
- •Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение Высшего профессионального образования
- •Лабораторный практикум по курсу «Молекулярно-лучевая эпитаксия в технологии наноструктур» для студентов специальности 210601.65 Нанотехнология в электронике
- •Введение
- •1.1. Задачи лабораторной работы
- •1.2. Теоретическая часть
- •1.2.1. Фотоэлектрические процессы в инжекционном полупроводниковом лазере
- •1.2.2. Основные характеристики и параметры лазерных диодов
- •1.3. Объект исследования
- •1.6. Внешний вид волоконно-оптического лазерного модуля
- •1.4. Описание лабораторной установки и методов измерения
- •1.5. Порядок выполнения работы
- •Содержание отчета
- •1.7. Контрольные вопросы
- •2.1. Задачи лабораторной работы
- •2.2. Теоретическая часть
- •2.2.1. Фотоэлектрические процессы в p-I-n фотодиоде
- •2.2.2. Основные параметры и характеристики p-I-n фотодиода
- •2.3. Объект исследования
- •2.4. Описание лабораторной установки и методов измерения
- •2.5. Порядок выполнения работы
- •2.6. Содержание отчета
- •2.7. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа №3 измерение частотной характеристики
- •3.1. Задачи лабораторной работы
- •3.2. Теоретическая часть
- •3.3. Объект исследования
- •3.4. Описание лабораторной установки и методов измерения
- •3.5. Порядок выполнения работы
- •3.6. Содержание отчета
- •3.7. Контрольные вопросы
- •4.1. Задачи лабораторной работы
- •4.2. Теоретическая часть
- •4.2.1. Лавинный процесс в р-п переходе
- •4.2.2. Характеристики лфд
- •4.3. Объект исследования
- •4.4. Описание измерительной установки и методов измерения
- •4.5. Порядок выполнения работы
- •4.6. Содержание отчета
- •4.7. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа №5 получение методом молекулярно-лучевой эпитаксии светодиодов и измерение яркостно-токовой характеристики
- •5.1. Задачи лабораторной работы
- •5.2. Теоретическая часть
- •5.2.1. Физические процессы в р-п переходе светодиода
- •5.2.2. Основные параметры и характеристики фотоприемников
- •5.3. Объект исследования
- •5.4. Описание измерительной установки и методов измерения
- •5.5. Порядок выполнения работы
- •5.6. Содержание отчета
- •5.7. Контрольные вопросы
- •Оценка погрешностей результатов измерений
- •Значение коэффициента Стьюдента t для случайной величины X, имеющей распределение Стьюдента с (n-1) степенями свободы
- •Алгоритм обработки результатов косвенных измерений
- •Расчет погрешностей типовых задач
- •Литература
1.2.2. Основные характеристики и параметры лазерных диодов
Излучение лазерного диода характеризуется длиной волны 0, на которой лазерный диод излучает наибольшую мощность, шириной спектра 1/2 излучения на уровне -3 дБ от мощности на максимальной длине волны (Рисунок 1.4). Типичные значения ширины спектра 1/2 излучения для современных лазерных диодов с резонатором Фабри-Перо составляют 0.33 нм, для лазерных диодов с распределенной обратной связью - 0.0010.01 нм.
Рисунок 1.4. Спектральная характеристика лазерного диода
Наиболее важной характеристикой лазерного диода является ватт- амперная характеристика (Рисунок 1.5). При малых токах накачки лазерный диод генерирует слабое спонтанное излучение, работая как малоэффективный светодиод. При превышении определенного тока накачки, называемого пороговым током Ith, излучение лазера становится индуцированным, что приводит к резкому росту мощности излучения. Кривизна ветви ватт-амперной характеристики лазерного диода, расположенной правее порогового тока, определяет эффективность модуляции лазерного излучения током накачки:
= dPopt/dI (1.1)
Типичные значения крутизны ватт-амперной характерстики для современных лазерных диодов лежат в пределах 0.050.3 Вт/А. С ростом температуры пороговый ток увеличивается, а крутизна ватт-амперной характеристики уменьшается. Изменение температуры приводит также к незначительному изменению длины волны излучения. Для уменьшения зависимости характеристик лазерного диода от температуры применяют специальные меры по стабилизации его температуры.
Рис. 1.5. - Ватт-амперные характеристики инжекционного лазера при различных температурах
1.3. Объект исследования
В данной лабораторной работе исследуется волоконно-оптический лазерный модуль, который представляет собой кристалл инжекционного квантоворазмерного InGaAsP/InP лазера с распределенной обратной связью, соединенный с одномодовым оптическим волокном и помещенный в герметичный металлический корпус (). Для стабилизации температуры и мощности излучения инжекционного лазера внутри металлического корпуса устанавливается элемент Пельте с терморезистором и фотодиод обратной связи (Error: Reference source not found). Центральная длина волны излучения волоконно-оптического лазерного модуля равна 1550 нм. Резонатор на основе распределенных брэгговских отражателей обеспечивает одномодовый режим работы лазера с подавлением побочных мод более 40 дБ и шириной спектра излучения менее 0.01 нм. Исследуемый волоконно-оптический лазерный модуль предназначен для волоконно-оптических систем связи и измерительных систем.
1.6. Внешний вид волоконно-оптического лазерного модуля
1.4. Описание лабораторной установки и методов измерения
показывает блок-схему лабораторной установки, в состав которой входят:
стенд для измерения ватт-амперных характеристик полупроводникового лазера при различных температурах;
вольтметр универсальный портативный В7-58/2;
персональный компьютер с COM-портом и операционной системой Win9x/2k/XP/Vista.
1 – порт управления стендом
2 – клемма заземления
3 – разъем питания
4 – входной ВЧ разъем лазерного диода
5 – выходной электрический разъем фотодиода
6 – выходной оптический разъем лазерного диода
7 – входной оптический разъем фотодиода
Рис. 1.7. – Блок-схема лабораторной установки
Лабораторная
установка позволяет измерять мощность
Popt
излучения лазерного модуля в зависимости
от установленного интерфейсной
. (1.1)
В стенде лабораторной установки сопротивление нагрузки RL фотодиода равняется 56.2 Ом, чувствительность S фотодиода на длине волны 1550 нм равняется 1.1 А/Вт, темновой ток Id фотодиода при напряжении смещения -5 В равняется 5 пА.
Лабораторная установка включается в следующем порядке:
1. Заземлить стенд, вольтметр и персональный компьютер.
2. Подсоединить стенд к COM-порту компьютера с помощью ноль модемного кабеля.
3. Подключить блок питания к стенду при нахождении кнопки включения стенда в положении “Выкл.”.
4. Подключить блок питания стенда к электрической сети 220 В, 50-60 Гц.
5. Включить стенд (перевести кнопку включения стенда в положение “Вкл.”). Индикатор на кнопке включения стенда указывает на наличие напряжения питания на стенде.
6. Включить компьютер и запустить интерфейсную программу, управляющую стендом.
7. Выбрать в интерфейсной программе номер COM-порта, к которому подключен стенд, и произвести соединение интерфейсной программы со стендом нажатием кнопки “F9” на клавиатуре компьютера. Интерфейсная программа произведет диагностику работы стенда и при успешном соединении выведет сообщение “Соединение с COMx установлено”, где “х” – номер COM-порта, к которому подключен стенд.
8. Если самодиагностика стенда не выявила ошибок, то включить вольтметр и подключить его к выходному электрическому разъему фотодиода на стенде.
9. Соединить выходной оптический разъем лазерного диода с входным оптическим разъемом фотодиода с помощью одномодового волоконно-оптического кабеля.