МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Федеральное ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ образоваТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ

высшего профессионального образования

“Южный федеральный университет”

Т

ЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ в

г. ТАГАНРОГЕ

Кафедра

Антенн и радиопередающих устройств

Расчет

транзисторных усилителей мощности на ПК

Таганрог 2011

Оглавление

Предисловие……………..…………………….………………...3

Список принятых обозначений…………….…………….…….4

1. Назначение программы…...……..….………………….…...6

2. Описание программы……………….………………..…….11

3. Правила работы с программой……………………….…....13

4. Примеры расчета…………………………………….……..14

Приложения……………………...………………………...…...17

1. Установка программы……...….…………………..……....17

2. Просмотр и редактирование базы транзисторов…………18

3. Основные параметры биполярных транзисторов………...20

Список литературы…………….……….....................………...23

Предисловие

Данная программа создана в среде графического программирования LabVIEW 8.2.1.

LabVIEW или Laboratory Virtual Instrument Engineering Workbench (Среда разработки лабораторных виртуальных приборов) представляет собой среду графического программирования, которая широко используется в промышленности, образовании и научно-исследовательских лабораториях в качестве стандартного инструмента для сбора данных и управления приборами. LabVIEW - мощная и гибкая программная среда, применяемая для проведения измерений и анализа полученных данных. LabVIEW - многоплатформенная среда: вы можете использовать ее на компьютерах с операционными системами Windows, MacOS, Linux, Solaris и HP-UX. Персональные компьютеры являются более гибкими инструментами, чем традиционные измерительные приборы, поэтому создание собственной программы на LabVIEW или виртуального прибора (ВП), является довольно несложным делом, а интуитивно понятный пользовательский интерфейс в среде LabVIEW делает разработку программ и их применение весьма интересным и увлекательным занятием.

Концепция LabVIEW сильно отличается от последовательной природы традиционных языков программирования, предоставляя разработчику легкую в использовании графическую оболочку, которая включает в себя весь набор инструментов, необходимых для сбора данных, их анализа и представления полученных результатов. С помощью графического языка программирования LabVIEW, именуемого G (Джей), вы можете программировать вашу задачу из графической блок-диаграммы, которая компилирует алгоритм в машинный код. Являясь превосходной программной средой для бесчисленных применений в области науки и техники, LabVIEW поможет вам решать задачи различного типа, затрачивая значительно меньше времени и усилий по сравнению с написанием традиционного программного кода.

Список принятых сокращений и обозначений

Eбэ max	- максимальное допустимое напряжение между базой и эмиттером
Екэ max	- максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер транзистора
Ебк max	- максимально допустимое постоянное напряжение база- коллектор транзистора
Еб	- напряжение смещения на базе
Ек	- напряжение на коллекторе
Еотс	- напряжение на коллекторе
Iк1	- амплитуда первой гармоники коллекторного тока
Iк0 max	- максимально допустимый постоянный ток коллектора
Iк max	- максимально допустимый постоянный ток коллектора
Iк0	- постоянная составляющая коллекторного тока
Iэ0	- постоянная составляющая тока эмиттера
Iб0	- постоянная составляющая тока базы
Кр	- коэффициент усиления по мощности
Lб	- индуктивность базы
Lэ	- индуктивность эмиттера
Р0	- мощность, потребляемая от источника питания
Р1	- колебательная мощность
Рвх	- входная мощность
Рк max	- максимальная мощность, рассеиваемая коллектором
Ррас	- мощность рассеивания
rвх	- активная составляющая входного сопротивления
rэ	-сопротивление эмиттера транзистора
rб	- сопротивление базы транзистора
rнас	-сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером транзистора; rнас = 1/Sгр
Rк	- сопротивление коллекторной нагрузки
Rбк	- сопротивление между базой и коллектором
β0(h21эо)	- статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ
Uбэ max	-максимально допустимое напряжение база-эмиттер транзистора
Uк	- амплитуда выходного коллекторного напряжения
Uкэ max	- максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
Ск	- полная емкость коллекторного перехода транзистора
Свх	- входная емкость
Сэ	-суммарная емкость эмиттерного перехода транзистора
Ска	- емкость активной области перехода транзистора
η	- общий КПД
θ	- угол отсечки
fт(fгр)	- граничная частота коэффициента передачи тока
ξ	- коэффициент использования коллекторного напряжения
α 0(θ), α1(θ)	- коэффициент разложения косинусоидального импульса
γ 0(θ), γ1(θ)	- коэффициент разложения косинусоидального импульса
ηе	- электронный КПД
Sгр	- крутизна линии граничного(критического) режима