Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
2222222.doc
Скачиваний:
0
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
37.85 Mб
Скачать

Резистори змінні (недротяні і напівпровідникові).

Напругу в ланцюгах радіоелектронної апаратури регулюють потенціометрами — недротяними змінними резисторами з плавною зміною опору. Найбільшого поширення набули потенціометри наступних типів: СП (а) — опори змінні від 470 Ом до 5 Мом на розсіювану потужність 0,25..,2 Вт; СПО (е) — опори змінні об'ємні від 47 Ом до 4,7 Мом на розсіювану потужність 0,15... 2 Вт; ТК, ТКД, ВК і ВКУ, які мають приблизно такуж будову, як і СП, але дещо більший діаметр (ТК виготовляється з однополюсним вимикачем, ТКД — з двополюсним, ВК — без вимикача, а ВКУ — з одним або двома додатковими відведеннями для підключення RС-ланцюгів тонкоррекції), опором від 2,5 кОм до 7,5 мОм на розсіювану потужність 0,2..0,5 Вт; СПЗ — малогабаритні з вимикачем (б) і без нього (в).

Потенціометри мають три виводи: два від кінців струмопровідного шару і середній від щітки повзунка, УГП потенціометра на схемах показано на мал. к, зліва, а підстроєчного резистора — на рис. к, зправа.

Окрім одинарних, застосовуються здвоєні змінні резистори (г); варіанти УГП їх на схемах показані на мал. к.

По характеру зміни опору залежно від кута повороту осі а' змінні недротяні резистори випускаються з наступними функціональними характеристиками (д): А — лінійні; Б — логарифмічні; У — зворотньологарифмічні. Характеристики Е і И мають здвоєні змінні резистори із загальною віссю, застосовувані в регуляторах стереобаланса двох канальних стереофонічних пристроїв; один з них включається в лівий канал, інший — в правий.

Маркування змінних резисторів і БЦП їх на схемах — такі ж, як і постійних (див. п. 5).

Для стабілізації роботи радіоелектронної апаратури використовуються напівпровідникові резистори — терморезистори (з) і варистори (л). Основний параметр перших — температурний коефіцієнт опору (ТКС), залежно від якого терморезистори діляться на терморезистори з негативним ТКС і з позитивним ТКС. Номінальний опір терморезисторів складає 1 Ом... 10 Мом. Широкого поширення набули мідно- і кобальто-марганцеві терморезистори. Маркування їх складається з букв і цифр : СТ — опір термочутливий; перша цифра — код матеріалу, друга — код конструкції або номер розробки. УГП і БЦП терморезистора з позитивним ТКС на схемах показані на мал.иі.

Варистори — це нелінійні напівпровідникові резистори, опір яких залежить від прикладеної напруги. Вони випускаються двох видів: стержневі і дискові (л). Букви і цифри в маркуванні варисторів розшифровуються так: СН — опір нелінійний; перша цифра— вживаний матеріал, друга — конструкція (1 — стрижньова, 2 — дискова), Третя, — порядковий номер розробки; потім указується номінальна напруга (у вольтах) і її допустиме відхилення (у відсотках). УГП і БЦП варистора на схемах дані на мал. м.

Резистори змінні (дротяні).

Конструкція змінних дротяних резисторів, використовуваних в радіоелектронній апаратурі, залежить від призначення і місця установки в пристрої. При внутрішній установці такі резистори (е) можуть мати лінійну або функціональну залежність опору від переміщення рухомого контакту і виконуються як з круговим, так і з прямолінійним переміщенням рухомого контакту. Межі зміни їх опору складають 10 Ом...47 кОм при допустимій розсіюваній потужності 1 ...5 Вт. Широкого поширення набули змінні резистори групи ПП1, а також малогабаритні підстроєчні резистори групи СП5. УГП на схемах резистора з плавним регулюванням опору показані на мал. ж: зліва — загальне позначення, справа — змінний резистор, у якого не використовується один висновок.

При зовнішній установці для регулювання струму в процесі наладки апаратури використовуються дротяні реостати (в), опір яких плавно змінюється за рахунок поступального переміщення рухомого контакту. УГО на схемах резистора в реостатному включенні показано на мал. г.

Для ступінчастої зміни опору застосовуються резистори типу ПЭВР (а) — дротяні емальовані вологостійкі регульовані резистори, аналогічні постійним резисторам типу ПЭВ, але у них на бічній поверхні знятий шар емалі у вигляді доріжки, по якій ковзає контактний хомутик. Номінальний опір резисторів ПЭВР знаходиться в межах 3 Ом...2,7 кОм. УГП на схемах резисторів із ступінчастим регулюванням опору дані на мал. з.

Дротяні резистори можуть бути виготовлені з додатковими виводами (б). УГП їх на схемах показані на мал. д. Якщо виводів більше двох, то довгу сторону позначення допускається збільшувати, як на мал. д, внизу.

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]