
- •Особенности распространения волн различных диапазонов
- •Особенности распространения длинных волн
- •Особенности распространения средних волн
- •Особенности распространения коротких волн
- •Особенности распространения ультракоротких волн
- •Регулярные и нерегулярные явления в ионосфере
- •Антенны
- •Симметричные фидеры
- •Коаксиальные фидеры
- •Вибраторная антенна, как разомкнутая длинная линия
- •Волноводы и элементы волноводного тракта
- •Приемные антенны дв и св диапазонов
- •Рупорная антенна.
- •Рупорно-параболическая антенна
- •Перископическая антенна
- •Антенные решетки с электрическим сканированием
- •1. Виды сигналов
- •2.Формирователи импульса.
- •3.Дифференцирующие и интегрирующие цепи.
- •4.Диодные ограничители амплитуды.
- •4.1.Последовательные диодные ограничители.
- •4.2.Параллельные диодные ограничители. Ограничители с нулевым порогом ограничения.
- •4.3.Ограничители с ненулевым порогом ограничения.
- •4.4.Влияние паразитных емкостей.
- •5.Формирования импульсов в цепях с ударным возбуждением.
- •6.Формирующие импульсы.
- •7.Транзисторные ключи.
- •8.Транзисторный усилитель-ограничитель.
- •9.Внешнее запоминающее устройство(взу).
- •10.Устройство ввода, вывода.
- •11.Динамический режим работы транзисторного ключа.
- •12.Операционные усилители (оу)
- •13.Интегральные триггеры.
- •13.1.Асинхронный rs-триггер.
- •13.4.Одноступенчатый синхронный rs-триггер.
- •13.5Двухступенчатый синхронный rs-триггер.
- •14.Счетчики.
- •14.1.Вычитающие счетчики с последовательным переносом.
- •14.2.Счетчики с параллельным переносом.
- •15.Триггер Шмидта.
- •15.1.D и dv - триггеры
- •15.2.Триггер со счетным запуском (т-триггер).
- •15.3.Двухступенчатый rsc-триггер.
- •16.Мультивибратор.
- •16.1.Мультивибратор с корректирующими диодами.
- •16.2. Ждущий мультивибратор.
- •16.3.Синхронизированный мультивибратор.
- •16.4.Мультивибратор на логических элементах.
- •17.Последовательный регистр.
- •18.Блокинг-генератор.
- •1. Структурная схема эвм. Поколения эвм
- •2. Системы счисления.
- •3. Арифметические действия над двоичными числами
- •3.1 Вычитание с применением обратного кода.
- •3.2 Образование дополнительного кода.
- •4. Узлы эвм.
- •5. Сумматор
- •6. Последовательный сумматор
- •7. Арифметико - логическое устройство (алу)
- •8. Дешифратор
- •9. Преобразователи с цифровой индикацией
- •10. Преобразователь кода 8421 в 2421
- •11. Программируемая логическая матрица
- •12. Накапливающий сумматор
- •13. Основные микропроцессорные комплекты. Современные микропроцессоры (мп)
- •14. Типовая структура обрабатывающей части мп
- •15. Микро эвм на базе мп к580
- •16. Форматы команд и способы адресации
- •17. Центральный процессорный элемент к580
- •18. Система сбора данных на базе мп к580
- •19. Центральный процессорный элемент (цпэ) к589
- •20. Блок микропрограммного управления (бму).
- •21. Структурная схема и принцип действия блока микропрограммного управления (бму)
- •22. Блок приоритетного прерывания (бпп)
- •23. Схема ускоренного переноса (суп)
- •24. Схема одноразрядного сумматора с формированием цифры переноса в суп
- •25. Организация памяти эвм
- •26. Постоянные запоминающие устройства
- •27. Внешние запоминающие устройства (взу)
- •27.1 Метод записи без возврата к нулю
- •27.2 Фазовая модуляция.
- •27.3 Частотная модуляция (чм).
- •28. Устройства ввода - вывода информации
- •29. Вывод информации на дисплей
- •30. Вывод информации на телетайп
- •31. Интерфейс
- •32. Обмен данными между оперативной памятью и периферийными устройствами (пу)
- •33. Обмен данными по прерываниям
- •34. Специализированные устройства интерфейса. Ацп
- •35. Ацп с обратной связью (ос)
- •36. Ацп следящего типа.
