
- •Часть 1
- •Оглавление
- •Предисловие
- •Список принятых сокращений и обозначений
- •Правила выполнения работ Домашняя подготовка
- •Работа в лаборатории
- •Рекомендации при построении графиков
- •Техника безопасности. Правила поведения в лаборатории
- •Зачет по лабораторным работам
- •1. Транзисторные усилители мощности
- •1.1. Теоретическая подготовка к работе
- •Электронный режим транзистора
- •Предельная температура транзистора
- •Основные параметры генераторов с внешним возбуждением:
- •Нагрузочные характеристики генераторов с внешним возбуждением
- •Настроечные характеристики генераторов с внешним возбуждением
- •Влияние угла отсечки на параметры генератора с внешним возбуждением
- •Рабочие характеристики усилителя мощности
- •Двухконтурные усилители мощности
- •Примеры расчета транзисторных усилителей мощности
- •1.2. Описание лабораторного стенда рпу–1
- •Индивидуальное задание
- •Содержание отчета
- •Контрольные вопросы
- •Содержание отчета
- •Контрольные вопросы
- •1.3. Описание лабораторного стенда ру-1
- •Содержание отчета
- •Контрольные вопросы
- •Содержание отчета
- •Контрольные вопросы
- •2. Амплитудная модуляция
- •2.1. Теоретическая подготовка к работе
- •Базовая модуляция
- •Коллекторная модуляция
- •Комбинированная модуляция
- •2.2. Описание лабораторного стенда рпу-1
- •Содержание отчета
- •Контрольные вопросы
- •2.3. Описание лабораторного стендаУфс-07
- •Индивидуальное задание
- •Содержание отчета
- •Контрольные вопросы
- •Индивидуальное задание
- •Содержание отчета
- •Контрольные вопросы
- •3. Автогенераторы
- •3.1. Теоретическая подготовка к работе
- •Условия работы автогенератора
- •Диаграммы срыва
- •Управление частотой автогенератора
- •Кварцевые автогенераторы
- •Нестабильность частоты автогенераторов
- •3.2. Описание лабораторного стенда уфс–03
- •Индивидуальное задание
- •Содержание отчета
- •Контрольные вопросы
- •1. Включить для прогрева лабораторный стенд и осциллограф.
- •Свойства автогенератора с кр между базой и эмиттером транзистора
- •Свойство автогенератора с кр в цепи обратной связи (переключатель тип схемы в положении 3)
- •7. Исследовать зависимость частоты генерации и режима работы автогенератора от резонансной частоты колебательной системы.
- •Индивидуальное задание
- •Содержание отчета
- •Контрольные вопросы
- •1. Включить для прогрева лабораторный стенд и осциллограф.
- •7. Исследовать зависимость частоты генерации от температуры кр.
- •Содержание отчета
- •Контрольные вопросы
- •4. Частотная модуляция
- •4.1. Теоретическая подготовка к работе
- •Параметры варикапов
- •Модуляторы на варикапах
- •4.2. Описание лабораторного стенда рпу-1
- •Лабораторное задание
- •Содержание отчета по работе
- •Контрольные вопросы
- •5. Математическая обработка экспериментальных данных
- •5.1. Необходимая точность измерений и расчетов
- •5.2. Классификация погрешностей измерений
- •5.3. Правила приближенных вычислений и оценка ошибок округления при вычислениях
- •5.4. Оценка погрешностей результатов измерений
- •5.5. Программа оценки истинного значения измеряемой величины
- •5.6. Оценка стабильности частоты автогенераторов
- •5.7. Программа вычисления относительной нестабильности частоты колебаний
- •5.8. Вычисление нестабильности частоты и построение графиков с использованием программы Mathcad
- •Приложения
- •1. Таблица коэффициентов разложения для косинусоидального импульса
- •2. Графики коэффициентов разложения для косинусоидального импульса
- •3. Параметры биполярных транзисторов
- •4. Параметры варикапов и варикапных сборок
- •Аннотированный указатель литературы по математической обработке данных Основная
- •Дополнительная
- •Библиографический список Основной
- •Дополнительный
Содержание отчета
Отчет о работе должен содержать:
1. Схему установки.
2. Экспериментальные и идеализированные рабочие (статические модуляционные) характеристики.
3. Выводы по полученным результатам.
Контрольные вопросы
Основные
1. Изобразить и объяснить графики Р0, Р1, Рк, , g1, э(Еб).
2. Изобразить и объяснить зависимости Р0, Р1, Рк, , э, g1(Ек).
