Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Пособие - 2.docx
Скачиваний:
0
Добавлен:
01.05.2025
Размер:
1.91 Mб
Скачать
  1. Read and translate word-combinations starting from the first component.

    electronic

    final

    gaseous state

    neutral

    quantum

    equivalent

    central

    horizontal state

    mechanical

    moving

    resonance

    high

    extra-high frequency

    low

    radio

    superhigh

    additional

    differential

    dynamic resistance

    negative

    pneumatic

    surface

  2. Match the following sentences with their translations.

1. If we add a small amount of arsenic to silicon, several valence electrons of each arsenic atom will form covalent bonds with the neighboring atoms of silicon.

A. Рекомбинация происходит, когда дырки и электроны случайно встречаются в полупроводнике.

2. The atom of arsenic has five valence electrons. The fifth electron has no pair and is attached to the arsenic nucleus very loosely.

B. Каждый атом галлия из III группы вводит одну дырку в кристаллическую решётку кремния.

3. Each atom of arsenic will add one negative charge carrier to the silicon crystal. Such an impurity is called donor impurity. The resulting semiconductor will be called an N-type semiconductor.

C. Если мы добавим небольшое количество мышьяка в кремний, несколько валентных электронов каждого атома мышьяка создадут (образуют) ковалентные связи с соседними атомами кремния.

4.If the holes are in the minority in a semiconductor, we’ll call them minority charge carriers.

D. Тип примеси с галлием называется акцепторной примесью, и получающийся в результате полупроводник известен как полупроводник P-типа.

5. Recombination takes place when holes and electrons sometimes meet in the semiconductor.

E. Эта дырка может двигаться в кристалле таким же образом, как и дырка, полученная в результате теплового возбуждения.

6. Each atom of gallium from group III introduces one hole into the crystal lattice of silicon.

F. Если дырки составляют меньшинство в полупроводнике, мы будем называть их неосновными носителями заряда.

7. This hole is able to move about in the crystal in the same way as a hole produced by thermal agitation.

G. Атом мышьяка имеет пять валентных электронов. Пятый электрон не имеет пары и очень слабо связан с ядром атома мышьяка.

8. The type of impurity with gallium is called an acceptor impurity and the resulting semiconductor is known as a P-type semiconductor.

H. Каждый атом мышьяка добавит один отрицательно заряженный носитель в кристалл кремния. Такая примесь называется донорной примесью. Получившийся в результате полупроводник будет называться полупроводником N-типа.

  1. Choose as many words from the table of ex. 1 as you can and form sensible sentences.

For example: Each gallium atom will attempt to form a covalent bond with each of its four neighboring silicon atoms.