
- •Особенности распространения волн различных диапазонов
- •Особенности распространения длинных волн
- •Особенности распространения средних волн
- •Особенности распространения коротких волн
- •Особенности распространения ультракоротких волн
- •Регулярные и нерегулярные явления в ионосфере
- •Антенны
- •Симметричные фидеры
- •Коаксиальные фидеры
- •Вибраторная антенна, как разомкнутая длинная линия
- •Волноводы и элементы волноводного тракта
- •Приемные антенны дв и св диапазонов
- •Рупорная антенна.
- •Рупорно-параболическая антенна
- •Перископическая антенна
- •Антенные решетки с электрическим сканированием
- •1. Виды сигналов
- •2.Формирователи импульса.
- •3.Дифференцирующие и интегрирующие цепи.
- •4.Диодные ограничители амплитуды.
- •4.1.Последовательные диодные ограничители.
- •4.2.Параллельные диодные ограничители. Ограничители с нулевым порогом ограничения.
- •4.3.Ограничители с ненулевым порогом ограничения.
- •4.4.Влияние паразитных емкостей.
- •5.Формирования импульсов в цепях с ударным возбуждением.
- •6.Формирующие импульсы.
- •7.Транзисторные ключи.
- •8.Транзисторный усилитель-ограничитель.
- •9.Внешнее запоминающее устройство(взу).
- •10.Устройство ввода, вывода.
- •11.Динамический режим работы транзисторного ключа.
- •12.Операционные усилители (оу)
- •13.Интегральные триггеры.
- •13.1.Асинхронный rs-триггер.
- •13.4.Одноступенчатый синхронный rs-триггер.
- •13.5Двухступенчатый синхронный rs-триггер.
- •14.Счетчики.
- •14.1.Вычитающие счетчики с последовательным переносом.
- •14.2.Счетчики с параллельным переносом.
- •15.Триггер Шмидта.
- •15.1.D и dv - триггеры
- •15.2.Триггер со счетным запуском (т-триггер).
- •15.3.Двухступенчатый rsc-триггер.
- •16.Мультивибратор.
- •16.1.Мультивибратор с корректирующими диодами.
- •16.2. Ждущий мультивибратор.
- •16.3.Синхронизированный мультивибратор.
- •16.4.Мультивибратор на логических элементах.
- •17.Последовательный регистр.
- •18.Блокинг-генератор.
- •1. Структурная схема эвм. Поколения эвм
- •2. Системы счисления.
- •3. Арифметические действия над двоичными числами
- •3.1 Вычитание с применением обратного кода.
- •3.2 Образование дополнительного кода.
- •4. Узлы эвм.
- •5. Сумматор
- •6. Последовательный сумматор
- •7. Арифметико - логическое устройство (алу)
- •8. Дешифратор
- •9. Преобразователи с цифровой индикацией
- •10. Преобразователь кода 8421 в 2421
- •11. Программируемая логическая матрица
- •12. Накапливающий сумматор
- •13. Основные микропроцессорные комплекты. Современные микропроцессоры (мп)
- •14. Типовая структура обрабатывающей части мп
- •15. Микро эвм на базе мп к580
- •16. Форматы команд и способы адресации
- •17. Центральный процессорный элемент к580
- •18. Система сбора данных на базе мп к580
- •19. Центральный процессорный элемент (цпэ) к589
- •20. Блок микропрограммного управления (бму).
- •21. Структурная схема и принцип действия блока микропрограммного управления (бму)
- •22. Блок приоритетного прерывания (бпп)
- •23. Схема ускоренного переноса (суп)
- •24. Схема одноразрядного сумматора с формированием цифры переноса в суп
- •25. Организация памяти эвм
- •26. Постоянные запоминающие устройства
- •27. Внешние запоминающие устройства (взу)
- •27.1 Метод записи без возврата к нулю
- •27.2 Фазовая модуляция.
- •27.3 Частотная модуляция (чм).
