Розшифровка напівпровідникових елементів.

1 елемент - це буква або цифра, яка вказує на вихідний матеріал (буква Г або 1 - германій, буква К або 2 — кремній, буква А або 3 - арсенід гелію).

2 елемент - це буква, що характеризує клас або групу елементів;

Д — випрямляючі, імпульсні, універсальні діоди.

Т - транзистори;

В - варікап;

А - зверхвисокочастотний діод;

Ф - фотоприлади;

Н або У відповідно неуправляючі і управляючі багатоша­рові переключаючі прилади;

И - тунельні діоди;

С - стабілітрон;

Ц - випрямляючі стовпці і блоки.

3 елемент - це число, яке вказує на призначення або електричні властивості приладів.

4 елемент - буква, яка вказує на класифікаційну групу даної розробки приладу.

Приклад:

КС 147; KB 102; КД 202; КУ 201 Л; КТ 315А; КЦ 402.

Кольорове маркування стабілітронів і стабісторів

Т ранзистори.

Транзистори це напівпровідникові прилади з трьома електродами (виводами), призначені для підсилення і генерації електричних коливань. По роду застосовуваних напівпровідникових матеріалів, транзистори поділяють на германієві і кремнієві. Транзистори, потужність віддачі яких вище десятих долей вата, називають потужними, а гранична частота яких вища 10мГц високочастотними.

У транзистора три виводи: база (б), емітер(б) і колектор (к) (мал. ). Якщо через ділянку база-емітер пропустити слабкий струм, він буде підсилений транзистором у десятки і навітъ сотні разів. Підсилений струм потече через ділянку колектор-емітер. Ці напівпровідникові прилади можуть бути структури р-n-р або n-р-n.

Всередині транзистор складається з кристала, з вбудованим подвійним p-n переходом (як два зустрічно включених діоди таким чином вони представляють бар'єр для струму будь-якої полярності). Та варто подати пряму напругу на базовий вивід, як бар'єр зменшиться і потече струм між колектором і емітером. Таким чином можна регулювати великий струм колектора малим струмом база-емітера

	Опис
	Транзистор типу p-n-p
	Транзистор типу n-p-n
	Польовий транзистор з p-n переходом, n-каналом
	Польовий транзистор з p-n переходом, р-каналом
	Польовий з ізольованим затвором, n-каналом
	Польовий з ізольованим затвором, р-каналом

Маркування транзисторів.

По старій системі позначень маркування транзисторів складається із трьох основних і четвертого додаткового елементу

1 елемент - букви П (напівпровідниковий тріод) або МП (в уніфікованому корпусі однотипні).

2 елемент - цифри, які означають класифікаційний номер в залежності від вихідного матеріалу і потужності розсіювання.

Таблиця № 1. Класифікаційні позначення транзисторів по другому елементу.

Потужність розсіювання	Вихідний матеріал	Другий елемент
		Низькочастотні до 5 мГц	Високочастотні більше 5 м Гц
До 0,25 Вт	Германій Кремній	1 - 99 101-199	401- 499 501- 599
Більше 0,25	Германій Кремній	201- 299 301- 399	601- 699 701 - 799

3 елемент - буква, яка означає різновидність транзистора даного типу по параметрах.

4 елемент - буква И, що означає імпульсний варіант транзис­тора.