Основные параметры
Uпит.раб. 6..12V
Ток потребления статический (хранения):
К561РУ2А <10 мкА
К561РУ2Б <200 мкА
К561РУ2В <8 мкА
Ток потребления динамический:
К561РУ2А <10 мА
К561РУ2Б <50 мА
Входное напряжение:
низкого уровня <0,6В
высокого уровня >7,7В
Выходное напряжение:
низкого уровня <0,05В
высокого уровня >8,4В
Выходной ток:
низкого уровня - 2,0мА
высокого уровня - 0,6мА
Ёмкость нагрузки:
номинальная 50пФ
предельная 500пФ
Время цикла чтения/записи:
К561РУ2А 800нс
К561РУ2Б 1300нс
К561РУ2В ~950нс
Корпус : 2106.16-2 (DIP-16)
Диапазон температур -10..+70°C
Аналог : CD4061A
9) К40П-2Б 0.047 мкф 400 в - Конденсаторы К40П-2 бумажные низкочастотные.
Выпускаются в цилиндрических металлических корпусах с разнонаправленными выводами.
Предназначены для работы в цепях постоянного, переменного и пульсирующего токов.
Основные параметры
- Диапазон номинальных емкостей: 0,001...0,047 мкф
- Номинальное напряжение: 400 В
- Допускаемые отклонения емкости: ±5; ±10; ±20 %
- Диапазон температур: -65...+85°С; -65...+85°С
10) Транзисторы МП26Б германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные.
Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 2 г.
Основные параметры
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт;
• fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 0,5 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 70 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 70 В;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 400 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 75 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 30...80;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,8 Ом
11) Диодные сборки кд205а, состоящие каждая из двух кремниевых, диффузионных диодов, с раздельными выводами.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 5 кГц в блоках электропитания радиоэлектронной аппаратуры.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип сборки и схема соединения электродов диодов с выводами приводятся на корпусе.
Масса сборки не более 6 г.
Основные параметры
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 500 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 500 мА;
• fд - Рабочая частота диода: 5 кГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 500 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 100 мкА при Uoбp 500 В
12) ТО125-10-10 Тиристор оптронный фланцевого исполнения.
Основные параметры
Предназначен для работы в цепях постоянного и переменного тока частотой до 500 Гц в различном электротехническом оборудовании.
Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии - 10 А
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии и повторяющееся импульсное обратное напряжение - 1000 В
Охлаждение воздушное естественное или принудительное.
Обозначение типономинала приводится на корпусе.
Структура условного обозначения:
ТО125-10-10
ТО - тиристор оптронный;
1 - порядковый номер модификации конструкции;
2 - обозначение диаметра корпуса по ГОСТ 20859.1-89;
5 - обозначение конструктивного исполнения корпуса по ГОСТ 20859.1-89;
10 - максимально допустимый средний ток в открытом состоянии, А;
10 - класс по повторяющемуся напряжению.
13) МП37
Транзисторы германиевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные с ненормированным МП35, МП37, МП37А, МП37Б, МП38, МП38А и нормированным на частоте 1 кГц МП36А коэффициентом шума.
Предназначены для усиления сигналов низкой частоты.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 2 г.
Pкmax [ мВт ] - 150
Uкбо max - 30
IK max - 20 (150*)
14) П416Б
Транзисторы П416, П416А, П416Б германиевые сплавные p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усилительных и генераторных каскадах в диапазоне от длинных до коротких и ультракоротких волн, а также в импульсных каскадах радиоэлектронных устройств.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Вывод эмиттера на буртике корпуса маркируется цветной точкой.
Масса транзистора не более 2,2 г.
