Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Практикум_11.doc
Скачиваний:
1
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
6.55 Mб
Скачать

Коллекторная модуляция

В передатчиках средней мощности широко используется коллекторная модуляция, что объясняется ее высокой эффективностью по сравнению с базовой. При коллекторной модуляции последовательно в цепь источника постоянного напряжения Ек подается модулирующее напряжение Uмод. При однотональном модулирующем сигнале суммарное напряжение на коллекторе равно

uккн+UcosΩt+Uкcosω0t=Екн[1+(Uкн)cosΩt]+Uкcosω0t=

к(1+mcosΩt)+Uкcosω0t.

Временные диаграммы при коллекторной модуляции показаны на рис.2.7.

Глубокая коллекторная модуляция (m =1) осуществляется в перенапряженном режиме, а граничный (или слегка перенапряженный) устанавливается в максимальной точке СМХ. Электронный КПД при коллекторной модуляции равен

ηе=P1/P0=0,5(Iк1/Iк0)Iк1Rэк/Eк=0,5ξg1(θ)=const,

т.е. электронный КПД в различных режимах АМ одинаков. Обычно ηесренеmax=0,75…0,8. Именно поэтому коллекторная модуляция используется в выходных каскада радиопередающих устройств, определяющих их полный КПД.

В коллекторном токе ВЧ-генератора содержится постоянная составляющая Iк0н и переменная модулирующей частоты Iк.мод=mIк0н. Средняя мощность, потребляемая коллекторной цепью генератора за период модулирующей частоты, равна

Р0сркнIк0н+0,5m2ЕкнIк0н(1+0,5m2).

Рис.2.7. Временные диаграммы при коллекторной модуляции

Следовательно, мощность, отдаваемая ВЧ-генератору источником постоянного напряжения, равна Р, а мощность, отдаваемая модулятором, равна

Р1мод=0,5m2Р.

При m=1 эти мощности соответственно равны

Р0ср=1,5Р; Р1мод= Р1макс=0,5 Р.

Эквивалентное сопротивление нагрузки модулятора равно

Rмод=Uк.мод/Iк.мод=mEкн/mIк0н=const.

Как видим, сопротивление Rмод не зависит от глубины модуляции, что обуславливает малые нелинейные искажения. При модуляции возрастают средняя мощность АМ-колебаний Р1ср(1+0,5m2), подводимая мощность и мощность, рассеиваемая на аноде. Так как КПД остается постоянным, средняя мощность, рассеиваемая коллектором, равна Рк.ср0.ср–Р1срРкн(1+0,5m2). Следовательно, при коллекторной модуляции средний режим определяет тепловой режим коллектора. В максимальном режиме при m=1 коллекторное напряжение нужно выбирать из условия Ек.макскн(1+m)<Едоп, где Едоп – максимально допустимое напряжение источника коллекторного питания. Вследствие этого в максимальном режиме транзистор при коллекторной модуляции отдает практически такую же мощность, как и при базовой.

Однако в чистом виде коллекторная модуляция каскадов практически не используется из-за возрастания напряженности режима вблизи Eк =0, резкого возрастания базовых токов и нелинейности СМХ. Недостатком коллекторной модуляции также является большая мощность модулятора.

Комбинированная модуляция

Комбинированная модуляция осуществляется изменением коллекторного напряжения сразу в двух или трех оконечных каскадах передатчика. При этом в выходном каскаде одновременно происходят коллекторная модуляция и модуляция возбуждения (усиление АМ-колебаний). Если модулируется два каскада, то коллекторные напряжения в выходном и предвыходном каскадах выбираются такими, чтобы во всех точках статической модуляционной характеристике режим по напряженности был близок к граничному (критическому). Этого можно добиться, если при максимальном напряжении на коллекторе настроить усилитель на граничный режим, а в режиме молчания амплитуду возбуждения подобрать так, чтобы Iк1мол=Iк1мах / (1+m), т.е. точки Iк1к) в режимах максимальном и молчания точно соответствовали линейной модуляционной характеристике.

В транзисторных радиопередатчиках обычно используются комбинированные виды модуляции: комбинированная коллекторно-базовая за счет автосмещения в базовой цепи; тройная коллекторная модуляция с принудительной коллекторной модуляцией оконечного и предоконечного каскадов и автоматической в базе оконечного; а также автоматическая коллекторная модуляция, аналогичная автоанодной модуляции. Угол отсечки коллекторного тока в максимальном режиме выбирают в пределах 80°<θ<90°.