Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
шпоры по электронике.doc
Скачиваний:
0
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
294.4 Кб
Скачать

Одноэлектронный т ранзистор.

Очень перспективным с точки зрения повышения степени интеграции – до 1012 элементов на кристалл – и быстродействия СБИС, снижения энергии переключения интегральных элементов являются транзисторы на основе дискретного одноэлектронного туннелирования.

Структура: На кремниевой подложке формируется слой SiO2 толщиной 20 – 30 нм. На подложку наносится слой поликремния, а затем слой SiO2. С использованием электронной литографии и реактивного ионного травления формировался поликремниевый островок - SiO2. Затем проводилось термическое окисление для получения тонкого диоксида кремния на боковой поверхности островка толщиной 2 нм. После напыления еще одного слоя поликремния при помощи электронной литографии и реактивного ионного травления изготавливались подводящие контакты. Туннельные к онтакты к островку осуществлялись через тонкий боковой слой окисла. Емкость перекрытия контактов и островка уменьшалась за счет большой толщины SiO2 ≈ 50 нм сверху островка. В качестве затворного электрода использовалась подложка.

Прогресс технологии и появление новых схемотехнических решений позволяют надеяться на увеличение быстродействия одноэлектронных приборов, ограниченного временем туннелирования электрона через барьер.

Фуллерены.

Углеродные нанотрубки – это кристаллические структуры, в которых углерод проявляется в виде своей новой аллотропной модификации, в форме так называемых фуллеренов.

Фуллерены, как новая модификация углерода, были впервые получены в 1985 г. Наиболее стабильными из всех фуллеренов, соединяющих n атомов углерода С, оказались структуры из 60 и 70 атомов, т.е. замкнутые молекулы С60 и С70.

Эти фуллерены имеют форму близкую к мячу. В отличие от графита и алмаза, структура которых представляет собой решетку атомов, третья форма кристаллического углерода является молекулярной. Минимальный элемент структуры фуллеренов – молекулы. Например, каркас наиболее устойчивого фуллерена С60 состоит из 20 шестиугольников (гексагонов) и 12 пятиугольников (петагонов). Координационное число атома углерода равно 3. Каждый атом углерода располагается на сферической поверхности молекулы.

Фуллерены – замкнутые молекулы углерода, на поверхности которых шестичленные циклы связаны между собой пятичленными циклами. Нанотрубки образованные из аналогичных кристаллических структур, но с различной пространственной конфигурацией.

Углеродные нанотрубки.

Углеродные нанотрубки представляются одним из наиболее перспективных и ценных материалов для развития нанотехнологии. Перечислим только некоторые из направлений, которые уже в ближайшее время могут привести к промышленнму внедрению: модификация электроники (диоды, полевые транзисторы, экраны дисплеев сверхвысокого разрешения, увеличение степени интеграции в больших интегральных схемах), водородная энергетика, сверхчувствительные быстродействующие миниатюрные сенсоры, генераторы микроволн, эмиссионные и магнитные материалы, катализаторы, использование зондовых микроскопов для сборки наноструктур из отдельных атомов и молекул с помощью зондов из нанотрубок.

Оказалось, что однослойные углеродные листы могут скручиваться в виде трубок в один или несколько слоев. Такие образования называют однослойными и, соответственно, многослойными трубками.

Открыты и описаны такие трубки в 1991 году японским исследователем Иижима. Диаметр таких трубок лежит от 0,5 нм до нескольких нанометров. Длина трубок может достигать десятков микрон. Из-за таких размеров углеродных трубок они и получили название нанотрубок.

Одним из поразительных свойств нанотрубок является то, что их свойства зависят от их геометрии. Например трубки могут быть с открытыми концами, что позволяет заполнять их другими атомами, или с закрытыми концами. Это позволяет капсулировать объем нанотрубки.

По своей структуре углеродные нанотрубки являются третьей аллотропной формой углерода. Существует ограниченное число схем, с помощью которых можно из графитового листа выстроить нанотрубку. Рассмотрим точки А и А’. Вектор, соединяющий А и А’ определяется как: Сh = na1 + ma2,

где n,m - 1,2,3…. – действительные числа, а1, а2 – единичные векторы в графитовой плоскости. Трубка образуется при сворачивании графитового слоя и соединении точек А и А’. Тогда трубка определяется единственным образом вектором Сh. Диаметр трубки выражается соотношением:

,Где а – постоянная решетки. Угол

Определяет количественно хиральность нанотрубки. Если m = 0, то угол хиральности Q = 0, что соответствует вектору Сh = na1. В такой трубке связи С – С идут параллельно оси трубки.

Таким образом, все многообразие свойств нанотрубок определяется исключительно геометрией, которая единственным образом задается углом хиральности Q и диаметром d.

По значению параметров (n, m) различают:

- прямые (ахиральные) нанотрубки;

- «кресло» или «зубчатые»;

- n=m зигзагообразные m=0 или n=0;

- спиральные (хиральные) нанотрубки.

При зеркальном отражении (n, m) нанотрубка переходит в (m, n) нанотрубку, поэтому, трубка общего вида зеркально несимметрична. Прямые же нанотрубки либо переходят в себя при зеркальном отражении (конфигурация «кресло»), либо переходят в себя с точностью до поворота.

Зависимости электрических свойств нанотрубок были определены на о снове квантово-механических расчетов их зонной структуры.

Было отмечено, что три из четырех валентных электронов каждого атома углерода образуют локализованные σ-связи, а четвертый участвует в образовании делокализованной π-системы. Эти π-электроны слабо связаны со своими атомами, поэтому именно они могут участвовать в переносе заряда в системе. Энергетические диаграммы нанотрубок имеют следующий вид.

Высокая металлическая проводимость наблюдается, если занятые π-состояния перекрываются с вакантными π*-состояниями (рис а). Расчеты показывают, что подобной структурой обладают трубки для которых разность n – m кратна трем.

Остальные нанотрубки являются полупроводниковыми с шириной запрещенной зоны от нескольких десятых до примерно 2 эВ. Ширина запрещенной зоны возрастает с уменьшением диаметра нанотрубки.