4.1.3 Выпускник должен знать:
принципы работы, технические характеристики, конструктивные особенности разрабатываемых и используемых технических средств, материалов и их свойства;
методы исследования, правила и условия выполнения работ;
методы проведения технических расчетов и определения экономической эффективности исследований и разработок;
основные требования, предъявляемые к технической документации, материалам, изделиям;
постановления, распоряжения, приказы вышестоящих и других органов, методические, нормативные и руководящие материалы, касающиеся выполняемой работы;
достижения науки и техники, передовой и зарубежный опыт в соответствующей выполняемой работе, области знаний;
перспективы технического развития и особенности деятельности учреждения, организации, предприятия;
основы экономики, организации производства, труда и управления;
основы трудового законодательства, правила и нормы охраны труда, техники безопасности, производственной санитарии и противопожарной защиты.
4.2 Перечень вопросов междисциплинарных государственных экзаменов
4.2.1 По дисциплине «Электроника и схемотехника аналоговых устройств»
1. Полупроводниковый диод. Основные параметры и характеристики п/п диодов. Их разновидности. Области римененя.
2. Полупроводниковые тиристоры. Структура и условие включения динистора. Основные параметры и характеристики тиристора.
3. Туннельный эффект. Особенности структуры туннельного диода по сравнению с выпрямительным диодом. Различие вольтамперных характеристик туннельного и выпрямительного диодов. Рабочий участок ВАХ ТД. Основные параметры ТД.
4. Биполярный транзистор. Изобразите возможные схемы включения биполярного транзистора. Схема соединения БТ с ОЭ. Привести входную и выходную ВАХ и h-параметры.
5. Биполярный транзистор. Принцип и режимы работы транзисторов. Токи транзистора.
6. Полевой транзистор. Разновидности полевых транзисторов. Отличие МОП-транзисторов от полевых транзисторов со встроенным и индуцированным каналом. Основные характеристики и параметры ПТ.
7. Фотоэлектронные приборы. Принцип работы, основные параметры и характеристики фотодиода.
8. Оптоэлектронные приборы. Оптроны, основные параметры и характеристики.
9. Основные характеристики и параметры усилителей. Их классификация по характеру усиливаемого сигнала и по назначению.
10. Обратные связи в усилителях. Их классификация по способу подключения и подачи напряжения.
1
1.
Назначение предварительного,
промежуточного и оконченного каскадов
усилителя.
12. Усилители постоянного тока. Дрейф нуля, причины возникновения и методы устранения. Объяснить
принцип работы схемы.
1
3.
Структурная схема какого логического
элемента приведена на рисунке. Объясните
принцип работы и приведите обозначение, таблицу истинности, а также временную диаграмму схемы.
1
4.
Структурная схема какого логического
элемента приведена на рисунке. Объясните
принцип работы и приведите обозначение, таблицу истинности, а также временную диаграмму схемы.
15. Операционный усилитель. Инвертирующий ОУ. Вывести формулу коэффициента усиления, привести структурную схему и передаточную характеристику инвертирующего ОУ.
16. Операционный усилитель. Неинвертирующий ОУ. Вывести формулу коэффициента усиления, привести структурную схему и передаточную характеристику неинвертирующего ОУ.
17. Какой ОК получим, если сопротивление R1 заменить конденсатором С. Какой операционный усилитель получим, если сопротивление R2 заменить конденсатором С. Как изменится выходной сигнал по форме и амплитуде.
1
8.
Какая схема приведена на рисунке.
Назначение элементов RЭ
и
СЭ
.
Написать уравнение линии нагрузки,
если Rк
=500 Ом, Ек
=10 В, построить на выходной ВАХ линию
нагрузки, определить точку покоя схемы.
(Семейство выходных ВАХ берем произвольно).
19.
Какая схе
ма
приведена на рисунке.
+Епит
Для чего служат диоды на схеме. R1
Выведите коэффициент полезного T1
действия этой схемы. D1
D2 T2 Rн
Uвх
R2 -Епит
20. Какую операцию выполняет данная
схема. Напишите для этой схемы
таблицу истинности и конечную
формулу.
21. Активные фильтры. Основные характеристики АФ. Классификация АФ по АЧХ.
22. Привести схему однотактного усилителя мощности и пояснить принцип работы.
23. Что представляют собой полупроводниковые, гибридные интегральные микросхемы? Приведите основные параметры ИМС.
24. Какая из схем включения транзистора (ОЭ, ОБ, ОК) позволяет включить наибольшее усиление по мощности? Схема соединения БТ с ОБ. Привести входную и выходную ВАХ и h-параметры.
25. Напряжение полевого транзистора сток-исток UСИ0 = 6В, затвор-исток UЗИ0 = 4 В. По его выходной характеристике построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. По этим характеристикам определить дифференциальное сопротивление и крутизну полевого транзистора.
26. По входной и выходной характеристикам биполярного транзистора включенного по схеме с общим эмиттером, напряжение питания которого ЕК = 15 В, сопротивление нагрузки RН = 500 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 350 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ = 150 мкА, рассчитать для линейного режима коэффициенты усиления по току KI, напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке PПОЛ, мощность, рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия параметры графоаналитическим методом.
2
7.
Какая
схема обозначена на рисунке. Чему будет
равно выходное напряжение схемы если
R1
=
R2
=
5 Ом, сопротив-ление
обратной связи RОС
=
20 Ом и входное напряжение составляет
5 В.
28. Какая схема обозначена на рисунке.
Как изменится выходной сигнал по фазе и
амплитуде. Чему будет равен коэффициент
усиления по напряжению если R1=2 Ом, с
сопротивление обратной связи RОС = 20 Ом.
RЭ
Т
29.
Определить
режим работы транзистора
по постоянному току для схемы, в
UЭБ UКБ которой ЕЭ = - 5 В; UЭБ = 0,7 В; RК = 6 кОм;
ЕЭ RК RЭ = 2кОм; ЕК = 15 В. Транзистор имеет
= 0,99. Обратным током транзистора
ЕК принебречь. Найти ток эмиттера, ток кол-
лектора и напряжение на коллектор-база.
30. Какую операцию выполняет данная
схема. Напишите для этой схемы
таблицу истинности и конечную
формулу.