
- •Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение Высшего профессионального образования
- •Лабораторный практикум по курсу «Молекулярно-лучевая эпитаксия в технологии наноструктур» для студентов специальности 210601.65 Нанотехнология в электронике
- •Введение
- •1.1. Задачи лабораторной работы
- •1.2. Теоретическая часть
- •1.2.1. Фотоэлектрические процессы в инжекционном полупроводниковом лазере
- •1.2.2. Основные характеристики и параметры лазерных диодов
- •1.3. Объект исследования
- •1.6. Внешний вид волоконно-оптического лазерного модуля
- •1.4. Описание лабораторной установки и методов измерения
- •1.5. Порядок выполнения работы
- •Содержание отчета
- •1.7. Контрольные вопросы
- •2.1. Задачи лабораторной работы
- •2.2. Теоретическая часть
- •2.2.1. Фотоэлектрические процессы в p-I-n фотодиоде
- •2.2.2. Основные параметры и характеристики p-I-n фотодиода
- •2.3. Объект исследования
- •2.4. Описание лабораторной установки и методов измерения
- •2.5. Порядок выполнения работы
- •2.6. Содержание отчета
- •2.7. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа №3 измерение частотной характеристики
- •3.1. Задачи лабораторной работы
- •3.2. Теоретическая часть
- •3.3. Объект исследования
- •3.4. Описание лабораторной установки и методов измерения
- •3.5. Порядок выполнения работы
- •3.6. Содержание отчета
- •3.7. Контрольные вопросы
- •4.1. Задачи лабораторной работы
- •4.2. Теоретическая часть
- •4.2.1. Лавинный процесс в р-п переходе
- •4.2.2. Характеристики лфд
- •4.3. Объект исследования
- •4.4. Описание измерительной установки и методов измерения
- •4.5. Порядок выполнения работы
- •4.6. Содержание отчета
- •4.7. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа №5 получение методом молекулярно-лучевой эпитаксии светодиодов и измерение яркостно-токовой характеристики
- •5.1. Задачи лабораторной работы
- •5.2. Теоретическая часть
- •5.2.1. Физические процессы в р-п переходе светодиода
- •5.2.2. Основные параметры и характеристики фотоприемников
- •5.3. Объект исследования
- •5.4. Описание измерительной установки и методов измерения
- •5.5. Порядок выполнения работы
- •5.6. Содержание отчета
- •5.7. Контрольные вопросы
- •Оценка погрешностей результатов измерений
- •Значение коэффициента Стьюдента t для случайной величины X, имеющей распределение Стьюдента с (n-1) степенями свободы
- •Алгоритм обработки результатов косвенных измерений
- •Расчет погрешностей типовых задач
- •Литература
2.5. Порядок выполнения работы
Ознакомиться с лабораторной установкой.
Включить приборы в указанном выше порядке.
Ознакомиться с работой интерфейсной программы.
Установить ток накачки лазера 15 мА, при этом мощность излучения лазерного диода указывается в окне интерфейсной программы.
Установить максимальное напряжение питания p-i-n фотодиода, которое позволяет установить интерфейсная программа.
Подставив измеренное вольтметром напряжение на сопротивлении нагрузки p-i-n фотодиода в формулы (2.4) и (2.5), рассчитать ток через p-i-n фотодиод и напряжение смещения на p-i-n фотодиоде.
Повторить измерение по пп.5-6 для различных напряжений питания p-i-n фотодиода в диапазоне от максимального до минимального значения, установленного интерфейсной программой.
Повторить измерения по пп.5-7 для 4 различных значений мощности оптического излучения лазерного диода (ток накачки 30, 40, 50 и 60 мА).
Для уменьшения ошибок измерений повторить измерения не менее 5
раз.
Произвести расчет ошибок измерений.
Построить семейство вольт-амперных характеристик p-i-n фотодиода.
Для каждой вольт-амперной характеристики, используя полученные значения мощности лазерного диода, определить величину монохроматической токовой чувствительности p-i-n фотодиода по формуле (2.6). Рассчитать теоретическое значение токовой чувствительности по формуле (2.2) на длине волны излучения лазерного диода и сравнить это значение с полученным экспериментально.
Установить напряжение питания на p-i-n фотодиоде равное 0 В
Установить ток накачки лазерного диода установить равным 0 мА.
Подставив измеренное вольтметром напряжение на сопротивлении нагрузки фотодиода в формулу (2.4), рассчитать ток через p-i-n фотодиод.
Повторить измерение по пп.14-15 для значений оптической мощности лазерного диода в диапазоне от нуля до максимального значения, установленного интерфейсной программой.
Повторить измерения по пп.14-16 для напряжения питания p-i-n фотодиода -5 В.
Для уменьшения ошибок измерений повторить измерения не менее 5
раз.
Произвести расчет ошибок измерений.
Построить энергетическую характеристику p-i-n фотодиода для напряжения питания 0 и -5 В.
Определить критическую мощность излучения для фотодиода при нулевом напряжении питания.
2.6. Содержание отчета
Отчет о проделанной лабораторной работе должен содержать:
название работы, ф.и.о. студента и номер группы;
таблицы с экспериментальными данными;
расчет ошибок измерений
вольт-амперные характеристики p-i-n фотодиода при различных мощностях падающего на оптического излучения;
значения чувствительности p-i-n фотодиода при различных напряжениях смещения и мощностях падающего на него оптического излучения;
энергетические характеристики p-i-n фотодиода при различных напряжениях питания;
выводы.