
- •С.А. Бахвалова, в.В. Курганов Исследование свч-устройств с помощью пакета программ Microwave Office Лабораторный практикум по курсу «Приборы свч»
- •Введение
- •Микрополосковая линия передачи
- •Связанные мпл
- •Материалы подложек и проводников
- •Фильтры
- •Микрополосковые фильтры
- •Изучение свч устройств с помощью программы Microwave Office Краткое описание интерфейса и основных операций программы Microwave Office
- •Компоненты среды проектирования awr
- •Создание, открытие и сохранение проектов
- •Создание электрической схемы
- •Введение в схему микрополосковых элементов
- •Создание топологии в mwo
- •Представление результатов моделирования схемы
- •Проведение моделирования
- •Настройка схемы
- •Расчет характеристик мпл с использованием программы Microwave Office
- •Экспериментальная часть
- •Лабораторное задание
- •Методика выполнения работы
- •Требования к отчету
- •Контрольные вопросы
- •Формулы для расчета параметров транзистора и мшу
- •Изучение мшу с помощью программы Microwave Office
- •Основные операции при создании схемы мшу
- •Представление результатов моделирования
- •Экспериментальная часть Описание схемы мшу
- •Выбор материала подложки и толщины проводящего слоя проводится в соответствии с заданным вариантом согласно табл.1. Частота f0 указана в той же таблице.
- •Варианты заданий
- •Лабораторное задание
- •Методика выполнения работы
- •Требования к отчету
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Лабораторная работа №3 Исследование транзисторного усилителя мощности
- •Теоретические сведения
- •Цепи согласования
- •Цепи питания и смещения
- •Режимы работы активного элемента
- •Нелинейное моделирование в программе Microwave Office Модель полевого транзистора
- •Метод гармонического баланса
- •Экспериментальная часть Описание схемы ум
- •Методика расчета согласующих цепей
- •Лабораторное задание
- •Методика выполнения работы
- •Параметры модели Ангелова
- •Требования к отчету
- •Контрольные вопросы
- •Петлевой фазовращатель
- •Моделирование петлевого фазовращателя с помощью программы Microwave Office Модель pin-диода
- •Синтаксис уравнений в Microwave Office
- •Правила записи уравнений
- •Глобальные уравнения
- •Встроенные уравнения
- •Редактирование уравнения
- •Описание модели фазовращателя
- •Экспериментальная часть Описание изучаемой схемы фазовращателя
- •Вход и выход фазовращателя нагружены на сопротивление 50 Ом. Длины отрезков мпл l3 - l6 могут изменяться в процессе настройки. Ширина линий w3 - w6 также может изменяться.
- •Параметры диода hsmp3890
- •Выбор рабочей частоты f0 и электрической длины петли φ1 проводится в соответствии с заданным вариантом согласно табл.3. Частота указана в той же таблице. Лабораторное задание
- •Методика выполнения работы
- •Требования к отчету
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Содержание
Материалы подложек и проводников
Подложка как основной элемент МПЛ и несущая конструкция гибридных интегральных схем (ГИС) должна обладать малыми потерями, достаточно большой величиной ε и постоянством ее значения в широком диапазоне частот и температур; иметь хорошие сцепления с проводящим слоем (адгезию); быть химически стойкой, механически прочной, однородной по составу; допускать механическую обработку - резание, сверление, полировку до 12 - 14 класса шероховатости (среднее арифметическое отклонение составляет 0,04 - 0,01 мкм); обладать теплопроводностью, достаточной для устранения самоперегрева компонентов и элементов ГИС.
В
ГИС чаще всего применяют: поликор (
);
в низкочастотной части сантиметрового
диапазона - керамику 22ХС (
);
ситалл
(
);
в высокочастотной части сантиметрового
диапазона и на миллиметровых волнах -
кварц, имеющий небольшое, но весьма
стабильное значение
.
В устройствах
с повышенным тепловыделением - подложки
из брокерита (окись бериллия) (
),
отличающегося высокой теплопроводностью.
При тонкопленочной технологии вначале на подложку напыляют хром, ванадий или титан (толщиной 0,01 - 0,02 мкм). Пленки из этих материалов обладают хорошей адгезией, на которые затем наносят пленки меди, серебра или золота. При толстопленочной технологии смеси на основе золота или серебра вжигаются в керамику подложки.
Фильтры
Элементами микрополосковой СВЧ-техники являются частотно-селективные устройства, в том числе фильтры.
Фильтрами СВЧ называют пассивные четырехполюсники, осуществляющие передачу СВЧ колебаний в согласованную нагрузку в соответствии с заранее заданной частотной характеристикой. Основными конструктивными элементами фильтров СВЧ являются реактивные неоднородности, резонаторы, а также соединяющие их отрезки линии передач.
По взаимному расположению полос пропускания и задерживания различают фильтры низких частот (ФНЧ), фильтры высоких частот (ФВЧ), полосно-пропускающие фильтры (ППФ), режекторные фильтры (РФ).
Из существующего множества различных типов фильтров в технике часто используют полосно-пропускающие фильтры. Такие фильтры пропускают лишь частотные составляющие входного сигнала, которые попадают в полосу пропускания устройства и отражают, поглощают или подавляют те составляющие, которые лежат ниже или выше полосы пропускания [1].
Важным параметром фильтра является его затухание, вносимое в тракт. Полосу частот с малым допустимым затуханием называют полосой пропускания, а с большим - полосой задерживания.
Микрополосковые фильтры
Микрополосковые ППФ состоят из нескольких взаимодействующих микрополосковых резонаторов различных конфигураций. Одним из видов микрополосковых ППФ является фильтр на отрезках связанных МПЛ (рис.3). Такие фильтры применяются на частотах от 100 МГц до 40 ГГц. Расчет их характеристик проводится с помощью S-параметров.
Рис.3. Топология фильтра на связанных МПЛ
Основными характеристиками фильтра являются амплитудно-частотная характеристика (АЧХ) и число звеньев n. Кроме того, существуют следующие характеристики:
ширина полосы пропускания (Bandwidth) для заданного уровня потерь. Например, полоса пропускания для ППФ по умолчанию устанавливается на уровне 3 дБ Относительная ширина полосы (Percent Bandwidth) для ППФ формируется в процентах от значения центральной частоты, т. е. (полусуммы значений граничных частот на уровне 3 дБ);
уровень потерь (Insertion Loss - IL) в полосе пропускания;
коэффициент прямоугольности
(Shape Factor), нормируемый по умолчанию как отношение полосы по уровню 30 дБ к полосе по уровню 3 дБ;
уровень неравномерности (пульсации) коэффициента передачи в полосе пропускания (Passband Ripple), измеряемый в децибелах;
коэффициент стоячей волны (Voltage Standing Wave Ratio - VSWR), или коэффициент отражения в полосе пропускания.