- •210601.65 «Нанотехнология в электронике»
- •Лекция №1 фундаментальные явления. Полупроводниковые структуры и их классификация План лекции
- •1.1. Фундаментальные явления.
- •1.2. Гетеропереходы первого и второго типов.
- •1.3. Энергетическая диаграмма структуры с одиночной квантовой ямой. Энергетическая диаграмма одномерной сверхрешётки
- •Лекция №3 особенности энергетического спектра частиц в системах пониженой размерности План лекции
- •1.1. Потенциальный барьер конечной ширины.
- •1.2. Интерференционные эффекты при надбарьерном пролете частиц.
- •Лекция №4 особенности энергетического спектра частиц в системах пониженой размерности План лекции
- •1.1. Частица в прямоугольной потенциальной яме.
- •Лекция №5 особенности энергетического спектра частиц в системах пониженой размерности План лекции
- •1.1. Особенности движения частиц над потенциальной ямой.
- •1.2. Движение частицы в сферически симметричной прямоугольной потенциальной яме.
- •1.3. Энергетические состояния в прямоугольной квантовой яме с бесконечными стенками и дополнительным провалом.
- •Лекция №6 особенности энергетического спектра частиц в системах пониженой размерности План лекции
- •1.1. Энергетическая диаграмма квантовой ямы с конечными стенками и дополнительным провалом.
- •1.2. Структура со сдвоенной квантовой ямой. Энергетический спектр частицы в системе с δ-образным барьером.
- •Лекция №7 особенности энергетического спектра частиц в системах пониженой размерности План лекции
- •1.1. Прохождение частицы через многобарьерные квантовые структуры.
- •Лекция №8 процессы переноса в наноструктурах в электрических полях План лекции
- •1.1. Продольный перенос в наноструктурах в электрическом поле.
- •1. Электрон-фононное рассеяние.
- •2. Рассеяние на примесных атомах.
- •3. Рассеяние на шероховатостях границы раздела.
- •4. Межподзонное рассеяние.
- •Лекция №9 процессы переноса в наноструктурах в электрических полях План лекции
- •1.1. Поперечный перенос в наноструктурах в электрическом поле.
Лекция №4 особенности энергетического спектра частиц в системах пониженой размерности План лекции
1.1. Частица в прямоугольной потенциальной яме.
1.1. Частица в прямоугольной потенциальной яме.
При выращивании пленки узкозонного полупроводника между двумя слоями широкозонного материала может быть реализован потенциальный рельеф, показанный на рис. 1.4.
|
Рис. 4. Энергетическая диаграмма прямоугольной потенциальной ямы |
В этом случае задача определения стационарных состояний движения электрона сводится к задаче о поведении частицы в прямоугольной потенциальной яме.
Для асимметричной потенциальной ямы (рис. 1.4, а) с
при E< U2 общие решения уравнения (1.1.2) в областях 1 - 3 (с постоянными значениями потенциала) можно представить в виде
(1.4.1)
где
Решения
и
записаны с учетом того, что они должны
равняться
нулю на бесконечности.
«Сшивая» волновые функции и их первые производные при x = ±0,5W, придем к уравнению
(1.4.2)
определяющему значения волнового вектора K, удовлетворяющие условиям данной задачи.
Подставляя
и
в (1.4.2), получим трансцендентное уравнение,
позволяющее оценить разрешенные значения
K:
KW=n
(1.4.3)
где
п
= 1,
2, 3... нумерует разрешенные значения K
в
порядке их возрастания;
/
,
j
=
1, 2; значения арксинуса надо
брать
в интервале 0. . .
/2
.
Уравнение
(1.4.3) определяет набор положительных
значений волнового вектора Кп
и,
следовательно, возможные уровни энергии,
соответствующие этим состояниям. Таким
образом, энергия
частицы
в потенциальной яме оказывается
квантованной
и
принимает одно из разрешенных дискретных
значений Еп.
Чтобы
подчеркнуть это, потенциальные ямы
(особенно узкие) часто называют квантовыми
ямами (КЯ).
Поскольку аргумент арксинуса не может превышать 1, значения K лежат только в интервале
.
