
- •Особенности распространения волн различных диапазонов
- •Особенности распространения длинных волн
- •Особенности распространения средних волн
- •Особенности распространения коротких волн
- •Особенности распространения ультракоротких волн
- •Регулярные и нерегулярные явления в ионосфере
- •Антенны
- •Симметричные фидеры
- •Коаксиальные фидеры
- •Вибраторная антенна, как разомкнутая длинная линия
- •Волноводы и элементы волноводного тракта
- •Приемные антенны дв и св диапазонов
- •Рупорная антенна.
- •Рупорно-параболическая антенна
- •Перископическая антенна
- •Антенные решетки с электрическим сканированием
- •1. Виды сигналов
- •2.Формирователи импульса.
- •3.Дифференцирующие и интегрирующие цепи.
- •4.Диодные ограничители амплитуды.
- •4.1.Последовательные диодные ограничители.
- •4.2.Параллельные диодные ограничители. Ограничители с нулевым порогом ограничения.
- •4.3.Ограничители с ненулевым порогом ограничения.
- •4.4.Влияние паразитных емкостей.
- •5.Формирования импульсов в цепях с ударным возбуждением.
- •6.Формирующие импульсы.
- •7.Транзисторные ключи.
- •8.Транзисторный усилитель-ограничитель.
- •9.Внешнее запоминающее устройство(взу).
- •10.Устройство ввода, вывода.
- •11.Динамический режим работы транзисторного ключа.
- •12.Операционные усилители (оу)
- •13.Интегральные триггеры.
- •13.1.Асинхронный rs-триггер.
- •13.4.Одноступенчатый синхронный rs-триггер.
- •13.5Двухступенчатый синхронный rs-триггер.
- •14.Счетчики.
- •14.1.Вычитающие счетчики с последовательным переносом.
- •14.2.Счетчики с параллельным переносом.
- •15.Триггер Шмидта.
- •15.1.D и dv - триггеры
- •15.2.Триггер со счетным запуском (т-триггер).
- •15.3.Двухступенчатый rsc-триггер.
- •16.Мультивибратор.
- •16.1.Мультивибратор с корректирующими диодами.
- •16.2. Ждущий мультивибратор.
- •16.3.Синхронизированный мультивибратор.
- •16.4.Мультивибратор на логических элементах.
- •17.Последовательный регистр.
- •18.Блокинг-генератор.
- •1. Структурная схема эвм. Поколения эвм
- •2. Системы счисления.
- •3. Арифметические действия над двоичными числами
- •3.1 Вычитание с применением обратного кода.
- •3.2 Образование дополнительного кода.
- •4. Узлы эвм.
- •5. Сумматор
- •6. Последовательный сумматор
- •7. Арифметико - логическое устройство (алу)
- •8. Дешифратор
- •9. Преобразователи с цифровой индикацией
- •10. Преобразователь кода 8421 в 2421
- •11. Программируемая логическая матрица
- •12. Накапливающий сумматор
- •13. Основные микропроцессорные комплекты. Современные микропроцессоры (мп)
- •14. Типовая структура обрабатывающей части мп
- •15. Микро эвм на базе мп к580
- •16. Форматы команд и способы адресации
- •17. Центральный процессорный элемент к580
- •18. Система сбора данных на базе мп к580
- •19. Центральный процессорный элемент (цпэ) к589
- •20. Блок микропрограммного управления (бму).
- •21. Структурная схема и принцип действия блока микропрограммного управления (бму)
- •22. Блок приоритетного прерывания (бпп)
- •23. Схема ускоренного переноса (суп)
- •24. Схема одноразрядного сумматора с формированием цифры переноса в суп
- •25. Организация памяти эвм
- •26. Постоянные запоминающие устройства
- •27. Внешние запоминающие устройства (взу)
- •27.1 Метод записи без возврата к нулю
- •27.2 Фазовая модуляция.
- •27.3 Частотная модуляция (чм).
- •28. Устройства ввода - вывода информации
- •29. Вывод информации на дисплей
- •30. Вывод информации на телетайп
- •31. Интерфейс
- •32. Обмен данными между оперативной памятью и периферийными устройствами (пу)
- •33. Обмен данными по прерываниям
- •34. Специализированные устройства интерфейса. Ацп
- •35. Ацп с обратной связью (ос)
- •36. Ацп следящего типа.
- •37. Цап с суммированием напряжения на операционном усилителе (оу).
