26.2. Выбор эп для выходных каскадов рпу.

Выходные каскады мощных радиопередатчиков и в настоящее время строят на радиолампах. На рис. 26.1 показана область использования ЭП в выходных каскадах РПУ.

Из приведенного рисунка следует, что транзисторы не могут обеспечить выходную мощность более 1квт, хотя и работают в том же диапазоне частот, что и радиолампы. В диапазоне СВЧ применяют ЭП, группового заряда, такие, как лампы бегущей волны, клистроны, магнетроны.

КОУ, Л.26, стр. 2

Рис. 26.1. Область применения ЭП в выходных каскадах РПУ

Маркировка генераторных ламп

ГК – КВ ГС – см. диап ГМ – модуляторные

ГУ – УКВ ГИ – импульсные

Если последний знак- буква, то это вид принудительного охлаждения: А – водяное, Б – воздушное. Без буквы – нет принудительного охлаждения.

Мощные генераторные лампы выпускаются с номинальной мощностью до 500 кВт.

На частотах свыше 600 МГц применяют металло-керамические тетроды и пептоды с торцевыми анодами и катодами и дисковыми выводами электродов.

В паспорте указывают предельные параметры радиоламп номинальная колебательная мощность Рном, fmax, Ра доп и др.

Генераторные транзисторы от усилительных отличаются большими значениями Рвых и fгр. Напряжение Uкэ может быть более 1000 В, ток Iк составляет единицы и десятки ампер.

Промышленность выпускает транзисторы, отдающие

Мощность 200…250 Вт на частотах до 1 МГЦ,

100 Вт на частотах до 30 МГЦ,

50 Вт на частотах до 500 МГЦ,

10 Вт на частотах до 1 ГГЦ.

Буквы и цифры в маркировке означают

В 1м элементе обозначения 1 – германиевый Г

2 – кремниевый или К

3 – арсенид – галлиевый буквы А

2-й элемент – буква Т – биполярный

П – полевой

3-й элемент – цифра, определяющая частотные свойства и мощность

1 – до 1 Вт с fгр до 30 МГц

2 fгр 30…300 МГц

3 fгр > 300 МГц

КОУ, Л.26, стр. 3

При Рдоп > 1 Вт, цифры 7 соответствует 1

8 по 2

9 частоте 3

Далее идет номер разработки и буква, определяющая применение транзистора.

Пример. КП7235 Г – кремниевый полевой транзистор с Рдоп > 1 Вт, работает до частоты fгр = 30 МГц, 235 серии, широкого применения (Г)

Параметры Uкб доп, Uкэ доп, Uкэ пр об – напряжение обратного пробоя.

Iк доп и др.

Полевые транзисторы имеют следующие предельные параметры

Ток стока до 150 А

Напряжение Uси до 1000 В

Коммутируемая мощность до 2 кВт

Сзи, Сси не более 200 пФ

Граничная частота до 100 МГц.

В диапазоне ОНЧ применяют тиристоры.