- •37. Цап с суммированием напряжения на операционном усилителе (оу).
- •38. Применение микро эвм в системах автоматизированного управления (сау)
- •39. Схема суммирования напряжения на аттенюаторе сопротивлений
- •40. Применение микро эвм в приборах (спектрофотометр)
- •41. Программное обеспечение (по) эвм.
- •42. Операционная система эвм
- •43. Микропроцессорный комплект к 1804.
- •44. Ассемблер к580
- •1. Назначение и условия эксплуатации
- •2. Выбор варианта конструкции
- •3. Выбор материалов
- •4. Расчетная часть
- •4.1. Определение ориентировочной площади печатной платы
- •4.2. Расчет минимальной ширины проводника
- •5. Разработка топологии печатной платы
- •6. Описание технологичесКого процесСа изготовления печатной платы комбинированным позитивным методом
- •6.1. Резка заготовок
- •6.2. Пробивка базовых отверстий
- •6.3. Подготовка поверхности заготовок
- •6.4. Нанесение сухого пленочного фоторезиста
- •6.5. Нанесение защитного лака
- •6.6. Сверловка отверстий
- •6.7. Химическое меднение
- •6.8. Снятие защитного лака
- •6.9. Гальваническая затяжка
- •6.10. Электролитическое меднение и нанесение защитного покрытия пос-61
- •6.11 . Снятие фоторезиста
- •6.12. Травление печатной платы
- •6.13. Осветление печатной платы
- •6.14. Оплавление печатной платы
- •6.15. Механическая обработка
- •7. Обоснование технологичности конструкции
- •8. Расчет надежности схемы
- •9. Заключение
- •Приложение 1
- •10. Список литературы
- •Система передачи информации
- •Распространение радиоволн.
- •Радиотехнические сигналы.
- •Спектры сигналов.
- •Амплитудно-модулированный сигнал.
- •Частотная модуляция.
- •Фазовая модуляция
- •Импульсная модуляция.
- •Спектры. Последовательность видео и радио импульсов.
- •Свободные колебания в колебательном контуре.
- •Колебания в реальном колебательном контуре.
- •Последовательный колебательный контур.
- •Входное сопротивление последовательного колебательного контура.
- •Свойства резонанса в последовательном колебательном контуре.
- •Параллельный колебательный контур.
- •Способы включения параллельных контуров.
- •Связанные контуры.
- •Векторные диаграммы связанных контуров. Вносимые сопротивления.
- •Настройка связанных контуров.
- •Второй частный резонанс
- •Полный резонанс.
- •Резонансные кривые связанных контуров.
- •Фильтры.
- •Фильтры типа "к".
- •Полосовой фильтр.
- •Режекторный фильтр.
- •Пьезоэлектрический фильтр.
- •Электромеханический фильтр.
- •Фильтры типа "m".
- •Фильтры "r-c".
- •Цепи с распределенными параметрами.
- •Стоячие волны двухпроводных линий.
- •Волноводы.
- •Сочленение волновода.
- •Структурная схема рпду
- •Элементная база радиопередающих устройств
- •Статические характеристики
- •Генераторные радиолампы.
- •Динамические характеристики
- •Выходные каскады. Простая схема
- •Сложная схема
- •Совместная работа усилительных приборов.
- •Генераторы с самовозбуждением
- •Ж есткий режим
- •Обычная ам Однополосная ам
- •Структурная схема рпду
- •Элементная база радиопередающих устройств
- •Статические характеристики
- •Генераторные радиолампы.
- •Динамические характеристики
- •Выходные каскады. Простая схема Сложная схема
- •Совместная работа усилительных приборов.
- •Генераторы с самовозбуждением
- •Ж есткий режим
- •Обычная ам Однополосная ам
- •Структурная схема рпду
- •Элементная база радиопередающих устройств
- •Статические характеристики
- •Генераторные радиолампы.
