Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Лабораторки правленное.docx
Скачиваний:
0
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
651.84 Кб
Скачать

Лабораторная работа №1

Исследование вольтамперной характеристики стабилитрона

Цель лабораторной работы: изучение действия электронно-дырочного перехода, исследование вольтамперной характеристики стабилитрона.

Используемое оборудование:

  • лабораторный модуль «Оптопара и стабилитрон»;

  • источник постоянного тока двухканальный.

Схема для построения ВАХ стабилитрона представлена на рисунке 1. Изменяя постоянное напряжение на входе схемы Uвх по показаниям приборовPAи PV снимаем и строим прямую и обратную ветвь ВАХ стабилитрона –Iпр=f(Uпр)и Iобр=f(Uобр), на которой обозначить характерные точки: Iст.min, Iст.max, Uст.min, Uст.max, Iст.ном, Uст.ном.

Рисунок 1 — Схема исследования характеристик стабилитрона

Таблица 1 -Опытные данные

Обратный

Прямой

Iвх, 10-3А

Uст, В

Iвх, 10-3А

Uст, В

0

-0,12

0,01

0,11

-0,04

-0,23

0,01

0,22

-0,06

-0,31

0,01

0,3

-0,08

-0,42

0,01

0,4

-0,11

-0,51

0,01

0,51

-0,24

-0,6

0,04

0,62

-0,59

-0,65

0,15

0,65

-0,90

-0,7

0,82

0,69

Рисунок 2 –ВАХ стабилитрона

Вывод: В данной работе ознакомились с принципом действия стабилитрона, изучили схемы включения стабилитрона и построили его вольтамперную характеристику.

Лабораторная работа № 2

Исследование характеристик биполярного транзистора

Цель работы: изучение параметров, характеристик биполярного транзистора.

Используемое оборудование:

- лабораторный модуль «Биполярный транзистор»

- источник постоянного тока двухканальный.

Рисунок – 3Схема исследования характеристик биполярного транзистора типа

n-p-n

Таблица 2 – Входная характеристика биполярного транзистора

Iб, мА

0,21

0,4

0,58

0,77

0,97

25

29

Uбэ

1

2

3

4

5

6

7

Рисунок 4 – Входная ВАХ биполярного транзистора

Рисунок - 5Схема исследования характеристик биполярного транзистора типа

p-n-p

Снимаем статические выходные характеристики для трёх значений тока базы: Iб1=0, Iб2=0,5Iбmax, Iб2=0,5 Iбmax (Iбmax=1мА).

Таблица 3 –Выходные характеристики биполярного транзистора

Iб=0мА

Iк, мА

0,92

1,1

2,3

15

18

Uкэ, В

2

4

6

8

9

Iб=16мА

Iк, мА

0,02

0,06

1,3

7,2

16

Uкэ, В

2

4

6

8

9

Iб=32 мА

Iк, мА

0,01

0,06

0,09

5,4

14

Uкэ, В

2

4

6

8

9

Рисунок 6 – Выходные ВАХ биполярного транзистора

Вывод: В данной работе ознакомилась с работой биполярного транзистора. Выяснила, что в транзисторе имеются 2 p-n перехода: эмиттерный и коллекторный. Транзистор может работать в трёх режимах в зависимости от напряжения на его переходах. При работе в активном режиме на эмиттерном переходе напряжение прямое, на коллекторном обратное. Режим отсечки (запирания) достигается подачей обратного напряжения на оба перехода. Если на обоих переходах напряжение прямое, то транзистор работает в режиме насыщения.

Входная характеристика практически не зависит от напряжения Uбэ. Выходные характеристики почти прямолинейны в широком диапазоне. Это видно из рисунков 4 и 6.

Лабораторная работа № 3