Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Ответики по электронненькому контрастику.docx
Скачиваний:
0
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
1 Mб
Скачать
  1. Запишите уравнения Хови-Вилана для неидеального кристалла в двухлучевом приближении и расшифруйте использованные обозначения.

В уравнение Хови-Уэлана вводим функцию учитывающую несовершенства кристалла:

Где dgu/dz – производная по смещению – деформация, ………………..

  1. С чем связаны осцилляции интенсивности падающей и дифрагированной волн в совершенном кристалле?

  2. Как меняется период осцилляций интенсивности падающей волны при увеличении углового отклонения от точного брегговского положения?

Период осцилляции меняется по формуле:

Если отклонение s<<1/ξj , то период осцилляции – экстинкционная длина. Увеличивая угловое отклонение период тоже увеличивается.

  1. С чем связаны экстинкционные полосы на электронномикроскопических изображениях? Когда они проявляются?

Изгибы металлической фольги приводят к появлению темных изгибных экстинкционных контуров, из за того, что на некоторых участках будет выполняться условие ВБ. В случае кристалла переменной толщины (край фольги, наклонная граница зерна) появляются толщинные экстинкционные контуры, связанные с интерференцией электронов. При прохождении сравнительно толстого участка образца энергия дифрагированного излучения – падает, с уменшением – растет. Толщина кристалла при которой интенсивность дифрагированных лучей становится равна нулю называется длиной экстинкции.

  1. Каков порядок экстинкционных длин в электронной микроскопии? Как меняется длина экстинкции с ростом порядкового номера?

Длина экстинкции равна: ; Vяч – объем элементарной ячейки, Θ – дифракционный угол, λ – длина волны излучения, FHKL – структурная амплитуда отражения (HKL). Локальное изменение экстинкционной длины в месте залегания частицы можно представить как именение толщины кристалла в этом участке на величину Δt=ξgmh(1/ξgb-1ξgm). Наиболее сильно интенсивность дифрагированного излучения меняется при t/ξgm = ¼, ¾, …

Для более тяжелых частиц контраст такой же как и для толстых участков образца.

  1. Каковы причины формирования ориентационного контраста?

Различие кристаллической структуры матрицы и фазы находящиеся в различном положении по отношению к ориентировке, соответствующей точному Брегговскому положению. Когда интенсивность дифрагированного излучения в области расположения частицы больше чем вдали от частицы.

  1. Каковы причины формирования экстинкционного контраста?

Элементный состав частиц отличается от состава матрицы, т.е. отличается средний атомный номер, а значит и атомная амплитуда рассеяния f.