
- •Время пролета носителей
- •Уменьшение размеров кмоп
- •Пределы микроминиатюризации
- •Минимально допустимые напряжения и токи в ис.
- •Оценим минимально допустимое напряжение питания полупроводниковой ис.
- •Насыщение скорости носителей заряда.
- •Эффект ионизации при соударениях.
- •GaAs сбис на основе полевых транзисторов Шоттки.
- •Транзисторы с высокой подвижностью электронов.
- •Особенности субмикронных моп – транзисторов
- •Конструкции моп - транзисторов в сбис
- •Базовая тория кулоновской блокады.
- •Кулоновская лестница.
- •Реализация одноэлектронных приборов
- •Одноэлектронный т ранзистор.
- •Фуллерены.
- •Углеродные нанотрубки.
- •Электрические свойства углеродных нанотрубок
- •Получение углеродных нанотрубок
- •Полевой транзистор на основе нанотрубки
Одноэлектронный т ранзистор.
Очень перспективным с точки зрения повышения степени интеграции – до 1012 элементов на кристалл – и быстродействия СБИС, снижения энергии переключения интегральных элементов являются транзисторы на основе дискретного одноэлектронного туннелирования.
Структура:
На кремниевой подложке формируется
слой SiO2
толщиной 20 – 30 нм. На подложку наносится
слой поликремния, а затем слой SiO2.
С использованием электронной литографии
и реактивного ионного травления
формировался поликремниевый островок
- SiO2.
Затем
проводилось
термическое
окисление для получения тонкого диоксида
кремния на боковой поверхности островка
толщиной 2 нм. После напыления еще одного
слоя поликремния при помощи электронной
литографии и реактивного ионного
травления изготавливались подводящие
контакты. Туннельные к
онтакты
к островку осуществлялись через тонкий
боковой слой окисла. Емкость перекрытия
контактов и островка уменьшалась за
счет большой толщины SiO2
≈ 50 нм сверху островка. В качестве
затворного электрода использовалась
подложка.
Прогресс технологии и появление новых схемотехнических решений позволяют надеяться на увеличение быстродействия одноэлектронных приборов, ограниченного временем туннелирования электрона через барьер.
Фуллерены.
Углеродные нанотрубки – это кристаллические структуры, в которых углерод проявляется в виде своей новой аллотропной модификации, в форме так называемых фуллеренов.
Фуллерены, как новая модификация углерода, были впервые получены в 1985 г. Наиболее стабильными из всех фуллеренов, соединяющих n атомов углерода С, оказались структуры из 60 и 70 атомов, т.е. замкнутые молекулы С60 и С70.
Эти фуллерены имеют форму близкую к мячу. В отличие от графита и алмаза, структура которых представляет собой решетку атомов, третья форма кристаллического углерода является молекулярной. Минимальный элемент структуры фуллеренов – молекулы. Например, каркас наиболее устойчивого фуллерена С60 состоит из 20 шестиугольников (гексагонов) и 12 пятиугольников (петагонов). Координационное число атома углерода равно 3. Каждый атом углерода располагается на сферической поверхности молекулы.
Фуллерены – замкнутые молекулы углерода, на поверхности которых шестичленные циклы связаны между собой пятичленными циклами. Нанотрубки образованные из аналогичных кристаллических структур, но с различной пространственной конфигурацией.
Углеродные нанотрубки.
Углеродные нанотрубки представляются одним из наиболее перспективных и ценных материалов для развития нанотехнологии. Перечислим только некоторые из направлений, которые уже в ближайшее время могут привести к промышленнму внедрению: модификация электроники (диоды, полевые транзисторы, экраны дисплеев сверхвысокого разрешения, увеличение степени интеграции в больших интегральных схемах), водородная энергетика, сверхчувствительные быстродействующие миниатюрные сенсоры, генераторы микроволн, эмиссионные и магнитные материалы, катализаторы, использование зондовых микроскопов для сборки наноструктур из отдельных атомов и молекул с помощью зондов из нанотрубок.
Оказалось, что однослойные углеродные листы могут скручиваться в виде трубок в один или несколько слоев. Такие образования называют однослойными и, соответственно, многослойными трубками.
Открыты и описаны такие трубки в 1991 году японским исследователем Иижима. Диаметр таких трубок лежит от 0,5 нм до нескольких нанометров. Длина трубок может достигать десятков микрон. Из-за таких размеров углеродных трубок они и получили название нанотрубок.
Одним из поразительных свойств нанотрубок является то, что их свойства зависят от их геометрии. Например трубки могут быть с открытыми концами, что позволяет заполнять их другими атомами, или с закрытыми концами. Это позволяет капсулировать объем нанотрубки.
По своей структуре углеродные нанотрубки являются третьей аллотропной формой углерода. Существует ограниченное число схем, с помощью которых можно из графитового листа выстроить нанотрубку. Рассмотрим точки А и А’. Вектор, соединяющий А и А’ определяется как: Сh = na1 + ma2,
где n,m - 1,2,3…. – действительные числа, а1, а2 – единичные векторы в графитовой плоскости. Трубка образуется при сворачивании графитового слоя и соединении точек А и А’. Тогда трубка определяется единственным образом вектором Сh. Диаметр трубки выражается соотношением:
,Где
а – постоянная решетки. Угол
Определяет количественно хиральность нанотрубки. Если m = 0, то угол хиральности Q = 0, что соответствует вектору Сh = na1. В такой трубке связи С – С идут параллельно оси трубки.
Таким образом, все многообразие свойств нанотрубок определяется исключительно геометрией, которая единственным образом задается углом хиральности Q и диаметром d.
По значению параметров (n, m) различают:
- прямые (ахиральные) нанотрубки;
- «кресло» или «зубчатые»;
- n=m зигзагообразные m=0 или n=0;
- спиральные (хиральные) нанотрубки.
При зеркальном отражении (n, m) нанотрубка переходит в (m, n) нанотрубку, поэтому, трубка общего вида зеркально несимметрична. Прямые же нанотрубки либо переходят в себя при зеркальном отражении (конфигурация «кресло»), либо переходят в себя с точностью до поворота.
Зависимости
электрических свойств нанотрубок были
определены на о
снове
квантово-механических расчетов их
зонной структуры.
Было отмечено, что три из четырех валентных электронов каждого атома углерода образуют локализованные σ-связи, а четвертый участвует в образовании делокализованной π-системы. Эти π-электроны слабо связаны со своими атомами, поэтому именно они могут участвовать в переносе заряда в системе. Энергетические диаграммы нанотрубок имеют следующий вид.
Высокая металлическая проводимость наблюдается, если занятые π-состояния перекрываются с вакантными π*-состояниями (рис а). Расчеты показывают, что подобной структурой обладают трубки для которых разность n – m кратна трем.
Остальные нанотрубки являются полупроводниковыми с шириной запрещенной зоны от нескольких десятых до примерно 2 эВ. Ширина запрещенной зоны возрастает с уменьшением диаметра нанотрубки.