
- •Что такое контраст? Чем контраст отличается от яркости?
- •Каковы возможные причины контраста при анализе биологических объектов?
- •В чем различие хода лучей при формировании изображений в светлом и в темных полях?
- •Почему включения, ярко святящиеся в темном поле, имеют низкую яркость в светлом поле?
- •Каковы возможные причины того, что включения имеют низкую яркость как в светлом, так и в темном поле поле? Как в этом убедиться?
- •Какие действия оператора могут изменить вид изображений при дифракционном контрасте?
- •Какие действия оператора могут изменить вид изображений при абсорбционном контрасте?
- •В каких экспериментальных условиях наблюдается фазовый контраст?
- •С чем связаны осцилляции интенсивности при фазовом контрасте?
- •Почему при фазовом контрасте диагностируются изменения атомного состава и микродеформаций?
- •При каких условиях возникают картины муара?
- •Чем муар отличается от прямого разрешения решетки?
- •На каких элементах структуры происходит рассеяние электронных волн?
- •В чем состоит колонковое приближение? Почему оно характерно для электронной микроскопии?
- •В чем состоит кинематическое приближение? Когда оно реализуется?
- •Запишите уравнения Хови-Вилана для неидеального кристалла в двухлучевом приближении и расшифруйте использованные обозначения.
- •Как меняется период осцилляций интенсивности падающей волны при увеличении углового отклонения от точного брегговского положения?
- •С чем связаны экстинкционные полосы на электронномикроскопических изображениях? Когда они проявляются?
- •Каков порядок экстинкционных длин в электронной микроскопии? Как меняется длина экстинкции с ростом порядкового номера?
- •Каковы причины формирования ориентационного контраста?
- •Каковы причины формирования экстинкционного контраста?
Запишите уравнения Хови-Вилана для неидеального кристалла в двухлучевом приближении и расшифруйте использованные обозначения.
В уравнение Хови-Уэлана вводим функцию учитывающую несовершенства кристалла:
Где dgu/dz – производная по смещению – деформация, ………………..
С чем связаны осцилляции интенсивности падающей и дифрагированной волн в совершенном кристалле?
Как меняется период осцилляций интенсивности падающей волны при увеличении углового отклонения от точного брегговского положения?
Период осцилляции меняется по формуле:
Если отклонение s<<1/ξj , то период осцилляции – экстинкционная длина. Увеличивая угловое отклонение период тоже увеличивается.
С чем связаны экстинкционные полосы на электронномикроскопических изображениях? Когда они проявляются?
Изгибы металлической фольги приводят к появлению темных изгибных экстинкционных контуров, из за того, что на некоторых участках будет выполняться условие ВБ. В случае кристалла переменной толщины (край фольги, наклонная граница зерна) появляются толщинные экстинкционные контуры, связанные с интерференцией электронов. При прохождении сравнительно толстого участка образца энергия дифрагированного излучения – падает, с уменшением – растет. Толщина кристалла при которой интенсивность дифрагированных лучей становится равна нулю называется длиной экстинкции.
Каков порядок экстинкционных длин в электронной микроскопии? Как меняется длина экстинкции с ростом порядкового номера?
Длина
экстинкции равна:
;
Vяч – объем элементарной
ячейки, Θ – дифракционный угол, λ –
длина волны излучения, FHKL
– структурная амплитуда отражения
(HKL). Локальное изменение
экстинкционной длины в месте залегания
частицы можно представить как именение
толщины кристалла в этом участке на
величину Δt=ξgmh(1/ξgb-1ξgm).
Наиболее сильно интенсивность
дифрагированного излучения меняется
при t/ξgm
= ¼, ¾, …
Для более тяжелых частиц контраст такой же как и для толстых участков образца.
Каковы причины формирования ориентационного контраста?
Различие кристаллической структуры матрицы и фазы находящиеся в различном положении по отношению к ориентировке, соответствующей точному Брегговскому положению. Когда интенсивность дифрагированного излучения в области расположения частицы больше чем вдали от частицы.
Каковы причины формирования экстинкционного контраста?
Элементный состав частиц отличается от состава матрицы, т.е. отличается средний атомный номер, а значит и атомная амплитуда рассеяния f.