- •210601.65 «Нанотехнология в электронике»
- •Лекция №1 фундаментальные явления. Полупроводниковые структуры и их классификация План лекции
- •1.1. Фундаментальные явления.
- •1.2. Гетеропереходы первого и второго типов.
- •1.3. Энергетическая диаграмма структуры с одиночной квантовой ямой. Энергетическая диаграмма одномерной сверхрешётки
- •Лекция №3 особенности энергетического спектра частиц в системах пониженой размерности План лекции
- •1.1. Потенциальный барьер конечной ширины.
- •1.2. Интерференционные эффекты при надбарьерном пролете частиц.
- •Лекция №4 особенности энергетического спектра частиц в системах пониженой размерности План лекции
- •1.1. Частица в прямоугольной потенциальной яме.
- •Лекция №5 особенности энергетического спектра частиц в системах пониженой размерности План лекции
- •1.1. Особенности движения частиц над потенциальной ямой.
- •1.2. Движение частицы в сферически симметричной прямоугольной потенциальной яме.
- •1.3. Энергетические состояния в прямоугольной квантовой яме с бесконечными стенками и дополнительным провалом.
- •Лекция №6 особенности энергетического спектра частиц в системах пониженой размерности План лекции
- •1.1. Энергетическая диаграмма квантовой ямы с конечными стенками и дополнительным провалом.
- •1.2. Структура со сдвоенной квантовой ямой. Энергетический спектр частицы в системе с δ-образным барьером.
- •Лекция №7 особенности энергетического спектра частиц в системах пониженой размерности План лекции
- •1.1. Прохождение частицы через многобарьерные квантовые структуры.
- •Лекция №8 процессы переноса в наноструктурах в электрических полях План лекции
- •1.1. Продольный перенос в наноструктурах в электрическом поле.
- •1. Электрон-фононное рассеяние.
- •2. Рассеяние на примесных атомах.
- •3. Рассеяние на шероховатостях границы раздела.
- •4. Межподзонное рассеяние.
- •Лекция №9 процессы переноса в наноструктурах в электрических полях План лекции
- •1.1. Поперечный перенос в наноструктурах в электрическом поле.
Лекция №3 особенности энергетического спектра частиц в системах пониженой размерности План лекции
1.1. Потенциальный барьер конечной ширины.
1.2. Интерференционные эффекты при надбарьерном пролете частиц.
1.1. Потенциальный барьер конечной ширины.
В реальной физической ситуации мы всегда имеем дело с барьером конечной ширины. Найдем коэффициенты отражения и прохождения при движении частицы через прямоугольный потенциальный барьер ширины I и высоты U1 в предположении, что энергия частицы U2<Е< U1 (рис. 1 .2, а).
Используя результаты разд. 1.1, можем сразу записать решения уравнения Шредингера для трех областей (1, 2 и 3):
(1.2.1)
где
К1
,
,
При записи уравнений (1.2.1) учтено, что в области 3 нет источников частиц и рассеивающих центров, т.е. будет распространяться только прошедшая волна.
Подставив (1.2.1) в (1.1. 10) и (1.1. 11), получим
,
(1.2.2)
Амплитуды В1 и A3 найдем из системы линейных алгебраических уравнений, полученной с использованием условия непрерывности волновой функции и ее первой производной на границе двух областей.
Так, при х = 0 имеем
А1+В1=А2+В2,
(1.2.3)
|
Рис. 1.2 Энергетическая диаграмма прямоугольного потенциального барьера |
|
При x=L
(1.2.4)
Решив систему уравнений (1.2.3), (1.2.4), для несимметричного барьера (рис. 1.2,а) получим
,
(1.2.5)
(1.2.6)
Отсюда для случая симметричного барьера (рис 1.2 б), когда K1=K3, запишем
(1.2.7)
(1.2.8)
Анализ выражений (1.2.5) и (1.2.7) показывает, что в случае барьера конечной ширины и высоты появляется конечная вероятность частице пройти под барьером, что абсолютно невозможно в классическом случае, так как при E<U0 формально значение кинетической энергии T становится отрицательным:
T = E-U0<0.
Проникновение
частицы с энергией E<U0
через
потенциальный барьер - чисто
квантово-механический эффект, что видно
из формулы (1.2.5) (если положить в ней
=0,
получаем D=0).
Это
явление носит название туннельного
эффекта.
Отметим, что коэффициенты прохождения (1.2.5) и отражения (1.2.6) оказываются симметричными по индексам 1 и 3. Это означает, что проницаемость барьера одинакова для потоков, падающих справа и слева. Из уравнения (1.2.5) также следует, что прошедший поток монотонно стремится к нулю, если либо К1, либо К3 стремится к нулю. Заметим также, что проведенный анализ и формулы (1.2.5), (1.2.6) могут быть распространены и на случай барьера, показанного на рис. 1.2, в, путем замены потенциала U2 на (-U2).
