
- •Исследование вольтамперной характеристики стабилитрона
- •Исследование характеристик биполярного транзистора
- •Исследованиесхем включения биполярного транзистора
- •Исследование характеристик полевого транзистора
- •Исследование схем включения полевого транзистора
- •Исследование характеристик igbtтранзистора
- •Исследование схем включения igbt транзистора
- •Исследование вах динистора
- •Исследование вах тиристора
- •Исследование вах оптоэлектрических приборов
- •Исследование вах оптопары
- •Исследование характеристик неинвертирующего усилителя
Исследование схем включения полевого транзистора
Цель работы: изучение схем включения и режимов работы полевого транзистора.
Используемое оборудование:
- лабораторный модуль «Полевой транзистор»
- источник постоянного тока двухканальный.
Рисунок 13 – Схемы включения полевого транзистора с n-каналом: с общим истоком; с общим стоком; с общим затвором
Таблица 8– Исследование схем включения полевого транзисторас n-каналом
Схема включения |
с ОИ |
с ОС |
с ОЗ |
Uвх, В |
1 |
1 |
1 |
Uвых, В |
10 |
11 |
12 |
Iвх, мА |
0,21 |
0,24 |
0,22 |
Iвых, мА |
0,98 |
1,0 |
0,99 |
s |
|
|
|
rвых |
|
|
|
rвх |
|
|
|
RЗС |
|
|
|
Рисунок 14 – Схемы включения полевого транзистора с индуцированным каналом: с общим истоком; с общим стоком; с общим затвором
Таблица 9– Исследование схем включения полевого транзисторас n-каналом
Схема включения |
с ОИ |
с ОС |
с ОЗ |
Uвх, В |
1 |
1 |
1 |
Uвых, В |
10 |
11 |
12 |
Iвх, мА |
0,21 |
0,24 |
0,22 |
Iвых, мА |
0,98 |
1,0 |
0,99 |
s |
|
|
|
rвых |
|
|
|
rвх |
|
|
|
RЗС |
|
|
|
Рисунок 15– Передаточная характеристика (при R=100 Ом) полевого транзистора
Вывод: В данной работе изучила схемы включения и режимы работы полевого транзистора.
Для указанных схем включения определила следующие коэффициенты:
- коэффициент передачи по напряжению KU= ΔUСИ/ ΔUЗИ;
- крутизна s= ΔIС/ ΔUЗИ:
- дифференциальное (внутреннее) сопротивление rвых=ΔUСИ/ΔIС:
- дифференциальноесопротивлениеRЗС= ΔUЗС/ ΔIС.
Режим работы полевого транзистора в режиме покоя обеспечивается постоянным током стока IСП и соответствующим ему напряжением сток-исток UСИП. Этот режим обеспечивается напряжением смещения на затворе полевого транзистора Uзип. Это напряжение возникает на резисторе RИ при прохождении тока IСП (URИ = IСП RИ) и прикладывается к затвору благодаря гальванической связи через резистор R3. Резистор RИ, кроме обеспечения напряжения смещения затвора, используется также для температурной стабилизации режима работы усилителя по постоянному току, стабилизируя IСП. Чтобы на резисторе RИ не выделялась переменная составляющая напряжения, его шунтируют конденсатором Си и таким образом обеспечивают неизменность коэффициента усиления каскада. Сопротивление конденсатора Си на наименьшей частоте сигнала должно быть намного большим сопротивления резистора RИ.
Лабораторная работа № 6