- •1)Класификация Полупроводниковых приборов.
- •2.Электронно-дырочный период.
- •3.Полупроводниковые диоды :классификация обозначение.
- •4.Полупроводниковые резисторы.
- •5.Биполярные транзисторы: устройство, принцип действия.
- •6.Полевые транзисторы : классификация.
- •7.Тиристоры: условные обозначения и устройство, параметры, характеристики.
- •8.Варисторы.
- •9.Фотоэлектрические приборы: классификация.
- •10.Фоторезисторы: параметры, достоинства, схема включения.
- •12.Фотодиоды. Режимы работы.
- •13.Фототранзисторы.
- •15.Терморезисторы.
- •17.Электронные вольтметры. Структурная схема.
- •18.Усилители: параметры, обратная связь в усилителях.
- •19.Уселители постоянного тока. Усилители мощности, напряжения.
- •30.Триггеры, назначение, разновидности.
- •32.Микропроцессоры, назначение, состав.
- •44.Гибридные и полупроводниковые микросхемы.
- •45.Классификация интегральных микросхем.
44.Гибридные и полупроводниковые микросхемы.
Гибридные(ГИМС)-элементы нанесены посредством различных пленок на поверхности основания потому их ещё иногда называют пленочными. Полупроводниковые(ПИМС)-электронное уст-во все элементы которого выполнены на поверхности полупроводников(диодов или транзисторов)
45.Классификация интегральных микросхем.
Все ИМС характеризуются степенью интеграции –кол-во элементов на плане. А)малая степень интеграции от 10 до 100 Б)средняя от 100 до 1000 В)большая Бис выше 1000 элементов Гибридные(ГИМС)-элементы нанесены посредством различных пленок на поверхности основания потому их ещё иногда называют пленочными. Полупроводниковые(ПИМС)-электронное уст-во все элементы которого выполнены на поверхности полупроводников(диодов или транзисторов)