3. Изобразить и объяснить характеристики Iк1(Uб) для трех значений Еб (Еб = Еб ; Еб Еб ; Еб Еб ).
4. Изобразить и объяснить статические модуляционные (рабочие) характеристики Ik1, Ik0, Iб0, Uk(Ek) при коллекторной и комбинированной модуляции.
5. Объяснить процесс настройки усилителя по приборам при коллекторной и комбинированной модуляции.
6. Объяснить методы снятия рабочих (статических модуляционных) характеристик, применяемых в данной работе.
7. Используя статическую ВАХ транзистора построить рабочие (статические модуляционные) характеристики Iк1(Eб) и Iк1(Eн). Указать на построенных характеристиках рабочие области при неискаженной модуляции и рабочие точки в режиме несущей.
Дополнительные
8. Изобразить и объяснить графики Iк0, Iб0, Uк(Еб) при двух значениях Rк.
9. Изобразить и объяснить характеристики Iк0, Uк(Ек) при двух значениях Rк.
10. Изобразить и объяснить характеристики Iк1, Uк(Ек) при двух значениях Еб.
11. Объяснить полученные экспериментальные результаты.
12. Начертить принципиальную схему транзисторного усилителя мощности (схема ОЭ) с П-образными цепями согласования на входе и выходе, источниками питания и блокировочными элементами.
13. В схеме, составленной согласно предыдущему вопросу, показать включение приборов для измерения постоянных составляющих коллекторного и базового токов, амплитуд напряжений на базе, коллекторе, нагрузке, а также постоянных напряжений питания цепей коллектора и базы.
14. Изобразить входную цепь транзисторного усилителя мощности по схеме с общим эмиттером, работающего с нулевым смещением. Почему транзисторные усилители мощности часто используются в режиме нулевого смещения?
15. Объяснить назначение цепей согласования усилителя мощности. Чем отличаются требования, предъявляемые к межкаскадным цепям согласования и к цепи согласования с фидером (антенной)?
1.3. Описание лабораторного стенда ру-1
Лабораторный стенд предназначен для исследования резонансного усилителя мощности на биполярном транзисторе КТ602.
Лицевая панель лабораторного стенда, включающая его упрощенную схему и необходимые вспомогательные элементы, представлена на рис.1.9. На этой схеме приняты следующие обозначения:
Ск1, Ск2 – блокировочные емкости;
Rк1, Rк2 – сопротивления нагрузки одноконтурного и двухконтурного генераторов;
Ссв1 – эквивалентная емкость одноконтурного генератора;
Ссв2 – эквивалентная емкость двухконтурного генератора.
Любая из исследуемых схем транзисторного усилителя мощности может быть построена подключением к выводам транзистора соответствующих пассивных элементов с помощью переключателей S1...S5. Лабораторный стенд помимо исследуемого устройства включает в себя генератор сигнала возбуждения и мультиметр, позволяющий измерять токи и напряжения в контрольных точках каждого из исследуемых усилителей. При измерении переменных токов и напряжений выводятся их действующие значения.
Подключение мультиметра к необходимой контрольной точке осуществляется с помощью кнопок, расположенных под жидкокристаллическим дисплеем, отображающим измеряемую величину и ее значение. Средняя кнопка предназначена для выделения информации, относящейся к выполняемому пункту лабораторной работы. Левая и правая кнопки позволяют “перелистывать” страницы дисплея назад и вперед в пределах этого пункта.
Рис.1.9. Лицевая панель стенда РУ – 1
Генератор сигнала возбуждения формирует синусоидальное напряжение. Частота сигнала может дискретно изменяться с шагом 1кГц в диапазоне 180...220кГц помощью соответствующих кнопок, расположенных на лицевой панели лабораторного стенда. Амплитуда сигнала плавно регулируется с помощью соответствующего аттенюатора. Регулировка базового смещения осуществляется потенциометром Еб.
Управление переключателями S1...S5 осуществляется с помощью кнопок управления, расположенных в нижней части лицевой панели стенда, путем однократного нажатия на кнопку и удержания ее в течение 0,5 сек. Текущее положение любого переключателя индицируется зажиганием соответствующего светодиода.
В лабораторном стенде предусмотрена возможность подключения двухлучевого осциллографа с помощью соответствующих разъемов, выведенных на заднюю панель стенда. При этом кнопками управления каждый канал осциллографа может независимо подключаться к любой контрольной точке.
Работа №3. Исследование одноконтурного усилителя мощности
Ц ель работы
1. Изучение принципов построения и работы УМ.
2. Определение влияния угла отсечки коллекторного тока на параметры УМ.
