
- •Задача 1 в ивести формулу для визначення коефіцієнта підсилення по напрузі схеми, зображеної на рис. 1, враховуючи, що h-параметри транзистора відомі.
- •Розв’язування
- •Задача 2
- •Розв’язування
- •Задача 3
- •Розв’язування
- •Задача 4.
- •Розв’язування
- •Задача 5
- •Розв’язування
- •Приймаємо rh max 700 кОм
- •Задача 6
- •Розв’язування
- •За другим законом Кірхгофа запишемо рівняння для вхідного і вихідного кола транзисторного підсилювача
- •Задача 7
- •Розв’язування Замалюємо еквівалентну схему вхідного кола транзисторного підсилювача
- •Задача 8
- •Розв’язування
- •Задача 12
- •Розв’язування
- •Задача 13
- •Розв’язування
- •Задача 14
- •Розв’язування
- •Задача 15
- •Розв’язування
- •Задача 16
- •Розв’язування Визначимо коефіцієнт
- •Задача 17
- •Розв’язування Зі схеми видно, що
- •Задача 18
- •Розв’язування
- •Задача 19
- •Розв’язування
- •Задача 20
- •Розв’язування
- •Задача 21
- •Розв’язування
- •В хідні і вихідні характеристики транзистора кт814б
- •Список літератури
Задача 1 в ивести формулу для визначення коефіцієнта підсилення по напрузі схеми, зображеної на рис. 1, враховуючи, що h-параметри транзистора відомі.
Рис. 1
Розв’язування
У зв’язку з тим що схема живиться від джерела напруги, тобто джерела електричної енергії з нульовим електричним опором, то резистори R та RН увімкнені паралельно. Прийнято розрізняти два випадки:
1) R>>RH;
2) R<<RH.
Оскільки коефіцієнт підсилення залежить від величини опору RRН, то в першому випадку він буде визначатись величиною RH, у другому - величиною R.
Зобразимо еквівалентну схему даного підсилювального каскаду, використовуючи схему заміщення транзистора моделлю Ебберса-Мола.
Рис. 2
h12U2 – залежне джерело напруги. Наявність його обумовлена оберненою передачею вихідної напруги на вхід транзистора.
h21І1 – залежне джерело струму. Його наявність спричинена прямою передачею струму на вихід підсилювача.
Чим більша величина параметра h21, тим більш високими є підсилювальні властивості транзистора. Практично величина збігається зі статичним коефіцієнтом підсилення по струму, а даний параметр - наводиться в довідниках для всіх транзисторів.
Якщо обмежитися випадком R<<RH, то під величиною YН слід розуміти величину
(1)
Для вхідного і вихідного контурів схеми, зображеної на рис. 2, згідно з закономи Кірхгофа, отримаємо систему рівнянь:
(2)
Коефіцієнт підсилення по напрузі дорівнює:
(3)
Для вираження цього коефіцієнта через параметри елементів схеми рис. 2 знайдемо з другого рівняння системи струм І1:
(4)
Отримане значення струму підставимо в перше рівняння:
З даного рівняння знайдемо відношення U2/U1:
(5)
де
- детермінант системи h
– параметрів.
Величина KU від’ємна, отже даний підсилювальний каскад є інвертуючим.
Граничне значення коефіцієнта підсилення при YH дорівнює:
Отже, при R=0 підсилювач втрачає свої підсилювальні властивості.
При YH0 граничне значення KU дорівнюватиме:
Задача 2
Вважаючи що h-параметри транзистора відомі вивести формулу для визначення вхідного опору Rвх схеми зображеної на риc.1. Знайти граничні значення вхідного опіру при YH0 і YH.
Розв’язування
За означенням, вхідний опір дорівнює:
(6)
Скористаємося системою рівнянь (2), яка наводилася в задачі 1.
Виразимо з другого рівняння системи вихідну напругу U2
Отримане значення вихідної напруги U2 підставимо в перше рівняння системи (2)
Винесемо за дужки струм І1:
З
(7)
Знайдемо величину вхідного опору схеми при граничних значеннях провідності YH.
При YH
При YH0