- •28. Устройства ввода - вывода информации
- •29. Вывод информации на дисплей
- •30. Вывод информации на телетайп
- •31. Интерфейс
- •32. Обмен данными между оперативной памятью и периферийными устройствами (пу)
- •33. Обмен данными по прерываниям
- •34. Специализированные устройства интерфейса. Ацп
- •35. Ацп с обратной связью (ос)
- •36. Ацп следящего типа.
- •37. Цап с суммированием напряжения на операционном усилителе (оу).
- •38. Применение микро эвм в системах автоматизированного управления (сау)
- •39. Схема суммирования напряжения на аттенюаторе сопротивлений
- •40. Применение микро эвм в приборах (спектрофотометр)
- •41. Программное обеспечение (по) эвм.
- •42. Операционная система эвм
- •43. Микропроцессорный комплект к 1804.
- •44. Ассемблер к580
- •1. Назначение и условия эксплуатации
- •2. Выбор варианта конструкции
- •3. Выбор материалов
- •4. Расчетная часть
- •4.1. Определение ориентировочной площади печатной платы
- •4.2. Расчет минимальной ширины проводника
- •5. Разработка топологии печатной платы
- •6. Описание технологичесКого процесСа изготовления печатной платы комбинированным позитивным методом
- •6.1. Резка заготовок
- •6.2. Пробивка базовых отверстий
- •6.3. Подготовка поверхности заготовок
- •6.4. Нанесение сухого пленочного фоторезиста
- •6.5. Нанесение защитного лака
- •6.6. Сверловка отверстий
- •6.7. Химическое меднение
- •6.8. Снятие защитного лака
- •6.9. Гальваническая затяжка
- •6.10. Электролитическое меднение и нанесение защитного покрытия пос-61
- •6.11 . Снятие фоторезиста
- •6.12. Травление печатной платы
- •6.13. Осветление печатной платы
- •6.14. Оплавление печатной платы
- •6.15. Механическая обработка
- •7. Обоснование технологичности конструкции
- •8. Расчет надежности схемы
- •9. Заключение
- •Приложение 1
- •10. Список литературы
- •Система передачи информации
- •Распространение радиоволн.
- •Радиотехнические сигналы.
- •Спектры сигналов.
- •Амплитудно-модулированный сигнал.
- •Частотная модуляция.
- •Фазовая модуляция
- •Импульсная модуляция.
- •Спектры. Последовательность видео и радио импульсов.
- •Свободные колебания в колебательном контуре.
- •Колебания в реальном колебательном контуре.
- •Последовательный колебательный контур.
- •Входное сопротивление последовательного колебательного контура.
- •Свойства резонанса в последовательном колебательном контуре.
- •Параллельный колебательный контур.
- •Способы включения параллельных контуров.
- •Связанные контуры.
- •Векторные диаграммы связанных контуров. Вносимые сопротивления.
- •Настройка связанных контуров.
- •Второй частный резонанс
- •Полный резонанс.
- •Резонансные кривые связанных контуров.
- •Фильтры.
- •Фильтры типа "к".
- •Полосовой фильтр.
- •Режекторный фильтр.
- •Пьезоэлектрический фильтр.
- •Электромеханический фильтр.
- •Фильтры типа "m".
- •Фильтры "r-c".
- •Цепи с распределенными параметрами.
- •Стоячие волны двухпроводных линий.
- •Волноводы.
- •Сочленение волновода.
- •Структурная схема рпду
- •Элементная база радиопередающих устройств
- •Статические характеристики
- •Генераторные радиолампы.
- •Динамические характеристики
- •Выходные каскады. Простая схема
- •Сложная схема
- •Совместная работа усилительных приборов.
- •Генераторы с самовозбуждением
- •Ж есткий режим
- •Обычная ам Однополосная ам
- •Структурная схема рпду
- •Элементная база радиопередающих устройств
- •Статические характеристики
- •Генераторные радиолампы.
- •Динамические характеристики
- •Выходные каскады. Простая схема Сложная схема
- •Совместная работа усилительных приборов.
