
- •Двухполюсные элементы электрической цепи.
- •Резистивный элемент. Вольт-амперные характеристики резистивных элементов.
- •Независимые источники напряжения и тока.
- •Управляемые(зависимые) источники.
- •Идеальные операционные усилители. Модели оу в линейном и нелинейном режимах. Примеры расчёта типовых схем на интегральных оу.
- •Характеристики эквивалентного двухполюсника. Передача энергии от эквивалентного двухполюсника нагрузке. Режим согласованной нагрузки.
- •Теорема об эквивалентном двухполюснике(Теорема Тевенина и Нортона). Метод эквивалентного генератора. Примеры расчёта (мост Уитстона)
- •Причины возникновения переходных процессов. Законы коммутации. Независимые начальные условия.
- •Переходные процессы в rc-цепях первого порядка. Постоянная времени. Реакция при нулевом входе и нулевом начальном состоянии. Порядок расчёта.
- •Переходные процессы в rl-цепях первого порядка. Постоянная времени. Порядок расчёта.
- •Интегрирующие и дифференциальные цепи.
- •Единичная ступенчатая и единичная импульсная функции. Переходная и импульсная характеристика цепи. Связь между переходной и импульсной характеристикой.
- •12. Двухполюсные элементы в электрической цепи в установившемся синусоидальном режиме.
- •Метод комплексных амплитуд. Комплексное сопротивление и проводимость. Закон Ома для комплексных амплитуд.
- •Мощности в цепи синусоидального тока. Активная, реактивная, полная и комплексная мощности. Коэффициент мощности.
- •Резонанс в электрических цепях. Резонанс напряжений. Частотные характеристики последовательного и резонансного токов.
- •Резонанс токов. Параллельный колебательный контур.
- •Комплексные передаточные функции (комплексные частотные характеристики). Амплитудно частотные и фазо-частотные х-ки. Логарифмические х-ки.
- •Трехфазные цепи. Технико-экономические преимущества трехфазных цепей. Способы соединения генератора и нагрузки в трехфазной цепи.
- •Цепи периодического несинусоидального тока. Ряд Фурье в комплексной форме. Комплексный частотный спектр.
- •Полупроводниковые диоды. Принцип действия. Характеристики.
- •Специальные типы диодов.
- •Применение диодов. Источники вторичного электрического питания.
- •Двухполупериодные выпрямители. Сглаживающие фильтры.
Цепи периодического несинусоидального тока. Ряд Фурье в комплексной форме. Комплексный частотный спектр.
Анализ линейных цепей при воздействии периодических сигналов несинусоидальной формы заключается в многократном расчете цепи при воздействии каждой гармоники в отдельности.
Представим функции
и
известными равенствами:
.
Подставив последние равенства в соотношение , получим
.
.
комплексные коэффициенты гармоник
.
Из последней формулы следует, что
амплитуды гармоник изменяются по закону
.
Учитывая, что
,
получим
.
Узлы огибающей амплитудного спектра
соответствуют тем номерам гармоник,
которые обращают функцию
в нуль.
Узлы огибающей расположены на частотах,
соответствующих гармоникам с порядковыми
номерами
.
Аргументы равны нулю в тех интервалах,
где синус положителен, либо равны
в интервалах, где синус отрицателен.
Число гармоник в интервале равно
.
С увеличением периода линии спектра
располагаются гуще. При этом их амплитуды
уменьшаются.
Полупроводниковые диоды. Принцип действия. Характеристики.
Полупроводниковый диод – двухполюсный прибор, имеющий один p–n-переход. По функциональному назначению диоды делят на две группы: выпрямительные и специальные. Выпрямительные диоды предназначены для выпрямления переменного тока. В специальных типах полупроводниковых диодов используют различные свойства p–n-перехода: явление пробоя, барьерную емкость перехода и т. д.
Как правило, полупроводниковые диоды выполняют на основе несимметричных p–n-переходов. В этом случае в одной из областей концентрация примеси, определяющей вид проводимости. Область с высокой концентрацией примеси называют эмиттером. Функции эмиттера может выполнять как катод, так и анод. Область с низкой концентрацией примесей называют базой. База имеет значительно большее объемное сопротивление, чем эмиттер.
Прямая ветвь ВАХ диода отличается от
идеальной из-за рекомбинации электронов
и дырок в p–n-переходе,
падения напряжения на базе. Уравнение
ВАХ p–n-перехода
с учетом падения напряжения на базе
имеет вид
.
1. Максимально допустимое обратное
напряжение диода
– значение обратного напряжения, которое
диод может выдержать в течение длительного
времени без нарушения работоспособности.
2. Средний выпрямленный ток диода
– среднее за период значение выпрямленного
тока.
3. Средний обратный ток диода
– среднее за период значение обратного
тока.
4. Средняя рассеиваемая мощность диода
– средняя за период мощность, рассеиваемая
диодом.
5. Дифференциальное сопротивление диода
– отношение приращения напряжения к
малому приращению тока.
Специальные типы диодов.
Стабилитрон – полупроводниковый диод, работающий в режиме управляемого лавинного пробоя. В зависимости от удельного сопротивления базы в стабилитроне может иметь место и туннельный, и лавинный, и смешанный пробой.
Стабилитроны изготавливают из кремния, обеспечивающего необходимую форму вольт-амперной характеристики. Германиевые диоды для стабилизации напряжения непригодны, так как электрический пробой у них легко переходит в тепловой.
Диоды с барьером Шоттки (диоды Шоттки) названы по имени немецкого ученого В. Шоттки. В диодах этого типа используется переход металл – полупроводник. Этот переход ведет себя как диод; проводит электрический ток в одном направлении и действует как разомкнутая цепь в другом направлении. ток образуется только электронами, движущимися из кремния в металл. По этой причине у диодов Шоттки отсутствует накопление зарядов в базе и время переключения значительно меньше. Другая важная особенность барьера Шоттки – меньшее прямое напряжение, чем прямое напряжение кремниевого p–n-перехода.
Фотодиод – элемент, преобразующий световые сигналы в электрические. Простейший фотодиод представляет полупроводниковый диод, в корпус которого вмонтирована линза, пропускающая световой поток и фокусирующая его в области p–n-перехода.
Если на p–n-переход, смещенный в обратном направлении, падает свет, происходит разрыв ковалентных связей и образуются пары электрон – дырка. Под действием контактного электрического поля электроны перемещаются в n-область, а дырки – в p-область.
Светодиоды выполняют функцию, обратную функции фотодиодов; они преобразуют прямой ток в свет. Работа светодиодов основана на генерации оптического излучения в прямо смещенном p–n-переходе.
Цвет свечения определяется типом полупроводниковых материалов, образующих p–n-переход.
Оптрон – полупроводниковый прибор, содержащий источник и приемник излучения, расположенные в одном корпусе.
Оптрон обеспечивает гальваническую развязку между двумя участками электронной цепи. Такая развязка может использоваться, например, в медицинском оборудовании для снижения риска поражения пациентов электрическим током. Источником излучения в диодном оптроне служит светодиод из арсенида галлия, а фотоприемником – кремниевый фотодиод. Излучающий диод должен быть смещен в прямом направлении, а фотодиод – в прямом (режим фотогенератора) или обратном направлении.