- •210601.65 «Нанотехнология в электронике»
- •Лекция №1 фундаментальные явления. Полупроводниковые структуры и их классификация План лекции
- •1.1. Фундаментальные явления.
- •1.2. Гетеропереходы первого и второго типов.
- •1.3. Энергетическая диаграмма структуры с одиночной квантовой ямой. Энергетическая диаграмма одномерной сверхрешётки
- •Лекция №3 особенности энергетического спектра частиц в системах пониженой размерности План лекции
- •1.1. Потенциальный барьер конечной ширины.
- •1.2. Интерференционные эффекты при надбарьерном пролете частиц.
- •Лекция №4 особенности энергетического спектра частиц в системах пониженой размерности План лекции
- •1.1. Частица в прямоугольной потенциальной яме.
- •Лекция №5 особенности энергетического спектра частиц в системах пониженой размерности План лекции
- •1.1. Особенности движения частиц над потенциальной ямой.
- •1.2. Движение частицы в сферически симметричной прямоугольной потенциальной яме.
- •1.3. Энергетические состояния в прямоугольной квантовой яме с бесконечными стенками и дополнительным провалом.
- •Лекция №6 особенности энергетического спектра частиц в системах пониженой размерности План лекции
- •1.1. Энергетическая диаграмма квантовой ямы с конечными стенками и дополнительным провалом.
- •1.2. Структура со сдвоенной квантовой ямой. Энергетический спектр частицы в системе с δ-образным барьером.
- •Лекция №7 особенности энергетического спектра частиц в системах пониженой размерности План лекции
- •1.1. Прохождение частицы через многобарьерные квантовые структуры.
- •Лекция №8 процессы переноса в наноструктурах в электрических полях План лекции
- •1.1. Продольный перенос в наноструктурах в электрическом поле.
- •1. Электрон-фононное рассеяние.
- •2. Рассеяние на примесных атомах.
- •3. Рассеяние на шероховатостях границы раздела.
- •4. Межподзонное рассеяние.
- •Лекция №9 процессы переноса в наноструктурах в электрических полях План лекции
- •1.1. Поперечный перенос в наноструктурах в электрическом поле.
Лекция №6 особенности энергетического спектра частиц в системах пониженой размерности План лекции
1.1. Энергетическая диаграмма квантовой ямы с конечными стенками и дополнительным провалом.
1.2. Структура со сдвоенной квантовой ямой.
Энергетический спектр частицы в системе с δ-образным барьером.
1.1. Энергетическая диаграмма квантовой ямы с конечными стенками и дополнительным провалом.
В реальности мы имеем дело с потенциальными ямами, стенки которых имеют конечную высоту (см. рис. 1.9, а). Рассмотрим влияние конечной высоты стенок на разрешенные значения энергии основного и первого возбужденного состояний КЯ при наличии провала.
В
этом случае необходимо дополнительно
учесть возможность проникновения
частицы под барьеры (т.е. в областях 4
и
5, см. рис. 1.9, а).
Решение
уравнения (1.8.1) для этих областей
можно записать в виде
(1.8.11)
где
Учитывая граничные условия при x = ±d и x = ±l , можно было бы записать систему алгебраических уравнений, определяющую разрешенные значения K и E. Однако при этом пришлось бы искать совместное решение системы из восьми уравнений. Для упрощения расчетов лучше учесть симметрию задачи и вместо граничных условий для x < 0 использовать граничные условия при x = 0. При этом получим:
для четных состояний
(1.8.12)
для нечетных
(1.8.13)
Учитывая (1.7.12), (1.7.13) и граничные условия при x=d
(1.8.14)
и при x = l
(1.8.15)
получим две системы по пять уравнений, решения которых и определят разрешенные значения K и E для четных и нечетных состоянии.
Соответствующие дисперсионные уравнения для определения разрешенных значений энергии и в этом случае (V≠∞) удается представить в виде (1.8.6) и (1.8.9), но уравнение для основного четного состояния теперь будет иметь вид
(1.8.16)
|
Рис. 1. 12. Графическое решение дисперсионных уравнений (1.8.6) и (1.8.9) с учетом (1.8.16) и (1.8.17): 1-K1l; 2,4,6-F0(K1l); 3,5, 7-F1 (K1l); 2,3-m2=m1, U=0, V=∞; 4,5- m2=m1, U=0, V≠∞; 6,7 - m2<m1, U≠0, V≠∞ |
а уравнение для первого возбужденного (нечетного) состояния может быть записано как
(1.8.17)
Решение дисперсионных уравнений (1.8.6) и (1.8.9) с учетом (1.8.16) и (1.8.17) представлено на рис. 1.12.
Анализ показывает, что понижение высоты стенок КЯ уменьшает значения разрешенных уровней энергии как для основного четного, так и для возбужденного состояния. Такому понижению способствует и увеличение т3 (эффективной массы материала барьеров). В результате условие существования основного четного уровня в широкой части потенциальной ямы принимает вид
(1.8.18)
Оценки [10] показывают, что, например, для структуры, у которой барьеры изготовлены из А1Аs, широкая часть КЯ - из твердого раствора In0.53Gа0.47 Аs, провал - из InAs с параметрами V= 1,32 эВ, U=0,24эВ, d = 9,2 A, l=18,2 А, m1 = 0,046 m0, т2 = 0,023 m0, m3= 0,124m0, уровни энергии основного и первого возбужденного состояний равны соответственно 0,09 и 1,22 эВ. В то же время для аналогичной структуры без провала эти же уровни соответствуют значениям 0,22 и 0,94 эВ. Таким образом, наличие провала может изменять положение уровней на несколько десятых электрон-вольт.
