Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
elektrotekhnika_33_33_33 (1).docx
Скачиваний:
19
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
3 Мб
Скачать
☆
  1. Инвертор на биполярном транзисторе. Анализ в статическом и динамическом режимах.

С помощью элементов, реализующих логические функции И, ИЛИ, НЕ можно создать цифровую схему, осуществляющую сколь угодно сложную логическую операцию. Поэтому такие элементы называют базовыми.

Инвертор реализует функцию НЕ и является простейшим базовым логическим элементом. В качестве инверторов используют ключи на биполярных или полевых транзисторах (Транзисторные ключи являются важнейшими элементами схем импульсной и цифровой электроники. Основная функция транзисторного ключа – бесконтактная коммутация ветвей электронных схем под воздействием внешних сигналов. Состояние ключа «открыт» (замкнут) характеризуется минимальным напряжением, а состояние «закрыт» (разомкнут) – минимально возможным током. Для реализации ключей используют как биполярные, так и полевые транзисторы.)

Свойства инвертора характеризует его передаточная характеристика , представляющая зависимость выходного напряжения от медленно изменяющегося напряжения на входе . Передаточная характеристика инвертора на рис. 13.12 имеет три области. Область I соответствует логической единице на выходе, область III – логическому нулю. Область II является переходной. В этой области инвертор работает как усилитель.

  1. КМОП инвертор. анализ в статическом и динамическом режимах.

В обоих состояниях инвертора один из транзисторов заперт, поэтому

ток в цепи между источником и землей ничтожно мал, и в статическом

режиме схема практически не потребляет мощность от источника питания.

Динамические потери, т. е. мощность, рассеиваемая КМОП-инвертором при

тактовой частоте f , определяются формулой

2 Pd = fCE .

Из последнего равенства следует, что для уменьшения динамических

потерь необходимо уменьшать емкость нагрузки и напряжение питания

схемы. Однако уменьшение напряжения приводит к снижению

быстродействия. Поэтому главным путем повышения быстродействия и

снижения потерь является уменьшение емкостей транзисторов и нагрузки.

2. В обоих статических состояниях выход схемы подключен к общей

шине или источнику питания через небольшие сопротивления каналов

открытых транзисторов. Поэтому выходное напряжение равно нулю или

напряжению питания и почти не зависит от параметров транзисторов.

3. Разность выходных напряжений инвертора в закрытом и открытом

состояниях максимальна (близка к величине напряжения питания Е). Это

обеспечивает высокую помехоустойчивость схемы.

4. КМОП-инверторы обладают значительно большей нагрузочной

способностью, чем инверторы на биполярных транзисторах. Входное

сопротивление МОП-ттранзиистора бесконечно велико. Поэтому к его

выходу можно подключить большое число аналогичных инверторов. При

этом уровень выходного напряжения практически не изменится. Однако

каждый дополнительный инвертор увеличивает емкость нагрузки, что приводит к замедлению переключения инвертора из одного логического

состояния в другое.

КМОП-инвертор является практически идеальным логическим

инвертором. Его быстродействие оказывается значительно выше, чем у

других типов инверторов. Совершенствование технологии производства

КМОП-интегральных схем привело к тому, что в настоящее время они стали

доминирующими при производстве цифровых схем не только высокой, но и

средней степени интеграции.

  1. ТТЛ-логика. Элементы. Особенности выходных каскадов цифровых микросхем

Схема простейшего ТТЛ-элемента, реализующего операцию И-НЕ, показана на рис. 13.14. Основная особенность схем ТТЛ-логики заключается в том, что во входной цепи используется многоэмиттерный транзистор. Он осуществляет операцию И. Эмиттеры расположены таким образом, что прямое взаимодействие между ними исключается. Благодаря этому эмиттерные переходы можно рассматривать как параллельно включенные диоды. Число эмиттеров определяет число входов элемента. Инвертор реализован на транзисторе VT2. Таким образом, схема реализует операцию И-НЕ. Транзисторы VT1 и VT2 представляют собой однотипные n–p–n-транзисторы, поэтому их можно изготовить в едином технологическом цикле. Заметим, что многоэмиттерные транзисторы используются только в интегральных схемах.

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]