
и
.
б) Если на один из входов подать , а на другой - , картина будет соответствовать пункту 1.
в)
Подадим на оба входа логические единицы,
т.е.
.
В
этом случае на эмиттеры
(n-области)
подается «плюс», т.е.
смещаются
в обратном направлении.
по-прежнему смещен в прямом направлении.
Таким образом,
находится
в инверсном
режиме.
В
этом случае ток
будет протекать через
в базу
,
повышая ее потенциал, в результате чего
откроется (войдет
в активный режим),
возникнет ток
,
который еще больше повысит потенциал
базы
,
транзистор войдет
в режим насыщения
(полностью откроется). Сопротивление
открытого транзистора мало, следовательно
мало и падение напряжения на нем, что
соответствует логическому нулю
.
Таким образом, осуществляется логическая операция И-НЕ.
2.2 Эмиттерно-связанная логика (эсл)
Схемы ЭСЛ являются самыми быстродействующими, т.к. транзисторы в них работают в ненасыщенном (активном) режиме. Время их переключения мало – единицы наносекунд.
Характерная особенность схемы:
Заземляется плюсовая клемма ИП (+ЕП). Этим ослабляется влияние нестабильности ИП на уровни напряжения и , что важно, т.к. разница между ними в данной схеме незначительна.
Схема осуществляет операцию ИЛИ-НЕ/ИЛИ:
-
0
0
0
1
0
1
1
0
1
0
1
0
1
1
1
0
В
основе схемы лежит переключатель тока,
выполненный на транзисторах
.
