- •Часть 1
- •Оглавление
- •Предисловие
- •Список принятых сокращений и обозначений
- •Правила выполнения работ Домашняя подготовка
- •Работа в лаборатории
- •Рекомендации при построении графиков
- •Техника безопасности. Правила поведения в лаборатории
- •Зачет по лабораторным работам
- •1. Транзисторные усилители мощности
- •1.1. Теоретическая подготовка к работе
- •Электронный режим транзистора
- •Предельная температура транзистора
- •Основные параметры генераторов с внешним возбуждением:
- •Нагрузочные характеристики генераторов с внешним возбуждением
- •Настроечные характеристики генераторов с внешним возбуждением
- •Влияние угла отсечки на параметры генератора с внешним возбуждением
- •Рабочие характеристики усилителя мощности
- •Двухконтурные усилители мощности
- •Примеры расчета транзисторных усилителей мощности
- •1.2. Описание лабораторного стенда рпу–1
- •Индивидуальное задание
- •Содержание отчета
- •Контрольные вопросы
- •Содержание отчета
- •Контрольные вопросы
- •1.3. Описание лабораторного стенда ру-1
- •Содержание отчета
- •Контрольные вопросы
- •Содержание отчета
- •Контрольные вопросы
- •2. Амплитудная модуляция
- •2.1. Теоретическая подготовка к работе
- •Базовая модуляция
- •Коллекторная модуляция
- •Комбинированная модуляция
- •2.2. Описание лабораторного стенда рпу-1
- •Содержание отчета
- •Контрольные вопросы
- •2.3. Описание лабораторного стендаУфс-07
- •Индивидуальное задание
- •Содержание отчета
- •Контрольные вопросы
- •Индивидуальное задание
- •Содержание отчета
- •Контрольные вопросы
- •3. Автогенераторы
- •3.1. Теоретическая подготовка к работе
- •Условия работы автогенератора
- •Диаграммы срыва
- •Управление частотой автогенератора
- •Кварцевые автогенераторы
- •Нестабильность частоты автогенераторов
- •3.2. Описание лабораторного стенда уфс–03
- •Индивидуальное задание
- •Содержание отчета
- •Контрольные вопросы
- •1. Включить для прогрева лабораторный стенд и осциллограф.
- •Свойства автогенератора с кр между базой и эмиттером транзистора
- •Свойство автогенератора с кр в цепи обратной связи (переключатель тип схемы в положении 3)
- •7. Исследовать зависимость частоты генерации и режима работы автогенератора от резонансной частоты колебательной системы.
- •Индивидуальное задание
- •Содержание отчета
- •Контрольные вопросы
- •1. Включить для прогрева лабораторный стенд и осциллограф.
- •7. Исследовать зависимость частоты генерации от температуры кр.
- •Содержание отчета
- •Контрольные вопросы
- •4. Частотная модуляция
- •4.1. Теоретическая подготовка к работе
- •Параметры варикапов
- •Модуляторы на варикапах
- •4.2. Описание лабораторного стенда рпу-1
- •Лабораторное задание
- •Содержание отчета по работе
- •Контрольные вопросы
- •5. Математическая обработка экспериментальных данных
- •5.1. Необходимая точность измерений и расчетов
- •5.2. Классификация погрешностей измерений
- •5.3. Правила приближенных вычислений и оценка ошибок округления при вычислениях
- •5.4. Оценка погрешностей результатов измерений
- •5.5. Программа оценки истинного значения измеряемой величины
- •5.6. Оценка стабильности частоты автогенераторов
- •5.7. Программа вычисления относительной нестабильности частоты колебаний
- •5.8. Вычисление нестабильности частоты и построение графиков с использованием программы Mathcad
- •Приложения
- •1. Таблица коэффициентов разложения для косинусоидального импульса
- •2. Графики коэффициентов разложения для косинусоидального импульса
- •3. Параметры биполярных транзисторов
- •4. Параметры варикапов и варикапных сборок
- •Аннотированный указатель литературы по математической обработке данных Основная
- •Дополнительная
- •Библиографический список Основной
- •Дополнительный
Нестабильность частоты автогенераторов
Основными факторами, вызывающими изменение частоты генерируемых в АГ колебаний являются механические воздействия, изменение температуры деталей АГ, непостоянство напряжений источников питания, изменение нагрузки генератора, изменение влажности и давления окружающей среды, внешние электромагнитные поля.
Изменение температуры деталей генератора может происходить либо за счет изменения температуры окружающей среды, либо за счет разогрева транзистора и элементов колебательной системы. С ростом температуры деталей увеличиваются их геометрические размеры и диэлектрическая проницаемость используемых изоляционных материалов. Поэтому рост температуры сопровождается увеличением индуктивностей катушек и соединительных проводников, емкостей конденсаторов КС и паразитных емкостей, что вызывает уменьшение частоты генерации.