- •38. Применение микро эвм в системах автоматизированного управления (сау)
- •39. Схема суммирования напряжения на аттенюаторе сопротивлений
- •40. Применение микро эвм в приборах (спектрофотометр)
- •41. Программное обеспечение (по) эвм.
- •42. Операционная система эвм
- •43. Микропроцессорный комплект к 1804.
- •44. Ассемблер к580
- •1. Назначение и условия эксплуатации
- •2. Выбор варианта конструкции
- •3. Выбор материалов
- •4. Расчетная часть
- •4.1. Определение ориентировочной площади печатной платы
- •4.2. Расчет минимальной ширины проводника
- •5. Разработка топологии печатной платы
- •6. Описание технологичесКого процесСа изготовления печатной платы комбинированным позитивным методом
- •6.1. Резка заготовок
- •6.2. Пробивка базовых отверстий
- •6.3. Подготовка поверхности заготовок
- •6.4. Нанесение сухого пленочного фоторезиста
- •6.5. Нанесение защитного лака
- •6.6. Сверловка отверстий
- •6.7. Химическое меднение
- •6.8. Снятие защитного лака
- •6.9. Гальваническая затяжка
- •6.10. Электролитическое меднение и нанесение защитного покрытия пос-61
- •6.11 . Снятие фоторезиста
- •6.12. Травление печатной платы
- •6.13. Осветление печатной платы
- •6.14. Оплавление печатной платы
- •6.15. Механическая обработка
- •7. Обоснование технологичности конструкции
- •8. Расчет надежности схемы
- •9. Заключение
- •Приложение 1
- •10. Список литературы
- •Система передачи информации
- •Распространение радиоволн.
- •Радиотехнические сигналы.
- •Спектры сигналов.
- •Амплитудно-модулированный сигнал.
- •Частотная модуляция.
- •Фазовая модуляция
- •Импульсная модуляция.
- •Спектры. Последовательность видео и радио импульсов.
- •Свободные колебания в колебательном контуре.
- •Колебания в реальном колебательном контуре.
- •Последовательный колебательный контур.
- •Входное сопротивление последовательного колебательного контура.
- •Свойства резонанса в последовательном колебательном контуре.
- •Параллельный колебательный контур.
- •Способы включения параллельных контуров.
- •Связанные контуры.
- •Векторные диаграммы связанных контуров. Вносимые сопротивления.
- •Настройка связанных контуров.
- •Второй частный резонанс
- •Полный резонанс.
- •Резонансные кривые связанных контуров.
- •Фильтры.
- •Фильтры типа "к".
- •Полосовой фильтр.
- •Режекторный фильтр.
- •Пьезоэлектрический фильтр.
- •Электромеханический фильтр.
- •Фильтры типа "m".
- •Фильтры "r-c".
- •Цепи с распределенными параметрами.
- •Стоячие волны двухпроводных линий.
- •Волноводы.
- •Сочленение волновода.
- •Структурная схема рпду
- •Элементная база радиопередающих устройств
- •Статические характеристики
- •Генераторные радиолампы.
- •Динамические характеристики
- •Выходные каскады. Простая схема
- •Сложная схема
- •Совместная работа усилительных приборов.
- •Генераторы с самовозбуждением
- •Ж есткий режим
- •Обычная ам Однополосная ам
- •Структурная схема рпду
- •Элементная база радиопередающих устройств
- •Статические характеристики
- •Генераторные радиолампы.
- •Динамические характеристики
- •Выходные каскады. Простая схема Сложная схема
- •Совместная работа усилительных приборов.
- •Генераторы с самовозбуждением
- •Ж есткий режим
- •Обычная ам Однополосная ам
- •Структурная схема рпду
- •Элементная база радиопередающих устройств
- •Статические характеристики
- •Генераторные радиолампы.
- •Динамические характеристики
- •Выходные каскады. Простая схема Сложная схема
- •Совместная работа усилительных приборов.
- •Генераторы с самовозбуждением
- •Ж есткий режим
- •Обычная ам Однополосная ам
- •Теория автоматического регулирования Введение
- •Вращающиеся (поворотные) трансформаторы.
- •Электромагнитные муфты.
- •Понятия о структурной и функциональной схеме, элементарные динамические звенья (эдз).
6.8. Снятие защитного лака
Перед гальваническим меднением необходимо снять слой защитного лака с поверхности платы. В зависимости от применяемого лака существуют различные растворители. Некоторые лаки возможно снять ацетоном.