(1.4.4)
Если WG2< , то в КЯ находится не более одного разрешенного энергетического уровня. В общем случае количество разрешенных энергетических уровней в прямoугольной квантовой яме можно оценить, используя неравенство
n
<
(1.4.5)
Согласно
(1.4.5) при U2
1
всегда
найдутся столь малые значения WG2
, для
которых в КЯ не будет ни одного разрешенного
уровня энергии. Заметим, что при U2
= U1
(рис.
1 .4, б)
условие
(1.4.5) для п
=
1 всегда выполняется. Следовательно,
симметричная
одномерная потенциальная яма с
произвольными значениями
W
и U
всегда имеет не менее одного разрешенного
энергетического
уровня.
Более
того, если
в случае произвольного одномерного
потенциала асимптотические значения
и
между ними находится один минимум, то
всегда имеется, по крайней мере, один
связанный уровень. Если же
то
связанного состояния может и не быть.
В
случае
двух и трех измерений в неглубоких узких
потенциальных ямах связанных состояний
может не быть даже при
т.е.
частица не будет «захватываться» ямой.
Отметим, что согласно законам классической механики частица может «захватываться» и совершать финитное движение в любой потенциальной яме, лишь бы энергия частицы была достаточно мала.
Особенно простой вид имеют решения уравнения (1.4.3) для бесконечно больших значений U1 и U2. В случае прямоугольной ямы с бесконечно высокими стенками (БПЯ) согласно (1.4.3)
Kn=
,
(1.4.6)
где п = 1, 2, 3... В этом случае на ширине ямы укладывается целое число длин полуволн де Бройля
При этом разрешенные дискретные уровни энергии частицы определяются соотношением, эВ:
(1.4.7)
где m0 - масса свободного электрона, W- в нм.
В случае БПЯ нормированные волновые функции частицы в состояниях с различными значениями Еп могут быть представлены в виде
если п - нечетное,
(1.4.8)
если п — четное.
Согласно
(1.4.8) волновая функция основного состояния
(состояния с наименьшей энергией) не
имеет нулей внутри квантовой ямы,
функция
(волновая
функция первого возбужденного состояния)
имеет один нуль (узел) внутри КЯ, функция
имеет
два узла и т.д. Аналогичную
зависимость числа узлов волновой функции
от номера возбужденного состояния
демонстрируют
и
другие одномерные системы, в которых
движение происходит в ограниченной
области пространства.
В
общем случае, когда
разрешенные значения волнового
вектора (а следовательно, и энергии)
можно найти, решая уравнение (1.4.3) численно
или графически. Однако и в этом случае
удается получить ряд соотношений,
облегчающих практические оценки.
Во-первых, можно показать, что
(1.4.9)
здесь представляет собой эффективную длину области локализации частицы с энергией Еп и отражает тот факт, что частица, преимущественно локализованная внутри КЯ, все же проникает и в области барьеров.
Во-вторых, раскладывая arcsin в ряд, можно получить выражение для оценки разрешенных значений волнового вектора. Полагая Еп<<Uj, получим
(1.4.10)
В первом приближении R1 =R2=1, При этом для Еп/Uтiп <0,25 ошибка в оценке Кп по (1.4.10) будет менее 5 %, Во втором приближении следует полагать
(1.4.11)
здесь
- энергия
n-го
уровня, рассчитанная в первом приближении
при Rj=1.
При использовании Rj
в виде (1.4.11) ошибка в
оценке
Кп
по
(1.4.10) будет менее 2 % для Еп/Umin
< 0,3
.
В-третьих, для симметричной КЯ (рис. 1.4, б) волновая функция, соответствующая состояниям положительной четности (n = 1 3,5...), может быть представлена в виде
(1.4.12)
где
(1.4.13)
Волновая функция, соответствующая состояниям отрицательной четности (n= 2, 4, 6...),
(1.4.14)
здесь
Cn=-Dn (1.4.15)
Для
симметричной КЯ ширины W
и глубины U0,
введя нормированные переменные Y
= Е/Е* и
Х = U0/Е*
(Е*=
-
энергия
первого разрешенного уровня в БПЯ),
выражение (1.4.2) можно представить в виде
(1.4.16)
Анализ
(1.4.16)
показывает,
что в симметричной КЯ конечной глубины
для
0<Х≤1
возможно
существование лишь одного разрешенного
состояния с энергией Е1
Е*,
для
1<x
количество
разрешенных состояний равно 2, для
4<X
9
равно
3 и т.д. Кроме того, если в симметричной
квантовой яме возможно существование
n-го
энергетического состояния (с n
2),
то
независимо от глубины КЯ U0
а общее число разрешенных энергетических
уровней п
в
симметричной прямоугольной КЯ можно
оценить, используя неравенство
Выполнив разложение (1.4.3) при Y/X<<1 (большие значения W и (или) U0), для основного состояния в первом приближении получим, что
(1.4.17a)
Возникающая при такой аппроксимации ошибка представлена на рис. 1.5. Видно, что при Y>0,37 ошибка определения положения первого разрешенного энергетического уровня в КЯ не превысит 5 %.
