
- •Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение Высшего профессионального образования
- •Лабораторный практикум по курсу «Молекулярно-лучевая эпитаксия в технологии наноструктур» для студентов специальности 210601.65 Нанотехнология в электронике
- •Введение
- •1.1. Задачи лабораторной работы
- •1.2. Теоретическая часть
- •1.2.1. Фотоэлектрические процессы в инжекционном полупроводниковом лазере
- •1.2.2. Основные характеристики и параметры лазерных диодов
- •1.3. Объект исследования
- •1.6. Внешний вид волоконно-оптического лазерного модуля
- •1.4. Описание лабораторной установки и методов измерения
- •1.5. Порядок выполнения работы
- •Содержание отчета
- •1.7. Контрольные вопросы
- •2.1. Задачи лабораторной работы
- •2.2. Теоретическая часть
- •2.2.1. Фотоэлектрические процессы в p-I-n фотодиоде
- •2.2.2. Основные параметры и характеристики p-I-n фотодиода
- •2.3. Объект исследования
- •2.4. Описание лабораторной установки и методов измерения
- •2.5. Порядок выполнения работы
- •2.6. Содержание отчета
- •2.7. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа №3 измерение частотной характеристики
- •3.1. Задачи лабораторной работы
- •3.2. Теоретическая часть
- •3.3. Объект исследования
- •3.4. Описание лабораторной установки и методов измерения
- •3.5. Порядок выполнения работы
- •3.6. Содержание отчета
- •3.7. Контрольные вопросы
- •4.1. Задачи лабораторной работы
- •4.2. Теоретическая часть
- •4.2.1. Лавинный процесс в р-п переходе
- •4.2.2. Характеристики лфд
- •4.3. Объект исследования
- •4.4. Описание измерительной установки и методов измерения
- •4.5. Порядок выполнения работы
- •4.6. Содержание отчета
- •4.7. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа №5 получение методом молекулярно-лучевой эпитаксии светодиодов и измерение яркостно-токовой характеристики
- •5.1. Задачи лабораторной работы
- •5.2. Теоретическая часть
- •5.2.1. Физические процессы в р-п переходе светодиода
- •5.2.2. Основные параметры и характеристики фотоприемников
- •5.3. Объект исследования
- •5.4. Описание измерительной установки и методов измерения
- •5.5. Порядок выполнения работы
- •5.6. Содержание отчета
- •5.7. Контрольные вопросы
- •Оценка погрешностей результатов измерений
- •Значение коэффициента Стьюдента t для случайной величины X, имеющей распределение Стьюдента с (n-1) степенями свободы
- •Алгоритм обработки результатов косвенных измерений
- •Расчет погрешностей типовых задач
- •Литература
5.2.2. Основные параметры и характеристики фотоприемников
Так как применение светодиодов во многих областях светотехники увеличивается, требуется точное измерении их параметров. Оптические свойства светодиодов существенно зависят от двух основных параметров: температуры и тока. Так как этими двумя параметрами можно управлять, мы должны гарантировать, чтобы температура окружающей среды, где находится свето- диод, сохранялась постоянной насколько это возможно и чтобы включение светодиода в электрическую цепь обеспечивало его минимальный нагрев. Чип светодиода - идеальный источник излучения. Он является очень маленьким и близким к точечному источнику. Рассмотрим основные определения терминов и понятий, применяемых в фотометрии светодиодов.
Поток излучения Фе - мощность излучения, то есть энергия излучения, переносимая потоком квантов в единицу времени.
Световой поток O - это величина, пропорциональная потоку излучения, оцененному с учетом относительной спектральной световой эффективности монохроматического излучения.
Сила излучения 1е - это отношение поток излучения, распространяющегося от источника в рассматриваемом направлении внутри малого телесного угла, к этому телесному углу.
Сила света 1 - это отношение светового потока, распространяющегося от источника в рассматриваемом направлении внутри малого телесного угла, к этому телесному углу.
Цветовая температура Тс - температура черного тела, при которой его
излучение имеет ту же цветность, что и рассматриваемое излучение.
Параметры оптического излучения, в фотометрии, подразделяют по технике их измерения: фотометрические, радиометрические и спектрорадиомет- рические. Измерения параметров излучателя подразделяются на следующие типы:
полный поток излучения;
угловое распределение интенсивность излучения;
излучение на поверхности объекта;
излучение источника.
Таблица 5.1 - Энергетические и световые параметры оптического излучения
Энергетические параметры |
Определение |
Формула |
Световые параметры |
||
Название и обозначение |
Единица измерения |
Название и обозначение |
Единица измерения |
||
Поток излучения Фе |
Вт |
Скорость переноса энергии излучения |
|
Световой поток Ф |
лм |
Сила излучения Ie |
Вт/ср |
Поток в единице телесного угла |
|
Сила света I |
кд=лм/ср |
Энергетическая светимость (излучательность) Ме |
Вт/м2 |
Поток с единицы площади излучающей поверхности |
|
Светимость M |
лм/м2 |
Энергетическая освещенность (облученность) Ее |
Вт/м2 |
Поток на единицу площади поверхности приемника излучения |
|
Освещенность Е |
лк=лм/м2 |
5.3. Объект исследования
Рисунок 5.2 представляет упрощенную конструкцию светодиода. Свет, излучаемый полупроводниковым кристаллом, попадает в миниатюрную оптическую систему, образованную сферическим рефлектором и самим прозрачным корпусом диода, имеющим форму линзы. Изменяя конфигурацию рефлектора и линзы, добиваются необходимой направленности излучения. Характерная для светодиода диаграмма направленности имеет максимум светового потока вдоль оси излучения, интенсивность которого спадает по мере отклонения от оси. Обычно в характеристиках светодиодов указывают диапазон углов излучения, на краях которого световой поток уменьшается наполовину от максимального значения. Для разных применений используются светодиоды с разной диаграммой направленности, так, например, для светофоров диапазон углов излучения может составлять 1015 градусов, а для уличных экранов применяют, так называемые, «овальные» светодиоды с диапазоном углов излучения в горизонтальной плоскости до 120 градусов и 40 градусов - в вертикальной
Рисунок 5.2. - Поперечное сечение 5 мм светодиода
Рисунок 5.3. - Относительная функция спектральной плотности излучения квантоворазмерного GaAlAs суперяркого красного светодиода
Рисунок 5.4. - Диаграмма направленности излучения квантоворазмерного GaAlAs суперяркого красного светодиода