3. Снятие нагрузочной и настроечной характеристик УМ.
4. Наблюдение осциллограмм динамических характеристик транзистора в усилителе мощности.
Домашнее задание
1. Изучить руководство к лабораторной работе.
2. Записать цель работы.
3. Начертить принципиальную схему одноконтурного генератора.
4. Сделать заготовку таблиц.
5. Ознакомиться с порядком выполнения лабораторного задания, продумать, какие результаты должны получиться и качественно изобразить ход предполагаемых зависимостей.
6. Подготовить ответы на основные контрольные вопросы.
Лабораторное задание
1. Ознакомиться с расположением органов управления стендом и поставить потенциометры, регулирующие уровни напряжений смещения и возбуждения в крайнее левое положение.
Включить для прогрева лабораторный стенд и осциллограф. На экране жидкокристаллического дисплея (ЖКД) в правой верхней части лицевой панели должна появиться надпись, указывающая на работоспособность встроенного мультиметра, а на светодиодном индикаторе установки частоты генератора сигнала возбуждения высветится текущее значение частоты.
Перед началом работы, нажимая кнопки клавиатуры мультиметра, следует изучить последовательность вывода информации на экран ЖКД.
2. Исследовать влияние угла отсечки коллекторного тока транзистора при постоянной амплитуде импульса коллекторного тока на основные энергетические характеристики усилителя. Для этого установить переключатели S1 и S2 в положение 1 (рис.1.9), подстроив одноконтурный усилитель мощности (рис.1.10).
Рис.1.10. Принципиальная схема одноконтурного УМ
Установить напряжение смещения Eб = 0,65 В, (что соответствует углу отсечки θ = 90º), а частоту сигнала f, равной резонансной частоте выходного контура.
Увеличением напряжения возбуждения установить граничный режим работы усилителя. При этом ток контура Iконт достигнет своего максимального значения, а формы импульсов коллекторного и эммитерного токов станут симметричными с уплощенной вершиной и углом отсечки 90º. В этом режиме с помощью осциллографа нужно определить и записать величину амплитуды импульса коллекторного тока.
Изменяя напряжение
смещения Eб
от 0,35 В до 0,85 В при постоянной амплитуде
импульса коллекторного тока (обеспечивается
соответствующим изменением напряжения
возбуждения Uб),
снять
зависимости Uб,
Iк0,
Iконт
и угла отсечки θ
от напряжения смещения
Eб.
Угол отсечки удобнее всего определять
по осциллограмме импульсов коллекторного
тока, но можно и с помощью соотношения
cosθ
= (Eб0-Еб)/(
Uб),
где Eб0
= 0,65 В –
напряжение запирания кремниевого
транзистора. Результаты измерений
свести в таблицу. Количество точек
измерений
должно быть достаточным для построения
графиков. Ниже показан возможный образец
таблицы.
Таблица 1.4
Зависимость параметров генератора от угла отсечки при Iкm = const
Eб, В |
|
|
|
|
|
|
θ,град |
|
|
|
|
|
|
Uб, В |
|
|
|
|
|
|
Iк0, мА |
|
|
|
|
|
|
Iконт,мА |
|
|
|
|
|
|
P0, Вт |
|
|
|
|
|
|
P1, Вт |
|
|
|
|
|
|
Рк, Вт |
|
|
|
|
|
|
η |
|
|
|
|
|
|
По результатам измерений рассчитать параметры усилителя:
мощность Р0 = Iк0Eк, потребляемую от источника коллекторного питания, где Eк =12 В – напряжение источника коллекторного питания;
колебательную
мощность
Р1.
При высоком контурном КПД (ηк
1),
пренебрегая потерями в контуре, можно
принять η
ηе
ηк
ηе
и
Р1=
Рн
,так что
Р1=
Рн
= Iконт2Rк1,
где Rк1=20
Ом – сопротивление нагрузки контура;
Рн
– мощность
в нагрузке;
мощность Рк=Р0-Р1, рассеиваемую на коллекторе транзистора;
КПД усилителя η = Р1/ Р0.
Результаты расчетов свести в таблицу.
По данным табл. 1.4 построить (лучше на одном рисунке) графики Iк0, Iконт, Р0, Р1, Рк , η(θ).
3. Снять нагрузочные характеристики усилителя мощности, т.е. зависимости Uк, Iк0, Iконт, P0, P1, Pк, η, от величины резонансного сопротивления выходного контура относительно точек подключения транзистора Rэк. Схема выходного контура приведена на рис.1.11, где обозначено:
,
и
— индуктивность и емкости контура;
Rк1 — сопротивление нагрузки, включенное в индуктивную ветвь контура;
r — сопротивление потерь контура;
U и Uк — амплитуды напряжения на контуре и в точках подключения транзистора.
