Лабораторная работа №1
Исследование вольтамперной характеристики стабилитрона
Цель лабораторной работы: изучение действия электронно-дырочного перехода, исследование вольтамперной характеристики стабилитрона.
Используемое оборудование:
лабораторный модуль «Оптопара и стабилитрон»;
источник постоянного тока двухканальный.
Схема для построения ВАХ стабилитрона представлена на рисунке 1. Изменяя постоянное напряжение на входе схемы Uвх по показаниям приборовPAи PV снимаем и строим прямую и обратную ветвь ВАХ стабилитрона –Iпр=f(Uпр)и Iобр=f(Uобр), на которой обозначить характерные точки: Iст.min, Iст.max, Uст.min, Uст.max, Iст.ном, Uст.ном.
Рисунок 1 — Схема исследования характеристик стабилитрона
Таблица 1 -Опытные данные
Обратный |
Прямой |
||
Iвх, 10-3А |
Uст, В |
Iвх, 10-3А |
Uст, В |
0 |
-0,12 |
0,01 |
0,11 |
-0,04 |
-0,23 |
0,01 |
0,22 |
-0,06 |
-0,31 |
0,01 |
0,3 |
-0,08 |
-0,42 |
0,01 |
0,4 |
-0,11 |
-0,51 |
0,01 |
0,51 |
-0,24 |
-0,6 |
0,04 |
0,62 |
-0,59 |
-0,65 |
0,15 |
0,65 |
-0,90 |
-0,7 |
0,82 |
0,69 |
Рисунок 2 –ВАХ стабилитрона
Вывод: В данной работе ознакомились с принципом действия стабилитрона, изучили схемы включения стабилитрона и построили его вольтамперную характеристику.
Лабораторная работа № 2
Исследование характеристик биполярного транзистора
Цель работы: изучение параметров, характеристик биполярного транзистора.
Используемое оборудование:
- лабораторный модуль «Биполярный транзистор»
- источник постоянного тока двухканальный.
Рисунок – 3Схема исследования характеристик биполярного транзистора типа
n-p-n
Таблица 2 – Входная характеристика биполярного транзистора
Iб, мА |
0,21 |
0,4 |
0,58 |
0,77 |
0,97 |
25 |
29 |
Uбэ,В |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
Рисунок 4 – Входная ВАХ биполярного транзистора
Рисунок - 5Схема исследования характеристик биполярного транзистора типа
p-n-p
Снимаем статические выходные характеристики для трёх значений тока базы: Iб1=0, Iб2=0,5Iбmax, Iб2=0,5 Iбmax (Iбmax=1мА).
Таблица 3 –Выходные характеристики биполярного транзистора
Iб=0мА |
Iк, мА |
0,92 |
1,1 |
2,3 |
15 |
18 |
Uкэ, В |
2 |
4 |
6 |
8 |
9 |
|
Iб=16мА |
Iк, мА |
0,02 |
0,06 |
1,3 |
7,2 |
16 |
Uкэ, В |
2 |
4 |
6 |
8 |
9 |
|
Iб=32 мА |
Iк, мА |
0,01 |
0,06 |
0,09 |
5,4 |
14 |
Uкэ, В |
2 |
4 |
6 |
8 |
9 |
Рисунок 6 – Выходные ВАХ биполярного транзистора
Вывод: В данной работе ознакомилась с работой биполярного транзистора. Выяснила, что в транзисторе имеются 2 p-n перехода: эмиттерный и коллекторный. Транзистор может работать в трёх режимах в зависимости от напряжения на его переходах. При работе в активном режиме на эмиттерном переходе напряжение прямое, на коллекторном обратное. Режим отсечки (запирания) достигается подачей обратного напряжения на оба перехода. Если на обоих переходах напряжение прямое, то транзистор работает в режиме насыщения.
Входная характеристика практически не зависит от напряжения Uбэ. Выходные характеристики почти прямолинейны в широком диапазоне. Это видно из рисунков 4 и 6.
Лабораторная работа № 3