1.2. Интерференционные эффекты при надбарьерном пролете частиц.
Рассмотрим особенности прохождения частицы над прямоугольным потенциальным барьером (рис. 1.2, а), когда E>U1, и E>U2. Сразу отметим, что надбарьерное прохождение частиц может служить одним из простейших примеров проявления квантовых размерных эффектов. Последние в этом случае приводят к квазипериодической осцилляции коэффициента прохождения частиц при изменении их энергии Е.
В данном случае решение уравнения Шредингера для всех трех областей будет иметь вид
,
здесь j- номер области. При этом, в отличие от (1.2.1),
К2
(1.3.1)
где Е2 =E-U1.
Полагая, как и ранее, что частицы движутся слева направо, в отсутствии рассеяния можно получить
,
(1.3.2)
R = 1-D; (1.3.3)
Заметим,
что выражения (1.3.2), (1.3.3) переходят в
(1.2.5), (1.2.6), если учесть, что К2
=-i
В случае симметричного барьера, когда К1 = К3 (рис. 1.2, б), выражения (1.3.2) и (1.3.3) упрощаются и принимают вид
(1.3.4)
(1.3.5)
Анализ (1 .3.4) и (1.3.5) показывает, что при изменении энергии частицы Е будут наблюдаться осцилляции коэффициентов прохождения и отражения. При этом, когда D=Dmax, то R = Rmin , и наоборот. Период осцилляции соответствует условию
или
K2,nL=n
(1.3.6)
при выполнении, которого коэффициент прохождения для частиц с волновым вектором K2,n обращается в единицу. В этом случае для частиц с энергией
Е2,n=Е-U0 (1.3.7)
на ширине барьера L укладывается целое число полуволн де Бройля и коэффициент отражения равен нулю. Квазиклассически это можно трактовать как результат интерференции волн, отраженных от скачков потенциала на границах барьера. Условие (1.3.7) можно еще записать в виде
(1.3.8)
Величина Vn равна энергии n-го уровня частицы, локализованной внутри потенциальной ямы шириной L с бесконечно высокими стенками, т.е. резонансные значения энергии Е2,n совпадают с энергией n-го уровня такой ямы.
При изменении энергии частицы коэффициент прохождения осциллирует, как показано на рис. 1.3. Минимальные значения D=Dmin, соответствующие им значения Е'2п («антирезонансные» состояния) можно приближенно оценить из условия
Отсюда
n=1,2…;
(1.3.9)
Dmin,n (1.3.10)
С
ростом номера п
и
уменьшением ширины барьера L
минимальный
коэффициент прохождения Dmin,n
быстро возрастает, так что осцилляции
становятся все менее выраженными.
Увеличение высоты барьера U0,
напротив, уменьшает Dmin,n,
увеличивая
амплитуду осцилляции, при этом
соответствующие антирезонансные
значения
остаются
постоянными (рис. 1.3).
Используя предыдущие рассуждения (симметричный барьер), можно получить выражение для оценки отношения концентрации
|
Рис. 1.3 Зависимости коэффициента прохождения над потенциальным барьером от энергии |
частиц в окрестности точки с координатой 0 < x < L (над барьером) к концентрации частиц в падающей волне (см. рис. 1.2, б)
(1.3.11)
здесь D определяется выражением (1.3.4).
Согласно (1.3.11) для частиц, имеющих энергию Е, удовлетворяющую условию (1.3.6), когда D> Dmах = 1, получим
Q(x=0) =1, Q(x=L/2)=E/(E-U0)=1+(U0/E2), Q(x=L)=1 (1.3.12)
Следовательно, в данном случае концентрация частиц с энергией E в области, занимаемой барьером, будет больше, чем в падающей волне, т.е., несмотря на то, что при Е > U0 волновая функция электрона «размазана» по всему пространству, существуют избранные значения энергии (и импульса) Ет при которых вследствие интерференции электронных волн, отраженных от границ барьера, амплитуда волновой функции в области барьера будет больше, чем в других областях.
Сделанные выводы справедливы и в случае несимметричного барьера (см. рис. 1.2, а, в, г). Однако при этом Dmах будет меньше единицы, поэтому все эффекты выражены слабее.
В реальных полупроводниковых структурах наблюдать и тем более использовать на практике квантовые осцилляции вероятности надбарьерного прохождения носителей заряда достаточно трудно, поскольку над барьером могут проходить лишь «горячие» электроны, причем увеличение эффекта за счет более высоких барьеров требует соответствующего повышения их энергии. Кроме того, уменьшение коэффициента прохождения при увеличении энергии электронов, которое в принципе могло бы привести к появлению падающего участка на ВАХ структуры, реально оказывается либо малым, либо происходит на интервале энергий 30.. .50 мэВ, сравнимом с тепловым разбросом при комнатной температуре, и поэтому при температурах выше комнатной сильно размыто.
