3. Программа и методические указания к выполнению работы
3.1. Ознакомиться с основными справочными данными биполярных транзисторов КТ608А, КТ630А. Выписать справочные данные исследуемого транзистора. Тип транзистора указывает преподаватель.
3.2.
Собрать схему с ОБ (рис. 3.1) для снятия
статических характеристик транзистора. Снять
семейство входных характеристик
,
установив и поддерживая неизменным
напряжение на коллекторе
:
1) 0 В; 2) 1 В; 3) 5 В. Снять семейство выходных
характеристик
при токах эмиттера
:
1) 0 мА; 2) 2 мА; 3) 4 мА; 4) 6 мА. Рекомендуется
начинать измерение выходных характеристик
с больших положительных значений
.
При достижении нулевого значения
напряжения сменить полярность источника
Е1 и снимать показания, пока ток коллектора
не достигнет нулевого значения.
3.3. Собрать схему с ОЭ (рис. 3.2) для снятия статических характеристик.
Снять
семейство входных характеристик,
при напряжениях
:
1) 0 В; 2) 1 В; 3) 5 В. Снять семейство выходных
характеристик
при токах базы
:
1)
0 мкА;
2) 100 мкА;
3) 200 мкА; 4) 300 мкА; 4) 400 мкА.
3.4.
Уменьшить в схеме рис. 3.2 ограничительное
сопротивление в цепи базы до 1 кОм и
исключить в коллекторной цепи резистор
560 Ом. Установить напряжение
=2
В и снять зависимость
в широком
диапазоне
токов
(20
мА
– 200 мА).
Рекомендуется устанавливать ток коллектора, а затем фиксировать ток базы. Установив =2 В, не следует больше трогать ручку регулировки этого напряжения. Неосторожное повышение при больших токах коллектора может вывести транзистор из строя.
3.5.
Собрать
схему рис.
3.3 для
снятия начального участка пробоя
коллекторного перехода
:
1) при соединении проводником базы
транзистора с эмиттером (
=
0); 2) при разомкнутой базе; 3) при включении
в цепь базы резистора
=110
кОм. При
снятии характеристик рекомендуется
осторожно увеличивать напряжение на
коллекторе, не превышая ток коллектора
выше значения 1
мА.
Рис. 3.1
Рис. 3.2
Рис. 3.3
4. Содержание отчета
4.1. Привести основные справочные данные исследуемого транзистора, схемы измерений и таблицы полученных данных.
4.2. По данным, полученным в результате выполнения пунктов программы 3.2 и 3.3, построить семейства входных и выходных характеристик для схем включения транзистора с ОБ и ОЭ. Объяснить, какими причинами определяется форма этих характеристик и их различие для схем включения с ОБ и ОЭ?
4.3.
По данным пункта 3.4 рассчитать коэффициент
передачи тока базы. Построить зависимость
коэффициента передачи тока от тока
коллектора:
.
Объяснить ход кривой этой зависимости.
4.4. По данным пункта 3.5 программы построить начальные участки пробоя на выходных характеристиках и объяснить поведение этих кривых.
5. Контрольные вопросы
5.1. Каковы структуры биполярных транзисторов и их условные графические обозначения?
5.2. Каковы функции эмиттерного и коллекторного перехода транзистора?
5.3. В каких режимах может работать транзистор и какова полярность включения переходов для разных режимов?
5.4. Какие схемы включения транзистора вы знаете? В чем заключаются основные отличия данных схем?
5.5. Какие транзисторы называются бездрейфовыми, какие дрейфовыми?
5.6. