
- •Морозова н. К. «кристаллография и методы структурного анализа»
- •Введение
- •Глава I. Основные понятия кристаллографии
- •1.1. Структура и структурный тип
- •1.2. Внешняя симметрия кристаллов
- •1.3. Внутренняя симметрия кристаллов
- •1.4. Сочетание элементов симметрии
- •1.5. Пространственная решетка
- •1.6. Кристаллические системы
- •1.7. Ячейки Бравэ
- •1.8. Условные обозначения и классификация кристаллов
- •1.9. Кристаллографические индексы
- •1.10. Некоторые формулы структурной кристаллографии
- •1.11. Понятие обратной решетки
- •1.12. Кристаллографическая зона
- •1.13. Кристаллографические проекции
- •1.14. Сетки Вульфа и Закса
- •Глава II. Явление дифракции в кристаллах как основа методов структурного анализа
- •2.1. Спектральный состав рентгеновского излучения
- •2.2. Взаимодействие рентгеновского излучения с веществом
- •2.3. Поглощение и рассеяние рентгеновских лучей
- •2.4. Дифракция рентгеновских лучей в кристаллах
- •2.5. Общее интерференционное уравнение трехмерной решетки
- •2.6. Дифракция как отражение
- •2.7. Уравнение Вульфа–Брегга
- •2.8. Отражение рентгеновских лучей сложной элементарной ячейкой
- •2.9. Базис ячейки
- •2.10. Анализ интенсивностей дифракционных максимумов. Атомный фактор и структурная амплитуда
- •2.11. Влияние тепловых колебаний решетки на интенсивность дифракционных пятен
- •Глава III. Основные методы рентгеноструктурного анализа
- •3.1. Исследование поликристаллических веществ методом Дебая–Шеррера
- •3.2. Фазовый анализ вещества
- •3.3. Определение параметров кристаллической решетки по дебаеграмме
- •3.4. Точность определения параметров кристаллической решетки Систематические ошибки при оценке углов отражения
- •3.5. Съемки для целей прецизионного определения периодов
- •3.6. Метод Лауэ
- •3.6.1. Построение дифракционной картины
- •3.6.2. Ориентация монокристалла по методу Лауэ
- •3.6.3. Применение метода Лауэ для изучения симметрии кристалла
- •3.7. Метод вращения кристалла
- •3.7.1. Принципы построения дифракционной картины
- •3.7.2. Определение периода идентичности вдоль оси вращения кристалла
- •3.7.3. Индицирование рентгенограммы вращения
- •3.8. Метод качания и развертки слоевой линии
- •Глава IV. Некоторые другие методы исследования кристаллической структуры
- •4.1. Электронография
- •4.1.1. Особенности дифракции электронов и области применения электронографии
- •4.1.2. Принципиальная схема электронографа
- •4.1.3. Подготовка образцов
- •4.1.4. Электронограммы от монокристаллов
- •4.1.5. Дифракция электронов в поликристалле
- •4.1.6. Исследование поликристаллических образцов при наличии в них текстуры
- •Литература Содержание
- •Глава I. Основные понятия кристаллографии 4
- •Глава II. Явление дифракции в кристаллах как основа методов структурного анализа 35
- •Глава III. Основные методы рентгеноструктурного анализа 66
- •Глава IV. Некоторые другие методы исследования кристаллической структуры 104
Н.К. МОРОЗОВА Кристаллография и методы исследования структур
Морозова н. К. «кристаллография и методы структурного анализа»
Конспект лекций
Москва |
2005 |
мэи
Введение
Создание полупроводниковых приборов базируется на кристаллических материалах с конкретными структурными и физико-химическими свойствами. Развитие полупроводниковой электроники и новые принципы конструирования, в частности создание интегральных схем, где большое число активных и пассивных элементов схемы сосредоточено в малом объеме кристалла, предъявляет новые требования к материалу. Повышение надежности и процента выхода ИС часто не может быть достигнуто только за счет совершенствования конструкции, а требует повышения качества кристалла. Появилась необходимость учитывать изменения качества материалов, поставляемых предприятиям радиоэлектроники, в условиях повышенной радиации. В связи с этим возникает необходимость понимания структуры кристалла, как идеальной решетки, вмещающей дефекты.
В настоящее время имеются весьма эффективные методы контроля структуры материалов. Необходимо знать возможности их в применении к материалам микроэлектроники. Усложнение задач, которые ставятся современной полупроводниковой техникой, привело и к усложнению методов контроля структуры и свойств материалов зачастую в микрообъемах схем. Разработка расчетных методов диагностики электрофизических свойств материалов привело к созданию сложнейших и громоздких экспериментальных установок. Однако эти исследования окупаются, поскольку позволяют раскрыть новые горизонты развития науки, а изучение строения вещества, что приводит к созданию принципиально новых приборов, вычислительных машин и устройств теле- и радиосвязи.
Предлагаемый конспект лекций содержит основные понятия кристаллографии, рассматривает основы структурного анализа. Конспект представляет первую часть излагаемого курса “Кристаллография и структурный анализ полупроводниковых материалов” и является дополнением к читаемому курсу “Технология материалов и элементов электронной техники”, что необходимо при подготовке специалистов направления 550700 Электроника и микроэлектроника. Курс лекций обеспечивает проведение практических занятий со студентами при ознакомлении их с экспериментальными методами исследования структуры полупроводников.
Глава I. Основные понятия кристаллографии
1.1. Структура и структурный тип
Кристаллография изучает строение твердых тел в кристаллическом состоянии. Характерной особенностью этого состояния является правильное внутреннее строение кристаллов, которое часто проявляется в правильности форм и симметрии их внешней огранки. С помощью рентгеновских лучей впервые удалось изучить закономерности расположения частиц и измерить межатомные расстояния в различных кристаллах. Широко используется представление о кристалле как о бесконечной решетке, в узлах которой располагаются атомы или ионы. Такую решетку называют структурной решеткой или структурой. Структурная решетка может быть определена некоторым элементом ее объема - элементарной ячейкой, переносом которой можно получить всю систему.
Элементарная ячейка структуры дает представление о взаимном расположении в пространстве конкретных материальных частиц - атомов и ионов. Например, на рис.1.1 дана элементарная ячейка структуры типичного ионного кристалла NaCl. Она представляет из себя куб с параметром a=5,64 Å. В такой ячейке можно рассчитать расстояния между всеми интересующими нас частицами.
Изучение различных кристаллических структур показывает, что структурные ячейки некоторых веществ и соединений очень похожи, а именно они одинаковы по расположению в них материальных частиц с точностью до подобия (в других сингониях обязательно сохранение симметрии), хотя и отличаются величиной параметров.
Например, в кристаллах LiF (a = 4,02 Å), KСl (a =6,29 Å), LiBr (a = 5,05 Å), NaBr (a = 5,97 Å), а также целого ряда других ионных соединений, расположение ионов точно такое же, как и у хлористого натрия (рис.1.1). В связи с этим все такие кристаллы объединяют в один структурный тип.
Рис.1.1. Структурная решетка хлористого натрия.
Каждый структурный тип получает название по одному из входящих в него веществ, например, “структурный тип NaCl”. Понятие структурного типа удобно в тех случаях, когда нас интересуют не абсолютные размеры ячейки, а взаимное расположение в ней материальных частиц.
Для характеристики закономерностей расположения атомов (ионов) в структуре кристалла в кристаллографии широко используется также понятие пространственной решетки. Она строится на основе реальной структуры. Для понимания этого рассмотрим элементы симметрии, присущие кристаллическим структурам.