
- •8. Микроэлектронды құрылымдарды құрудың базалық физика – химиялық әдістері.
- •16. Гибридті интеграл микросхемалар конструкциясын түсіндіріңіз
- •18. Жұқа кабықтарды алу әдістерін түсіндіріңіз
- •19. Интеграл микросхемалар үшін төсенішке (подложка) сипаттама беріңіз
- •20. Жұқа қабықты резисторларды түсіндіріңіз
- •21. Жұқа қабықты конденсаторларды түсіндіріңіз
- •22. Жұқа қабықты интеграл микросхемалардағы индуктивті элементтерге сипаттама беріңіз
- •23. Гибридті интеграл микросхемалар үшін корпустарға сипаттама беріңіз
- •24. Интеграл микросхемаларды жобалауда бастапқы және схематикалық деректерді түсіндіріңіз
- •25. Интеграл микросхемаларды жобалауда технологиялық және конструкциялық деректерді түсіндіріңіз
- •26. Жобалау топологиясы және гибридті интеграл микросхемалар конструкциясын түсіндіріңіз
- •27. Үлкен интегралдық микросхемалар негізгі параметрлері және жалпы сипаттамасын түсіндіріңіз
- •28. Үлкен интегралдық микросхемаларды қолдану және классификациясын түсіндіріңіз
- •29. Үлкен интегралдық микросхемалардағы база элементтерін түсіндіріңіз
- •30. Шалаөткізгіштік үлкен интегралдық микросхемаларды алу технологиясы және конструкциясын түсіндіріңіз
- •31. Жеке кристаллдардағы үлкен интегралдық микросхемаларды түсіндіріңіз
- •32.Гибридті үлкен интегралдық микросхемаларды алу технологиясы және конструкциясын түсіндіріңіз
- •33 Жұқа қабықты гибридті үлкен интегралдық микросхемаларды алу технологиясын түсіндіріңіз
- •34. Қалың қабықты гибридті үлкен интегралдық микросхемаларды алу технологиясын түсіндіріңіз
- •35. Көп қабатты керамика негізіндегі гибридті үлкен интегралдық микросхемаларды алу технологиясын түсіндіріңіз
- •37. Үлкен интегралдық микросхемаларды жобалаудың негізгі этаптарын түсіндіріңіз
- •38. Үлкен интегралдық микросхемаларды жобалау ерекшеліктерін түсіндіріңіз
- •39 .Үлкен интегралдық микросхемаларды жобалаудың негізгі мәселелері және кедергілерін түсіндіріңіз
- •40 .Интегралдық микросхемалардың схематехникалық ерекшеліктерін түсіндіріңіз
- •41 .Биполярлы транзисторлы сандық интегралды микросхемалардың негізгі типтерін түсіндіріңіз
- •42 .Микроқуатты логикалық интегралдық микросхемаларға сипаттама беріңіз
- •43 .Сандық микросхемалар дамуына сипаттама беріңіз
- •44 .Шалаөткізгіштік сандық электрониканың элементтерін түсіндіріңіз
- •45 .Импуьсті сигнал және оның негізгі сипаттамаларын түсіндіріңіз
- •1. Сурет. Кернеуді резистивті бөлгіштің (а), rс буындарын (звеньев) дифференциялдаушы (б) және интегралдаушы (в) схемалары
- •2. Сурет. Шығысында тізбектерді әр түрлі уақытпен τ : дифференциялдаушы (а) және интегралдаушы (б) ұзақтықпен идеалды тікбұрышты импульстің графиктері.
- •1. Сурет. Уго Шеффердің (а) және Пирстің (б) элементтері.
- •2 Сурет. Шеффердің элементтерінде және (а), немесе (б) және емес (в) функцияларын жүзеге асыру.
- •3. Сурет. Пирстің элементтерінде және (а), немесе (б), емес (в) логикалық функцичяларын жүзеге асыру.
- •4.Сурет. Және элементін кілт ретінде қолдану: а – схема; б – уақытша диаграммалар.
- •48.Интегралды схемалардың базалық логикалық элементтерін түсіндіріңіз
- •1 Сурет. Ттл сериясының базалық логикалық элементі: а – принципиальді схема; б – кіріс каскадының эквивалентті схемасы
- •50. Мультиплексор және демультиплексорға сипаттама беріңіз
- •51. Шифраторлар және дешифраторларға сипаттама беріңіз
- •53.Санды-аналогтық түрлендіргіштерді түсіндіріңіз
- •54.Аналогты-сандық түрлендіргіштерді түсіндіріңіз
- •55.Электрондық есте сақтау құрылғыларын түсіндіріңіз
- •56.Аналогтық интеграл микросхемалардың негізгі типтерін түсіндіріңіз
- •57.Микропроцессор. Микропроцессорлы жүйе туралы түсіндіріңіз
- •58.Өте жоғары жиілікті диапазонда интегралдық микросхемаларға сипаттама беріңіз
- •60.Интегралдық микросхемалар және үлкен интегралдық микросхемаларды қолдану негіздерін түсіндіріңіз
21. Жұқа қабықты конденсаторларды түсіндіріңіз
Гибридті ИМС-тің пленкалы конденсаторларын вакуумды тозаңдану жағдайында жасайды. Бұл үшін кем дегенде үш тозаңдану керек: төменгі өткізгіш қоршаудың, диэлектрлік пленканың және жоғары өткізгіш қоршаудың (1 сурет). Пленкалы конденсаторларды дайындау процесін қиындататындықтан және қымбат болғандықтан пленкада екі қоршаудан артық қолдану ұсынылмайды.