Рис.1.11. Схема выходного контура
Резонансное сопротивление контура на рис.1.11 относительно точек подключения транзистора равно
.
При высокой добротности ненагруженного контура (Q0 >> Q) справедливо неравенство r << Rн и можно использовать равенства:
,
где
— коэффициент включения контура;
— характеристическое
сопротивление контура;
— резонансная
частота контура.
Для снятия указанных зависимостей установить значение напряжения смещения Еб = 0,65 В, а переключатель S2 поставить в положение 1.
При настройке контура в резонанс изменением амплитуды напряжения возбуждения установить граничный режим работы УМ. С помощью осциллографа контролировать форму импульса коллекторного тока. В граничном режиме вершина импульса получается уплощенная или с небольшим провалом.
Изменяя с помощью переключателя S1 коэффициент связи АЭ с контуром при постоянном напряжении смещения и возбуждения снять зависимости Uк, Iк0, Iконт от положения переключателя S1. Полученные данные свести в табл. 1.5.
Таблица 1.5
Нагрузочные характеристики ГВВ
S1 |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
Ссв1, нФ |
10 |
6,7 |
5 |
3,3 |
2,5 |
Uк, В |
|
|
|
|
|
Iк0, мА |
|
|
|
|
|
Iконт, мА |
|
|
|
|
|
Rэк, Ом |
|
|
|
|
|
P0, Вт |
|
|
|
|
|
P1, Вт |
|
|
|
|
|
Pк, Вт |
|
|
|
|
|
η |
|
|
|
|
|
Для каждого положения переключателя рассчитать величину сопротивления коллекторной цепи Rэк и параметры P0, P1, Pк, η. Результаты расчета занести в табл. 1.5. По данным табл. 1.5 построить графики Uк, Iк0, Iконт, P0, P1, Pк , η(Rэк).
4. Снять настроечные характеристики усилителя, т.е. зависимости Uк, Iк0, Iконт, P0, P1, Pк и η от частоты входного сигнала.
Эксперимент провести для двух значений коэффициента связи с контуром, соответствующих граничному (S1-3) и слегка перенапряженному (S1-4) режимам работы УМ при постоянных значениях напряжений смещения (Eб=0,65 В) и возбуждения.
Граничный и перенапряженный режимы нужно устанавливать при настройке контур в резонанс, контролируя по осциллографу форму импульсов коллекторного тока. При снятии характеристик частоту входного сигнала f нужно изменять в широких пределах.
Зарисовать формы импульсов коллекторного тока при настройке входного контура ГВВ в резонанс и при расстройке.
Экспериментальные Uк, Iк0, Iконт(f) и расчетные P0, P1, Pк, η(f) зависимости свести в табл. 1.6 и 1.7. Количество точек измерений должно быть достаточным для построения графиков.
По данным табл. 1.6 и 1.7 построить графики Uк, Iк0, Iконт, P0, P1, Pк, η(f). Отметить на графиках области недонапряженного и перенапряженного режимов работы усилителя.
Таблица 1.6
Настроечные характеристики ГВВ в граничном режиме (S1-3)
f, кГц |
|
|
|
|
|
|
|
|
Uк, В |
|
|
|
|
|
|
|
|
Iк0, мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
Iконт, мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
P0, Вт |
|
|
|
|
|
|
|
|
P1, Вт |
|
|
|
|
|
|
|
|
Pк, Вт |
|
|
|
|
|
|
|
|
η, % |
|
|
|
|
|
|
|
|
Таблица 1.7
Настроечные характеристики ГВВ в перенапряженном режиме(S1-4)
f, кГц |
|
|
|
|
|
|
|
|
Uк, В |
|
|
|
|
|
|
|
|
Iк0, мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
Iконт, мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
P0, Вт |
|
|
|
|
|
|
|
|
P1, Вт |
|
|
|
|
|
|
|
|
Pк, Вт |
|
|
|
|
|
|
|
|
η, % |
|
|
|
|
|
|
|
|
5. Индивидуальное задание
Выполняя пп.3 и 4 работы для случаев недонапряженного, граничного и перенапряженного режимов работы транзистора, с помощью осциллографа наблюдать и зарисовать динамические характеристики коллекторного тока. Для этого на вход канала Y осциллографа нужно подать сигнал, пропорциональный току коллектора, а на вход X — пропорциональный напряжению на коллекторе.