- •Динамические характеристики
- •Выходные каскады. Простая схема Сложная схема
- •Совместная работа усилительных приборов.
- •Генераторы с самовозбуждением
- •Ж есткий режим
- •Обычная ам Однополосная ам
- •Теория автоматического регулирования Введение
- •Вращающиеся (поворотные) трансформаторы.
- •Электромагнитные муфты.
- •Понятия о структурной и функциональной схеме, элементарные динамические звенья (эдз).
9. Заключение
В последнее время научно-исследовательские и производственные предприятия радиотехнической и электронной промышленности передовых стран мира тратят много сил и средств на отыскание путей уменьшения габаритов и массы радиоэлектронной аппаратуры. Работы эти получают поддержку потому, что развитие многих отраслей науки и техники, таких как космонавтика, вычислительная техника, кибернетика, бионика и другие, требуют исключительно сложного электронного оборудования. К этому оборудованию предъявляются высокие требования, поэтому аппаратура становится такой сложной и громоздкой, что требования высокой надежности и значительного уменьшения габаритов и массы приобретают важнейшее значение. Особенно эти требования предъявляются ракетной технике. Известно, что для подъема каждого килограмма массы аппаратуры космического корабля необходимо увеличить стартовую массу ракеты на несколько сотен килограммов. Чтобы удовлетворить эти требования, необходимо миниатюризировать аппаратуру. Это достигается несколькими методами конструирования радиоэлектронной аппаратуры.
При микромодульном методе конструирования повышение плотности монтажа достигается за счет применения специальных миниатюрных деталей и плотного их монтажа в микромодуле. Благодаря стандартным размерам микромодули размещаются в аппаратуре с минимальными промежутками.
Применение гибридных интегральных микросхем и микросборок также дало возможность миниатюризации радиоэлектронной аппаратуры. При использовании микросхем повышение плотности монтажа достигается тем, что на общей изоляционной подложке располагаются в виде тонких пленок резисторы, проводники, обкладки конденсаторов, такой же принцип используются и в устройствах, изготовленных методом молекулярной электроники, при этом для создании пассивных (резисторы и конденсаторы) и активных (диоды, транзисторы) элементов схем используются слои полупроводниковых материалов.
Следующий этап развития технологии производства радиоэлектронной аппаратуры - технология поверхостного монтажа кристалла (ТПМК). ТМПК обеспечивает миниатюризацию радиоэлектронной аппаратуры при росте ее функциональной сложности. Навесные компоненты намного меньше, чем монтируемые в отверстия, что обеспечивает более высокую плотность монтажа и уменьшает массо-габаритные показатели. ТПМК допускает высокую автоматизацию установки электрорадиоэлементов вплоть до роботизации.
Повышение надежности радиоэлектронных устройств, выполненных указанными методами микроминиатюризации, достигается тем, что во первых, все методы основаны на автоматизации производственных процессов, при этом предусматривается тщательный контроль на отдельных операциях.
Вторая причина состоит в том, что в изделиях, изготовленных на базе микросхем, значительно уменьшается количество паяных соединений, которые являются причиной многих отказов. Метод молекулярной электроники исключает отказы, связанные с различными коэффициентами линейного расширения материалов, ибо при этом методе предусматривается, что конструкция выполняется из однородного материала.
Увеличение надежности конструкций, выполненных методами микроминиатюризации, объясняется также гораздо большими возможностями обеспечить защиту от воздействия внешней среды. Малогабаритные узлы могут быть гораздо легче герметизированы, что к тому же увеличит и механическую прочность. Наконец, применение миниатюрных узлов и деталей позволяет лучше решить задачи резервирования как общего, так и раздельного.
Как видно из сказанного, задача уменьшения габаритов и массы тесно связана с увеличением надежности. Стоимость радиоэлектронной аппаратуры, выполненной на базе микроминиатюризации, в настоящее время приближается к стоимости аппаратуры, выполненной в обычном исполнении. Значительное снижение стоимости микроминиатюрных блоков, сборочных единиц может быть достигнуто только путем полной автоматизации производства, а автоматизация, как было указано ранее, является одним из условий повышения надежности и, следовательно, условием целесообразности микроминиатюризации.