Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
2222222.doc
Скачиваний:
0
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
37.85 Mб
Скачать

1 Монтаж друкованих плат. Взяти в Лазаріва.

ваааааааааааааааааааааааааааааааааааваааааааааааааааааааааааааааааааааааваааааааааааааааааааааааааааааааааааваааааааааааааааааааааааааааааааааааваааааааааааааааааааааааааааааааааааваааааааааааааааааааааааааааааааааааваааааааааааааааааааааааааааааааааааваааааааааааааааааааааааааааааааааааваааааааааааааааааааааааааааааааааааваааааааааааааааааааааааааааааааааааваааааааааааааааааааааааааааааааааааваааааааааааааааааааааааааааааааааааваааааааааааааааааааааааааааааааааааваааааааааааааааааааааааааааааааааааваааааааааааааааааааааааааааааааааааваааааааааааааааааааааааааааааааааааваааааааааааааааааааааааааааааааааааваааааааааааааааааааааааааааааааааааваааааааааааааааааааааааааааааааааааваааааааааааааааааааааааааааааааааааваааааааааааааааааааааааааааааааааааваааааааааааааааааааааааааааааааааааваааааааааааааааааааааааааааааааааааваааааааааааааааааааааааааааааааааааваааааааааааааааааааааааааааааааааааваааааааааааааааааааааааааааааааааааваааааааааааааааааааааааааааааааааааваааааааааааааааааааааааааааааааааааваааааааааааааааааааааааааааааааааааваааааааааааааааааааааааааааааааааааваааааааааааааааааааааааааааааааааааваааааааааааааааааааааааааааааааааааваааааааааааааааааааааааааааааааааааваааааааааааааааааааааааааааааааааааваааааааааааааааааааааааааааааааааааваааааааааааааааааааааааааа

Мікросхеми. Інтегральні мікросхеми.

У відповідності з прийнятою технологією мікросхема - це мікроелектронний виріб, який має густину монтажу не менше п'яти елементів в одному кубічному сантиметрі об'єму, який займає схема, і розглядається як єдине конструктивне ціле.

Інтегральна мікросхема (ІМС) представляє обою мікросхему, всі або частина елементів якої нероздільно зв'язані і електричко з'єднані між собою так, що пристрій розглядається як єдине ціле.

Гібридна інтегральна мікросхема - це інтегральна мікросхема, частина елементів якої має самостійне конструктивне оформлення.

Напівпровідникова інтегральна мікросхема - це інтегральна мікросхема, елементи якої виконані в об'ємі і (або) на поверхні напівпровідникового матеріалу.

Інтегральні мікросхеми, які вміщують більше 100 елементів, прийнято називати, великими інтегральними схемами (ВІС)

Збільшення степенів інтеграції мікросхем і пов'язане з цим зменшення розмірів елементів мають відповідні межі. Інтеграція більше декількох тисяч елементів є економічно недоцільною і технологічно важко виготовляти. Тому більш перспективною є функціональна мікроелектроніка, яка дозволяє реалізувати відповідну функцію апаратури без використання базових елементів. В функціональній мікроелектроніці використовуються різноманітні фізичні явища, які покладені в основу оптоелектроніки, акустоелектроніки, магнетоелектроніки і т.д.

В сучасних гібридних ІМС пасивні елементи (резистори, конденсатори, контактні площадки і внутрішньосхемні з'єднання) виготовляються шляхом послідовного нанесення на підкладку (поверхню) плівок із різних матеріалів, а активні елементи (діоди, транзистори і інші) виконуються у вигляді окремих (дискретних) навісних деталей (в мініатюрному або безкорпусному оформленні).

На відміну від гібридних ІМС, які складаються з двох різних типів елементів (плівкових і навісних), напівпровідникові інтегральні мікросхеми складаються із єдиного кристалу напівпровідника, окремі (локальні) області якого виконують функцію активних і пасивних елементів, між якими існують необхідні електричні з'єднання і ізолюючі прошарки.

Напівпровідникові ІМС мають більш високу степінь інтеграції елементів (вище 104 елементів (см3) і дозволяють одержувати максимальну надійність, так як кількість з'єднань в них зведено до мінімуму.

Великою інтегральною схемою (ВІС) називається така схема, в корпусі якої на одній пластині (або в її об'ємі) міститься велике число (104 і більше) схемних комірок, з'єднаних між собою в складну функціональну схему. Головна мета переходу в напівпровідникові ІМС до ВІС - одержання більш високих якісних показників і більшої надійності електронних пристроїв при менших затратах. Збільшення надійності ВІС зумовлено головним чином використанням більш якісних компонентів, зменшення кількості зварних з'єднань і числа технологічних операцій.

Функціональна мікроелектроніка пропонує принципово новий підхід до створення електронної апаратури, який дозволяє реалізувати певну функцію того або іншого електронного пристрою шляхом безпосереднього використання фізичних явищ в твердому тілі. Подають такі властивості, які потрібно для виконання даної функції. В якості матеріалу для побудови функціональних пристроїв можуть виступати не тільки напівпровідники, але і зверхпровідники, діелектрики і.т.д. Для переробки інформації в фунціональних пристроях використовується фізичні явища, не зв'язані обов'язково з електропровідністю наприклад оптичні і магнітні явища, поширення ультразвуку.

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]