- •Конспект лекций (3 семестр)
- •Содержание
- •1 Полупроводниковые диоды
- •Обозначение:
- •1.1 Выпрямительный диод
- •Механизм сглаживания пульсаций:
- •1.2 Стабилитрон
- •Применение стабилитронов:
- •1.3 Варикап
- •Принцип работы схемы:
- •1.4 Фотодиод
- •Р hν ассмотрим фотодиодный режим:
- •Рассмотрим ве́нтильный режим:
- •Применение фотодиодов:
- •1.6 Светодиод
- •Принцип работы:
- •Конструктивно светодиоды выполняются:
- •Применение:
- •2 Оптроны
- •Оптрон с внутренней фотонной связью:
- •Оптрон с внешней фотонной связью:
- •Достоинства оптронов:
- •Недостатки оптронов:
- •3 Транзисторы
- •3.1 Биполярные транзисторы
- •Обозначение:
- •3.1.1 Назначение областей транзистора
- •3.1.2 Режимы работы транзистора
- •3.1.4 Принцип работы транзистора
- •3.1.5 Основные коэффициенты, характеризующие работу транзистора
- •3.1.6 Транзистор, как усилительный элемент
- •3.1.7 Схемы включения транзисторов
- •А) Общий эмиттер ( n-p-n)
- •Назначение элементов:
- •Как расставляются знаки у источников питания?
- •Б) Общая база (n-p-n)
- •В) Общий коллектор (эмиттерный повторитель)(n-p-n)
- •3.1.8 Статические характеристики биполярного транзистора Статические вах транзистора об
- •Статические вах транзистора оэ
- •3.1.9 Динамический режим работы транзистора
- •3.1.10 Первичные параметры транзистора
- •Пример расчета h-параметров транзистора оэ
- •Примечание:
- •3.2 Полевые транзисторы
- •Полевой транзистор содержит 3 электрода:
- •Полевые транзисторы бывают:
- •3.2.1 Полевой транзистор с p-n затвором
- •Обозначение:
- •Принцип действия полевого транзистора
- •Вах полевого транзистора с p-n затвором
- •Обозначение:
- •Достоинства полевых транзисторов::
- •Недостатки:
- •4 Тиристоры
- •4.1 Динисторы
- •Обозначение:
- •4.2 Тринисторы
- •Пример: ку 201а, ку 202а
- •Вах тринистора
- •5 Интегральные микросхемы (имс) логических элементов
- •5.1 Транзисторно-транзисторная логика (ттл)
- •Ттл с простым инвертором (и-не)
- •2.2 Эмиттерно-связанная логика (эсл)
- •Характерная особенность схемы:
- •Принцип работы переключателя тока:
- •5.4 Комплементарная моп-транзисторная логика (кмоп тл)
- •Кмоп тл (или-не)
- •Кмоп тл (и-не)
- •Преимущества кмоп тл перед моп тл:
- •Литература
4 Тиристоры
Тиристор – это полупроводниковый прибор с тремя и более p–n переходами, ВАХ которого имеет участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением.
Основное назначение тиристоров – переключение.
4.1 Динисторы
Динистор – это неуправляемый тиристор с тремя переходами.
Обозначение:
VD
о о Пример: КН 102А
А
Iа
p1
+
Э1 RН
ЭП1
_
n1
Б1
_
+
о +
Uа
КП _ ЕВН
о _Еа
p2
Б2
ЕВНЕШН
+
ЭП2 _
n2
Ө Э2
К
ЭП1, ЭП2 – эмиттерные переходы
Э1, Э2 – высоколегированные эмиттеры
КП – коллекторный переход (образован слаболегированными базами Б1 и Б2)
Принцип действия динистора основан на использовании физических явлений: инжекция, экстракция и лавинный пробой.
Если на аноде плюс, то протекающий через динистор ток Iа смещает эмиттерные переходы в прямом направлении, а КП – в обратном (смотри знаки на рисунке).
При малом анодном напряжении практически все оно выделяется на обратно смещенном КП, имеющем большое сопротивление. Эмиттеры при этом не инжектируют. Динистор закрыт.
С ростом анодного напряжения возникает инжекция ОНЗ через эмиттерные переходы (дырки из Э1 перемещаются в Б1, электроны из Э2 – в Б2). Инжектированные в базу ОНЗ становятся ННЗ. Для них суммарное поле (Евнешнее + Евн) является ускоряющим – возникает экстракция (дырки из Б1 перебрасываются суммарным полем в Б2, а электроны из Б2 в Б1). В результате концентрация ОНЗ в базах растет, следовательно, растет проводимость КП, а значит, будет уменьшаться его сопротивление и толщина.
Но рост анодного напряжения сопровождается ростом напряженности электрического поля КП. При определенном значении напряжения (Uа=Uавкл) напряженность поля становиться очень высокой, а толщина КП очень незначительной, в результате чего происходит лавинный пробой КП, анодный ток резко возрастает, базы динистора при этом насыщаются ОНЗ, динистор включается. ВАХ динистора
Iа
С
Uпр
Iауд В
Iавкл
А
Iко
О
Uа
Uавкл
Д
а) Участок ОА (Uа < Uавкл):
ВАХ динистора напоминает ВАХ обратно смещенного перехода.
Iа = Iко - обратный ток КП, инжекции нет, динистор закрыт.
б) Участок АВ (Uа > Uавкл):
В
точке А происходит пробой динистора
=> Iа
=>
Gкп
=>Rкп
,
следовательно уменьшается и падение напряжения на этом
сопротивлении, т.е. возникает участок с отрицательным
дифференциальным сопротивлением. Динистор открывается.
в) В точке В создается минимальное напряжение на динисторе (все три
перехода смещены в прямом направлении и их сопротивления малы).
Uпр=(1,5÷2)В – падение напряжения на трех прямо смещенных
переходах.
Участок ВС напоминает ВАХ прямо смещенного перехода.