Изменение температуры транзистора и колебательной системы АГ приводит к изменению одного или нескольких фазовых углов, входящих в уравнение баланса фаз (3.1), что сопровождается изменением частоты генерируемых колебаний.
При
увеличении температуры биполярного
транзистора (БТ) его статические
характеристики сдвигаются влево, что
приводит к уменьшению напряжения
запирания, росту коллекторного и базового
токов и некоторому уменьшению крутизны
характеристик. Эти явления сопровождаются
изменением фазового угла
средней крутизны, обусловленным как
ростом коллекторного тока и соответствующим
увеличениям постоянной времени входной
цепи, так и изменениям гармонического
состава базового напряжения. Кроме
того, с ростом тока базы увеличивается
входная проводимость БТ, что приводит
к соответствующему изменению фазового
угла коэффициента обратной связи
.
Простейшей мерой, обеспечивающей температурную стабилизацию режима работы транзистора, является включение цепочки автоматического смещения RЭ, СЭ в эмиттерную цепь транзистора (рис. 3.2 и 3.8). Эта цепь создает отрицательную обратную связь (ООС) по току. Благодаря ООС понижается влияние на БТ и другие дестабилизирующие факторы (изменения параметров схемы и питающих напряжений). Например, при сопротивлении RЭ=5 кОм и увеличении напряжения смещения на базе ЕСМ на 5В постоянная составляющая коллекторного тока IKo возрастает лишь на ∆IKo= ЕСМ/RЭ=1мА. Также будет ослаблено влияние на режим работы транзистора изменения напряжения коллектора ЕК в перенапряженном (при очень малых напряжениях ЕК) и, тем более, в недонапряженном режимах работы транзистора. В недонапряженном режиме работы ток IКО практически не зависит от величины ЕК, поскольку кривые коллекторного тока на выходных характеристиках транзистора параллельны оси абсцисс (проницаемость D транзисторов обычно принимают равной нулю).
При изменении температуры колебательной системы АГ ее резонансная частота f изменяется на величину
,
где ∆T и ∆f - изменение температуры и частоты;
ТКЧ – температурный коэффициент частоты.
Соответственно изменению резонансной частоты изменяется и частота генерации.
ТКЧLC-контуров равен:
ТКЧ = −0,5(ТКЕ+ТКИ),
где ТКЕ = ∆С/(С∆Т) и ТКИ = ∆L/(L∆T) – температурные коэффициенты емкости и индуктивности.
Обычно ТКЕ<<ТКИ≈200∙10-6, так что для LC-контуров ТКЧ≈1∙10-4 1/град. КР имеют гораздо меньший ТКЧ. При удачном выборе среза (т.е. углов относительно осей кристалла) их ТКЧ может составлять 10-6 1/град и менее в довольно широком интервале температур.
Воздействие внешних дестабилизирующих факторов и внутренних шумов приводит к тому, что колебания на выходе АГ не являются монохроматическими и могут быть представлены в виде узкополосного сигнала, амплитуда и фаза которого медленно изменяются во времени.
В
качестве количественной характеристики
неста-бильности частоты во многих
случаях удобно использовать дисперсию
усредненного уклонения частоты
,
зависящую как от времени наблюдения,
так и от времени усреднения.
Понятия
кратковременной и долговременной
неста-бильностей носят качественный
характер и не позволяют ввести
количественные характеристики. Чтобы
устранить этот недостаток, установлены
стандартные интервалы усреднения
и наблюдения
.
Для оценки кратковременной нестабильности
обычно
выбирают равным 0,001; 0,01; 0,1 с при
=100
с, а для долговременной нестабильности
=1
сутки при
равном 1 месяцу, 6 месяцам, 1 году.
При практических измерениях абсолютное значение кратковременной нестабильности частоты определяется с помощью соотношения
,
где
;
- число измерений усредненной частоты;
- момент начала
-го
измерения;
- время наблюдения, равное интервалу
времени между началом первого и последнего
измерений.
Отсутствие случайных погрешностей при измерениях свидетельствует о недостаточной чувствительности метода измерений (низкой точности измерительного прибора в данном режиме работы). Также измерения являются недостоверными и потому их следует отбросить.
При измерениях частоты необходимо обеспечить высокую стабильность условий эксперимента (обеспечить постоянство температуры и питающих напряжений, исключить влияние помех, вибраций и других факторов). При высокой стабильности условий эксперимента средние значения частоты во всех сериях измерений будут практически одинаковыми.
