23. Биполярлық транзисторлар. Қосу схемалары. Типтік қосылулардың эквивалент схемалары және олардың параметрлері

Транзистордың кез-келген қосылулары екі маңызды көрсеткішпен сипатталады:

• Ток бойынша күшейту коэффициенті І_шығ/І_кір;

• Кіріс кедергісі R_кір= U_кір/І_кір.

Ортақ базамен қосылу сұлбасы :

Бұл схема үшін, кіріс тогы эмиттер тогы болып саналады, ал шығыс – коллектор тогы болады.Дифференциалды R_кір транзисторы ОБ схемасында аз, ал R_шығ көп. Коллекторлық кернеу эмиттер тогына әсер етеді. ОБ сұлбасы диффернциалды тікелей токты беру коэффициентті сипатталады: α = ΔΙ_к / ΔΙ_э

Ортақ эмиттер қосылу сұлбасы :

Базаның кішігірім тогы кіріс тогы болып саналды, ал шығыс- коллекторлық болады. ОЭ сұлбасы кернеу және токты күшейтеді . R_кір және R_шығ ОБ схемасына қарағанда көбірек. ОЭ сұлбасы диффернциалды тікелей токты беру коэффициентті сипатталады: β = ΔΙ_к / ΔΙ_б онда β = α / (1-α), егер ΔΙ_к / ΔΙ_б = 1/ α.

Ортақ коллектормен қосылу сұлбасы :

Ортақ коллектор сұлбасында кіріс тогы база тогы болып есептелінеді, ал шығыс – эмиттер тогы болады.Бұл сұлба ток және қуат бойынша күшейтеді, бірақ кернеу бойынша күшейтпейді,сондықтан көп қолданбайды. ОК сұлбасында шығыс кедергісі аз және транзистордың барық қосылу сұлбасында кірісі көп . Бұл сұлба үшін тікелей токты беру коэффициетті:

ΔΙ_э / ΔΙ_б= β + 1

24 Биполярлық транзисторлар. Олардың типтері мен ерекшеліктері. Басқармалы p – n өткелі бар биполярлық транзисторлар

Биполярлық транзистор не транзистор деп электр тербелістерін күшейту мен генерация жасауға арналған және үш облыстан тұратын, кремний немесе германий пластинасы болып табылатын екі р—п ауысуы бар шала өткізгішті аспапты айтады. Екі шеткі облыстың әрқашан бірдей текті өткізгіштігі бар, ал ортадағы облыс қарама-қарсы түрдегі өткізгіштікте болады. Шеткі облыстарының электрондық өткізгіштігі, ал ортаңғысының кемтіктік өткізгіштігі бар транзисторлар п-р-п үлгілік транзисторлар деп аталады ал, ортаңғысының электрондық өткізгіштігі барлар р-п-р — үлгілік транзисторлар деп аталады.

Екі үлгілік транзисторларға жүріп жататын физикалык, процесстер өте ұқсас, олардың арасындағы айырмашылықтар мынада: олардың қоректендіру көздеріне қосылу полярлығы қарама-қарсы және де п-р-п үлгілік транзисторда электр тоғын негізінен электрондар түзетін болса, ал р-п-р үлгілік транизсторда — кемтіктер түзеді. р-п ауысулар бір-бірінен бөлінген шектес облыстар, эмиттер Э, база Б және коллектор К деп аталады.

Транзистордың жұмыс істеуі кезінде сол жақтағы р-п ауысуын тура бағыттағы эмиттер — база кернеуі Uэқ беріледі, оң жақтағы р-п ауысуына кері база — коллектор кернеуі Uэ-қ беріледі. Электр өрісінің әсерінен сол жақтағы облыстан (эмиттерден) заряд тасушылардың көп бөлігі р-п ауысуын басып өтіп, өте енсіз ортаңғы облысқа (базаға) өтеді. Заряд тасушылардың көп бөлігі одан әрі екінші ауысуға қарай қозғала отырып, оған жақындағаннан кейін, кернеу көзі Uэкқ тудыратын электр өрісінің ықпалына түседі.

Базаға эмиттерден келген заряд тасушылардың шамалы бөлігі қарама-қарсы полярлықтағы еркін заряд тасушылармен рекомбинацияланады (бейтараптанады), олардың азаюын база тоғы Iб-ны құрайтын сыртқы тізбектен келетін жаңа заряд тасушылар толықтырылып отырады. Сөйтіп, коллектор тоғы Iқ= Iэ - Iб — эмиттер тоғынан шамалы ғана кіші болып шығады.U б-к =сопst болғандағы а = Iк/ Iэ қатынасы ток бойынша күшейту коэффициенті деп аталып, әдеттегі мәндері а = 0,9 —0,995-ке тең болады.

Транзистор электр тербелістерін күшейткіш ретінде жұмыс істеген кезде айнымалы кірістік кернеуді U эмиттер мен база арасындағы тұрақты ығысу кернеуінің U көзімен тізбектеп қосып береді, ал шығыс кернеуі Uшығ жүктеме резисторынан Rж алынады.