Выводы:
1. Чистые полупроводники, т.е. i-типа, для изготовления полупроводниковых приборов применяются крайне редко, т.к. концентрация зарядов – свободных электронов и дырок очень мала.
2. С целью повышения электропроводимости в чистые полупроводники вводят примесь. Введение примеси (т.е. легирование) позволяет изменить концентрацию электронов или дырок в объёме полупроводника и тип проводимости. Различают соответственно электронные (n - типа) и дырочные (p - типа) примесные полупроводники.
3. В структуре примесных полупроводников выделяют подвижные и неподвижные заряды – отрицательные и положительные, а также основные и неосновные носители зарядов.
4. Подвижные заряды – это свободные электроны и дырки. Неподвижные заряды – это положительные ионы (атомы донорной примеси) и отрицательные ионы (атомы акцепторной примеси).
5. Основные подвижные заряды – это или дырки или электроны, концентрация которых наибольшая в примесном полупроводнике. Неосновные подвижные заряды – это или дырки или электроны, концентрация которых наименьшая в примесном полупроводнике.
6. Ток дрейфа – это направленное движение основных или неосновных зарядов под действием электрического поля.
7. Ток диффузии – это направленное движение основных или неосновных зарядов за счёт разности концентрации этих зарядов в объёме полупроводника.
1
концентрация
атомов – это количество атомов в
единице объёма. В системе СИ единица
измерения концентрации
2 n – от слова negative (отрицательный)
3 Путём очень сильного легирования чистых полупроводников получают вырожденные полупроводники. Вырожденный полупроводник – это полупроводник, концентрация примесей в котором настолько велика, что собственные свойства практически не проявляются, а проявляются в основном свойства примеси. Вырожденные полупроводники используются в туннельных и обращенных диодах, а также в инжекционных лазерах.
4 Алгебраическая, т.е. с учетом знака. Например, +3 – 2 + 4 – 5 = 0.
5 р – от positive (положительный)