- •1 Анализ задания на проектирование
- •2 Обзор современного оборудования для травления
- •2.1 Установка группового плазмохимического травления со стабилизированными параметрами (модернизированная) «Электроника тм - 1102» «08пвх-100/10-006м»
- •2.2 Двухкамерная установка ионно-плазменной обработки кремния и его соединений (модернизированная) «Электроника тм - 1104»
- •2.3 Двухкамерная установка ионно-плазменной обработки алюминия и сплава Al – Si (модернизированная) «Электроника тм – 1105».
- •3 Анализ методов травления слоев
- •4 Анализ материалов, деталей, инструментов оснастки для технологических процессов травления слоев
- •5 Назначение, основные конструктивные элементы и принцип действия оборудования для плазмохимического травления
- •6 Порядок подготовки оборудования, материалов, рабочего места к выполнению технологического процесса
- •7 Основные неисправности и методы устранения
2.2 Двухкамерная установка ионно-плазменной обработки кремния и его соединений (модернизированная) «Электроника тм - 1104»
Рисунок 2 - Электроника ТМ – 1104
Назначение и применение:
- реактивно - ионное травление слоев поликристаллического кремния, нитрида кремния, полицида и силицида кремния в производстве СБИС с проекционными нормами 1.2 мкм;
- работа в автоматическом режиме автономно и в составе технологических модулей с управлением из чистой зоны;
Оснащение:
- автоматическая шлюзовая система загрузки-выгрузки пластин по принципу «из кассеты в кассету»;
- рабочая камера с двумя независимыми реакторами РИТ диодного типа;
- химически стойкий измеритель давления в реакторах;
- химически стойкие средства откачки на базе турбомолекулярных насосов;
- быстродействующие регуляторы расхода газа;
- микропроцессорная система управления, обеспечивающая: работу установки в автоматическом режиме, стабилизацию и допусковый контроль параметров технологического процесса, диагностику работоспособности узлов и систем, архивация полученных данных на глубину до 250 час, библиотека рецептов техпроцессов до 4000, вывод информации на дисплей.
Особенности:
- высокая равномерность травления слоев;
- низкая привносимая дефектность;
- высокая воспраизводимость процессов;
- встраивание в чистые помещения класса 10-100.
Таблица 3 - Технические характеристики установки «Электроника ТМ-1104»
Технические параметры |
Характеристики |
Режим работы |
Автоматический |
Диаметр обрабатываемых пластин, мм |
76, 100, 150 |
Производительность (технологическая), пластин/ч |
20 ÷ 30 |
Количество одновременно обрабатываемых пластин |
2 |
Скорость травления двуокиси кремния (до 1 мкм), контактных окон, нм/мин |
200 - 300 |
Неравномерность травления по пластине, % |
± (4 ÷ 5) |
Предельное остаточное давление в проекционных камерах, Па |
Не более 6.7×10-5 |
Диапазон рабочего давления, Па |
100 ÷ 200 |
Диапазон регулирования мощности ВЧ генератора, кВт |
0.05 ÷ 0.5 |
Рабочая частота ВЧ генератора, МГц |
13.56 |
Количество газовых магистралей |
8 |
Расход газа по магистралям, л/ч |
0 – 3.6 - 36 |
Время установления заданного расхода газа, с |
Не более 4 |
Нестабильность поддержания расхода газа, % |
± 1.5 |
Диапазон регулирования температуры теплоносителя в |
35 ÷ 80 |
Таблица 4 – Электропитание установки
Характеристики |
Параметры |
|
Трехфазная сеть переменного тока с нулевым проводам |
Напряжением, В |
380/220 |
Частотой, Гц |
50 |
|
Мощность потребления, кВА |
Не более 20 |
|
Габаритные размеры, мм |
3030 × 1600 × 2085 |
|
Масса, кг |
Не более 1000 |
|
Таблица 5 – Модернизация действующих (восстановленных) установок.
Узлы, системы |
Цель |
Модернизация |
Система перегрузки пластин |
Стабилизация технологических параметров |
Замена масляных узлов система на без масляные. Устранение проскальзывания привода механизма перегрузки |
Вакуумная система |
Повышение надежности и технического уровня |
Замена масляных средств откачки на без масляные |
Система ВЧ питания |
Упрощения обслуживания |
Замена элементов системы на современные |
МПСУ |
Внедрения системы управления на базе IBM – совместимого компьютера и промышленного контролера с набором интерфейсных плат. Применение современных датчиков |
|
