Пример расчета h-параметров транзистора оэ
Изобразим транзистор ОЭ с его входными и выходными токами и напряжениями:
а)
Определим входное сопротивление
транзистора.
Для этого запишем формулу:
при
.
Заменив амплитуды на малые приращения
и подставив значения входного тока,
входного и выходного напряжений конкретно
для транзистора ОЭ, получим:
при
,т.е.
при
индекс «э» означает, что транзистор собран по схеме ОЭ
Входное сопротивление транзистора определяется по входным вольт-амперным характеристикам. Точка А – это рабочая точка, в которой определяются h-параметры.
Iб
(mA)
0,75 Uкэ=5В
б
=
0,25
Uбэ
(В)
0,3
бэ
0,55
Чтобы
определить
,
необходимо выполнить дополнительное
построение: это построение обязательно
должно проходить через рабочую точку
А и при этом должно выполняться условие
(в данном случае
).
Исходя из вышесказанного, строим
небольшой прямоугольный треугольник
таким образом, чтобы его гипотенуза
прилегала к входной характеристике и
делилась рабочей точкой А пополам.
Тогда катеты этого треугольника и будут
искомыми значениями
и
,
зная которые, легко определить входное
сопротивление транзистора:
б) Определим коэффициент обратной связи по напряжению.
Заменив
в формуле
при
амплитуды на малые приращения, получим:
при
,
т.е. при
.
Коэффициент обратной связи по напряжению определяется по входным вольт-амперным характеристикам транзистора. Дополнительное построение должно проходить через рабочую точку А и при этом должно выполняться условие . В данном случае это будет прямая, параллельная оси напряжений и проходящая через точку А.
Iб(mA)
кэ
Uкэ=0 Uкэ=5В
А`
А
Uбэ(В)
0,5
бэ
0,7
в) Определим коэффициент усиления по току.
Заменив
в формуле
при
амплитуды на малые приращения, получим:
при
,
т.е. при
.
Коэффициент усиления по току определяется по выходным вольт-амперным характеристикам транзистора. Дополнительное построение должно проходить через рабочую точку А и при этом должно выполняться условие . В данном случае это будет прямая, параллельная оси токов и проходящая через точку А.
Iк(mA)
40
Iб=1,5mA
А
Iб=1mA
к б
Iб=0,5mA
20
Iб=0
Uкэ(В)
Для
транзистора, собранного по схеме ОЭ:
,
где
-
коэффициент передачи тока базы в
коллектор.
г) Определим выходную проводимость и выходное сопротивление транзистора.
Заменив
в формуле
при
амплитуды на малые приращения, получим:
при
,
т.е. при
.
Дополнительное построение должно проходить через рабочую точку А и при этом должно выполняться условие . В данном случае это будет прямоугольный треугольник, у которого гипотенуза делится рабочей точкой А пополам.
Iк(mA)
Iб=1mA
7
A
Iб=0,5mA
к
6 Iб=0
Uкэ(В)
5 кэ 10
;