- •Генераторы с самовозбуждением
- •Ж есткий режим
- •Обычная ам Однополосная ам
- •Структурная схема рпду
- •Элементная база радиопередающих устройств
- •Статические характеристики
- •Генераторные радиолампы.
- •Динамические характеристики
- •Выходные каскады. Простая схема Сложная схема
- •Совместная работа усилительных приборов.
- •Генераторы с самовозбуждением
- •Ж есткий режим
- •Обычная ам Однополосная ам
- •Теория автоматического регулирования Введение
- •Вращающиеся (поворотные) трансформаторы.
- •Электромагнитные муфты.
- •Понятия о структурной и функциональной схеме, элементарные динамические звенья (эдз).
Особенности распространения радиоволн поверхностным и пространственным лучом
Поверхностный луч распространяется вдоль поверхности земли. При распространении радиолуча в диапазоне ДВ он претерпевает затухания от слоя D. Чем короче длина волны, тем больше она (волна) поглощается почвой и тем глубже она проникает в ионосферу. Ионосфера условно разделяется в зависимости от концентрации свободных электронов на слои: D, E, F1, F2. Самой меньшей концентрацией зарядов обладает самый нижний слой D, который ночью исчезает, т. к. происходит полная рекомбинация электронов с ионами. Чем выше слой, тем больше солнечной энергии проникает в него, тем больше образуется свободных электронов, следовательно, выше плотность свободных носителей. Выше слоя F2 (450 км) плотность свободных носителей уменьшается, т. к. уменьшается количество частиц способных к ионизации. Плотность слоев ионосферы ночью значительно меньше, чем днем, за счет рекомбинации электронов и ионов. Чем короче длина волны, тем выше она приникает в ионосферу.
(1/м)
суша
морская вода
(м)
График изменения коэффициента поглощения электромагнитной волны в зависимости от ее длины
Распространение поверхностных волн объясняется явлением дефракции, т. е. Способностью огибать препятствия и неровности земли, размеры которых меньше длины волны, следовательно, чем больше , тем больше дальность распространения волн поверхностным лучом. Энергия электромагнитных волн убывает как в результате сферического рассеивания свойственным поверхностным и пространственным волнам, так и в результате поглощения электромагнитной энергии земной поверхностью. Условие распространения поверхностной волны в значительной мере зависит от рельефа местности, электрических характеристик земной поверхности и длины волны. Электрическими параметрами является диэлектрическая проницаемость и удельная проводимость. Земная поверхность не является идеальным проводником, поэтому энергия поверхностных волн частично поглощается. Поглощение объясняется тем, что электромагнитная энергия поверхностного луча наводит в почве переменные ток. При протекании этого тока в почве появляются тепловые потери. Чем короче длина волны, тем в более узком слое концентрируются токи на границе раздела воздуха и почвы, следовательно, увеличивается сопротивление и потери. При распространении радиоволн над морем потери меньше, т. к. морская вода обладает большей проводимостью, чем суша.
Пространственный луч формируется ионосферой, которая состоит из отдельных условно обозначенных слоев ионизированных газов. Основным источником ионизации является солнечная энергия. Меньшая концентрация зарядов в слоях D, E, F1 по сравнению с F2 объясняется недостатком солнечной энергии. Меньшая концентрация выше слоя F2 объясняется отсутствием частиц способных к ионизации. Ночью слой D исчезает, ионизация других слоев значительно уменьшается. Наиболее устойчивым является слой F2, который сохраняется все время, т. к. ночью электроны и ионы не успевают рекомбинировать. Под действием электромагнитного поля в ионосфере возникает упорядочное движение электронов, которому препятствует столкновение с частицами газа. Потерянная при этих столкновениях энергия электронов восстанавливается за счет энергии электромагнитного поля. Потери энергии тем больше, чем больше вероятность столкновения электронов с частицами газа. Эта вероятность возрастает с увеличением концентрации электронов и длины пробега электронов в данном направлении, т. е. С ростом периода колебания и, следовательно, длины волны. Изменение концентрации электронов по высоте позволяет рассматривать ионосферу как среду с изменяющейся проницаемостью, уменьшающаяся по мере роста высоты. При переходе волны из одной среды в другую наблюдается явление преломления.