В данном технологическом процессе защитный лак будем снимать в растворителе 386. Для этого платы необходимо замочить на 2 часа в растворителе 386, а затем снять слой лака беличьей кистью, после этого промыть платы в холодной проточной воде в течение 2-3 мин при температуре 20±20 С, контролировать качество снятия защитного лака (на поверхности лака не должны оставаться места, покрытые пленками лака).
6.9. Гальваническая затяжка
Слой химически осажденной меди обычно имеет небольшую толщину (0,2-0,3 мкм), рыхлую структуру, легко окисляется на воздухе, непригоден для токопрохождения, поэтому его защищают гальваническим наращиванием (“затяжкой”) 1-2 мкм гальванической меди.
Для этого необходимо декапировать платы в 5%-ном растворе соляной кислоты в течение 1-3 сек при температуре 18-250 С, промыть платы в холодной проточной воде в течение 2-3 мин при температуре 18-250 С, зачистить платы венской известью в течение 2-3 мин при температуре 18-250 С, промыть платы в холодной проточной воде в течение 2-3 мин при температуре 18-250 С, снова декапировать заготовки в 5%-ном растворе соляной кислоты в течение 1-3 сек при температуре 18-250 С, промыть платы в холодной проточной воде в течение 1-2 мин при температуре 20±20 С, промыть платы в дистиллированной воде в течение 1-2 мин при температуре произвести гальваническую затяжку в течение 10-15 мин при температуре 20±20 С, промыть платы холодной проточной водой в течение 1-2 мин при температуре 18-250 С, сушить платы сжатым воздухом при температуре 18-250 С до полного их высыхания, контролировать качество гальванической затяжки (отверстия не должны иметь непокрытий, осадок должен быть плотный, розовый, мелкокристаллический).
6.10. Электролитическое меднение и нанесение защитного покрытия пос-61
После гальванической затяжки слой осажденной меди имеет толщину 1-2 мкм. Электролитическое меднение доводит толщину в отверстиях до 25 мкм, на проводниках - до 40-50 мкм.
Электролитическое меднение включает в себя следующие операции: ретушь под микроскопом краской НЦ-25 беличьей кистью № 1; декапирование плат в 5%-ном растворе соляной кислоты в течение 1-3 сек при температуре 20±20 С; промывка плат холодной проточной водой в течение 1-2 мин при температуре 20±20 С; зачистка плат венской известью в течение 2-3 мин при температуре 18-250 С; промывка плат холодной проточной водой в течение1-2 мин при температуре 18-250 С; декапирование плат в 5%-ном растворе соляной кислоты в течение 1мин при температуре 18-250 С; промыть платы холодной проточной водой в течение 1-2 мин при температуре 18-250 С; произвести гальваническое меднение в растворе борфтористоводородной кислоты, борной кислоты, борфтористоводородной меди и дистиллированной воды в течение 80-90 мин при температуре 20±20 С; промыть платы холодной проточной водой в течение 1-2 мин при температуре 20±20 С; произвести визуальный контроль покрытия (покрытие должно быть сплошным без подгара, не допускаются механические повреждения, отслоения и вздутия).
Чтобы при травлении проводники и контактные площадки не стравливались их необходимо покрыть защитным металлическим покрытием. Существует различные металлические покрытия (в основном сплавы), применяемые для защитного покрытия. В данном технологическом процессе применяется сплав олово-свинец. Сплав олово-свинец стоек к воздействию травильных растворов на основе персульфата аммония, хромового ангидрида и других, но разрушается в растворе хлорного железа, поэтому в качестве травителя раствор хлорного железа применять нельзя.
Для нанесения защитного покрытия необходимо промыть платы дистиллированной водой в течение 1-2 мин при температуре 18-250 С, затем произвести гальваническое покрытие сплавом олово-свинец в растворе борфтористоводородной кислоты, борной кислоты, мездрового клея, нафтохинондисульфоновой кислоты, 25%-ного аммиака, металлического свинца, металлического олова, гидрохинона и дистиллированной воды в течение 12-15 мин при температуре 20±20 С, промыть платы в горячей проточной воде в течение 1-2 мин при температуре 50±50 С, промыть платы в холодной водопроводной воде в течение 1-2 мин при температуре 20±20 С, сушить платы сжатым воздухом в течение 2-3 мин при температуре 20±20 С, удалить ретушь ацетоном с поля платы, контролировать качество покрытия (покрытие должно быть сплошным без подгара, не допускаются механические повреждения, отслоения и вздутия).