|
Рис.1.5. Характер ошибки, возникающей при аппроксимации выражения (1.4.16): Кривая 1- с использованием (1.4.17а), 2 - с использованием (1.4.17б), 3 - с использованием (1.4.17в), 4 - с использованием (1.4.19), 5 - с использованием (1.4.20) |
Во втором приближении выражение для оценки Y принимает вид
(1.4.17б)
Такая
аппроксимация дает ошибку меньше 5 % для
Y
≥ 0,13.
Если
в
(1.4.17б) изменить коэффициент перед
в
круглых скобках,
т.е.
положить, что
(1.4.17в)
то погрешность определения Y станет меньше 5 % уже для Y ≥ 0,04
При очень малых W (узкая КЯ) разложение (1.4.3) в ряд для симметричной КЯ позволяет представить выражение для оценки энергии основного состояния в виде
или в переменных X и Y
Y
(1.4.186)
Данное
выражение можно использовать только
при очень малых W.
Анализ
показывает, что расширить интервал
приемлемых оценок положения основного
состояния в КЯ в области малых X
можно,
изменяя коэффициент перед X
в
знаменателе (1.4.18б). На рис. 1.5 представлено
поведение ошибки
при
использовании выражения
Y
(1.4.19)
Еще лучшие результаты могут быть достигнуты при использовании выражения
(1.4.20)
Существует и другая возможность для оценки энергетического положения разрешенных состояний в симметричной КЯ конечной глубины. В этом случае, используя (1.4.16), рассчитывают зависимости Х от Y. При этом
. (1.4.21)
Зависимости
Х(Y)
для
первых трех энергетических уровней,
рассчитанные с использованием (1.4.21),
приведены на рис. 1.6. По ним, задаваясь
параметрами КЯ W,
U0
и
т
(т.е.
X),
можно
определить Y
и
энергетическое положение уровней.
Видно, что для КЯ заданной ширины с
уменьшением глубины U0
(т.е. X)
будут
происходить уменьшение энергии
разрешенных состояний Y
и
последовательное выталкивание их
из ямы (т.е. уровни будут сгущаться
медленнее, чем уменьшается глубина
ямы). Причем при изменении U0
до En-1(
)
энергия n-го
уровня в КЯ конечной глубины будет
уменьшаться от Еп(
)
лишь
до
En-1(
),
а
при дальнейшем уменьшении U0
п-й уровень
будет вытолкнут из ямы.
Решив одномерную задачу, в данном случае легко получить решение и для двумерного, и для трехмерного случая. Например, если частица движется в потенциальном поле U=U(x)+U(y)+U(z), где
,
,
,
то
ее волновая функция
,
a
E=E1+E2+E3.
В этом случае трехмерное уравнение
Шредингера распадается на три независимых
одномерных уравнения:
|
Рис.1.6. Зависимость X(Y) для первых трёх энергетических уровней с n=1,2 и 3 (кривые 1-3 соответственно), рассчитанные с использованием выражения (1.4.21) |
Таким
образом, чтобы получить решение для
данной трехмерной задачи, достаточно
решить одно из этих уравнений (что мы
уже сделали ранее) и по аналогии
записать решения для двух других
уравнений. Отметим, что при
h
каждому
значению энергии будет соответствовать
одна волновая функция
(х,у,z).
Другими
словами,
в
системе отсутствуют вырожденные
состояния.
В
случае
h=d=W
симметрия
поля совпадет с симметрией куба и система
может иметь двукратно и трехкратно
вырожденные уровни.
Кроме
того, особый
характер зависимости потенциальной
энергии от координаты
в
данном случае может
приводить к дополнительному (случайному)
вырождению.