Пленкалы конденсатордың сыйымдылығы жазық конденсатордың формуласымен анықталады:
(1)
мұндағы С – сыйымдылық, пФ; ε – диэлектрлік өткізгіштік; S – қоршаудың ауданы, см2 ; d – диэлектриктің қалыңдығы, см.
Егер қоршаудың саны n-ге тең болса, онда конденсатор сыйымдылығы:
(2)
1 сурет. Жұқа пленкалы конденсатордың жалпы түрі: 1-жоғары өтетін қоршау; 2-диэлектрлік пленка; 3-төменгі өтетін қоршау; 4-подложка.
Пленкалы конденсатордың параметрлері мен қасиеттерін анықтайтын элемент – диэлектрик. Диэлектрик есебінде қажетті электрофизикалық қасиеттері бар қуыс емес жұқа пленкаларды құрай алатын изоляционды материалдар қолданады. Диэлектрикті пленкаларды жасайтын материал мына талаптарға сәйкес болу керек: материалдың подложкасымен және металмен мықты байланысу керек, тығыз болу керек және температуралық циклдардың әсері кезінде механикалық бұзылуларға жол бермеу керек, мықты жоғары кернеуі және аз диэлектрлік шығындарға ие болу керек, жоғары диэлектрлік өткізгіштігі және минималды гигроскопиялы болу керек, сондай-ақ тұндыру және булану процесінде ыдырап кетпеу керек. Сонымен қатар, материалдың булану температурасы 1000-1800°С диапазонда жату керек, өте төмен температура атомдардың қатты жылжуына мүмкіндік береді. Ал жоғары булану температурасы кезінде буландырғышты құру кезінде қиындықтар туғызады.
22. Жұқа қабықты интеграл микросхемалардағы индуктивті элементтерге сипаттама беріңіз
Кез келген радиотехникалық құрылғылардағы секілді микросхемаларға индуктивті элементтер керек болады. Индуктивтілік жиілікке байланысты болып келеді. 0,1; 0,5; 1,0; 5,0; 10,0; 50,0; 100,0 МГц жиілікте максималды индуктивтіліктің есептелген мағынасы 10000; 1 000; 350; 35; 15; 1,5; 0,5 мкГн болады.
Мұндай катушканың төзімділігі Q схемада берілген немесе орындалған функцияға байланысты.
1 – сурет. Жіңішкепленкалы спиральды индуктивті элемент:
1 – подложка; 2 – изоляциялық пленка; 3 – токөткізгішті пленка
Гибридті ИМС үшін шағын индуктивтілікті екі жол арқылы алуға болады: вакуумды буландыру әдісінің сәйкес келетін маскасы арқылы подложкаға өткізгіш спиральдар тұндыру (1 - сурет) және магнитті сердечниктермен кішкентай айналмалы катушкалар дайындау.
Негізінен, шыныдағы индуктивті элементтер кремниийдегі төзімділікке қарағанда көбірек төзімділікке ие, дегенмен, керекті шарттардың барлығымен қамтамасыз ете алмайды. Индуктивтіліктің тозаңдатпалы катушкалары тікбұрышты спиральдың формасына да ие бола алады. Дегенмен барлық жағдайда жарамды габариттерде 5 мкГн – ден жоғары индуктивтілік алына бермейді. Кейбір жағдайларда мұндай индуктивтілік жеткілікті болуы мүмкін. Әдетте конструкторлар 30 МГц – тен төмен жиілікте жұмыс жасайтын, жіңішкепленкалы микросхемаларда индуктивтіліктің тозаңдатпалы катушкаларын қолдана бермейді.
Жалпақ спираль формасында орындалған катушканың индуктивтілігін келесі жуықталған формуламен анықтауға болады:
мұндағы
L
–
индуктивтілік, мкГн;
-
D2/D1
қатынасына
байланысты коэффициент (1 - сурет);
d
– спираль
қадамы, мм;
D1
және
D2
–
спиральдың ішкі және сыртқы диаметрі,
мм.
Берілген төзімділікте Q орамның ені мына формула бойынша табылады:
Мұндағы b0 – орамның кеңдігі, мм; ρ – пленка материалының салыстырмалы кедергісі, Ом·см; f - жұмыс жиілігі, МГц; t – өткізгіш қабаттың қалыңдығы, мм.
Подложканың екі жағына екі спиральды қаптайтын болсақ, онда пленкалы трансформатор алуға болады. Спираль тәріздес бірінші және екінші орамды бөлуші подложканың қалыңдығы өзара индуктивтілікті анықтайды. Бұл кездегі өзара индуктивтіліктің коэффициенті өте аз, себебі, подложканың материалы диамагнитті болып табылады.
Интегралды микорсхемада орындалған жүйедегі қажеттілік кезінде арнайы ферриттен немесе ұнтақталған темірден жасалған сердечниктері бар кішкентай айналмалы катушкаларды қолдануға болады. Бұл катушкаларды гибридті ИМС – ның кейбір типтерінде және ТО – 5 типті корпустарда орналастыруға болады.