2 2>1, если
Е1 Е1> Е2
Е2
1
Т. к. диэлектрическая проницаемость ионизированного слоя плавно уменьшается с высотой, то при некоторых условиях может произойти полное отражение пространственного луча на землю. Наибольшая частота, при которой излученная вертикально вверх электромагнитная волна способна возвратиться на землю называется критической частотой слоя
,
где N – число свободных электронов с см3
е – заряд электрона (4,7*10-10Кл)
m – масса электрона (9*10-28 гр.)
f – частота
Критическая частота слоя F2 днем = 10МГц, ночью = 5МГц. Угол при котором электромагнитная энергия еще отражается от ионосферы называется критическим для данной частоты. Состояние ионосферы влияет на напряженность поля пространственного луча. Напряженность поля поверхностного луча не зависит от состояния ионосферы.
Особенности распространения волн различных диапазонов
Деление радиоволн по диапазонам является условным, т. е. Провести четкую границу между диапазонами волн не возможно и условия распространения радиоволн в значительной степени зависят от состояния ионосферы, погодных условий, времени суток и времени года. В однородной среде радиоволны распространяются прямолинейно. Радиоволны подчиняются законам дифракции и рассеивания. При переходе радиоволн из одной среды в другую с разной диэлектрической проницаемостью скорость распространение радиоволн изменяется, происходит отражение и преломление радиоволн. При наличии неровной отражающей поверхности, если размеры неровностей соизмеримы с длиной волны, может происходить диффузное отражение, т. е. Отражение во все стороны. В неоднородных средах, показатель преломления которых от слоя к слою изменяется плавно, радиоволны распространяются по криволинейным траекториям, т. е. наблюдается явление рефракции (плавного преломления).
Если угол падения превосходит некоторое критическое значение при переходе луча из среды оптически плотной в среду с меньшей плотностью, луч совсем не проникает во вторую среду, целиком отражаясь от границ раздела. При распространении радиоволн в проводящей среде происходит поглощение энергии на нагревание этой среды. Радиоволны в свободном пространстве распространяются со скоростью света, направление распространения перпендикулярно плоскости Е-Н, при чем вектора Е и Н перпендикулярны. Направление распространения и количество переносимой энергии определяется вектором Умова-Пойтенка.
Особенности распространения длинных волн
ДВ или километровые волны имеют длину от 3000 м до 30000 м. Они применяются в радиотелеграфии, в радиовещании, в радионавигации. Особенности распространения:
Способны огибать кривизну земного шара и отдельные неровности земной поверхности
Частоты ДВ значительно ниже критических, даже для слоя D, имеющего наименьшую концентрацию свободных электронов, следовательно, при любом угле падения, даже близком к 900, ДВ отражаются от ионосферы.
Т. к. для ДВ даже почва средней влажности является проводником, то волны отраженные от ионосферы отражаются от земной поверхности, т. е. Образуется пространственный волновод. Дальность связи на ДВ при распространении в пространственном волноводе достигает тысяч и десятка тысяч километров.
При отражении от ионосферы ДВ значительно ослабляются, поэтому для радиосвязи на большие расстояния необходимо увеличивать мощность передатчика, излучающего, такие как бы пространственные волны. Поглощение этих пространственных волн ионосферой значительно меньше, чем поглощение поверхностных волн земной поверхностью. Поэтому для связи в ДВ на большие расстояния основную роль играют пространственные волны.
Преимущества: независимость условия их распространения от времени суток и времени года, а также от метеорологических условий.
Недостатки: необходимость применения передатчиков большой мощности для связи на большие расстояния. Для связи на небольшие расстояния используется поверхностная волна.