
- •1)Класификация Полупроводниковых приборов.
- •2.Электронно-дырочный период.
- •3.Полупроводниковые диоды :классификация обозначение.
- •4.Полупроводниковые резисторы.
- •5.Биполярные транзисторы: устройство, принцип действия.
- •6.Полевые транзисторы : классификация.
- •7.Тиристоры: условные обозначения и устройство, параметры, характеристики.
- •8.Варисторы.
- •9.Фотоэлектрические приборы: классификация.
- •10.Фоторезисторы: параметры, достоинства, схема включения.
- •12.Фотодиоды. Режимы работы.
- •13.Фототранзисторы.
- •15.Терморезисторы.
- •17.Электронные вольтметры. Структурная схема.
- •18.Усилители: параметры, обратная связь в усилителях.
- •19.Уселители постоянного тока. Усилители мощности, напряжения.
- •30.Триггеры, назначение, разновидности.
- •32.Микропроцессоры, назначение, состав.
- •44.Гибридные и полупроводниковые микросхемы.
- •45.Классификация интегральных микросхем.
12.Фотодиоды. Режимы работы.
Фотодиод — приёмник оптического излучения, который преобразует попавший на его фоточувствительную область свет в электрический заряд за счёт процессов в p-n-переходе. Принцип работы: При воздействии квантов излучения в базе происходит генерация свободных носителей, которые устремляются к границе p-n-перехода. Ширина базы (n-область) делается такой, чтобы дырки не успевали рекомбинировать до перехода в p-область. Ток фотодиода определяется током неосновных носителей — дрейфовым током. Быстродействие фотодиода определяется скоростью разделения носителей полем p-n-перехода и ёмкостью p-n-перехода Cp-n Фотодиод может работать в двух режимах: фотогальванический — без внешнего напряжения фотодиодный — с внешним обратным напряжением Особенности: -простота технологии изготовления и структуры -сочетание высокой фоточувствительности и быстродействия -малое сопротивление базы -малая инерционность
13.Фототранзисторы.
Фототранзи́стор — оптоэлектронный полупроводниковый прибор, вариант биполярного транзистора. Отличается от классического варианта тем, что область базы доступна для светового облучения, за счёт чего появляется возможность управлять усилением электрического тока с помощью оптического излучения.
Фототранзистор имеет структуру n-p-n или p-n-p транзистора и может усиливать ток. Дырки электронно-дырочных пар, рождённых излучением, находятся в базе, а электроны переходят в эмиттер или коллектор. При увеличении положительного потенциала базы происходит усиление фототока за счёт инжекции электронов из эмиттера в базу.
Биполярный фототранзистор — полупроводниковый прибор с двумя p-n переходами — предназначен для преобразования светового потока в электрический ток.
14.Выпрямители: назначение, структурная схема. Преобразование переменного тока в пульсирующий осуществляет в выпрямителе ,процесс уменьшения пульсации наз.сглаживанием и осуществляеся сглаживающими фильтрами причём фильтр входит в состав выпрямительной установки. Виды:1)однополупериодный –используются там где нужен ток более 10 МА 2)двухполупериодный - используются для получения выпремленного тока более 10 МА 3)мостовые выпрямители –приминяются там где нужно получитьбольщое значение мощности
15.Терморезисторы.
Терморезистор — полупроводниковый резистор, в котором используется зависимость электрического сопротивленияполупроводникового материала от температуры.
Для терморезистора характерны большой температурный коэффициент сопротивления (ТКС) (в десятки раз превышающий этот коэффициент у металлов), простота устройства, способность работать в различных климатических условиях при значительных механических нагрузках, относительно невысокая долговременная стабильность характеристик. Терморезистор изготавливают в виде стержней, трубок, дисков, шайб, бусинок и тонких пластинок преимущественно методами порошковой металлургии. Их размеры могут варьироваться в пределах от 1–10 мкм до 1–2 см. Основными параметрами терморезистора являются: номинальное сопротивление, температурный коэффициент сопротивления, интервал рабочих температур, максимально допустимая мощность рассеяния.
16.Оптоэлектронные приборы Работа оптоэлектронных приборов основана на электронно-фотонных процессах получения, передачи и хранения информации. Простейшим оптоэлектронным прибором является оптоэлектронная пара, или оптрон. Принцип действия оптрона, состоящего из источника излучения, иммерсионной среды (световода) и фотоприемника, основан на преобразовании электрического сигнала в оптический, а затем снова в электрический. Оптроны как функциональные приборы обладают следующими преимуществами перед обычными радиоэлементами: полной гальванической развязкой «вход – выход» (сопротивление изоляции превышает 1012 – 1014 Ом); абсолютной помехозащищенностью в канале передачи информации (носителями информации являются электрически нейтральные частицы – фотоны); однонаправленностью потока информации, которая связана с особенностями распространения света; широкополосностью из-за высокой частоты оптических колебаний, достаточным быстродействием (единицы наносекунд); высоким пробивным напряжением (десятки киловольт); малым уровнем шумов; хорошей механической прочностью.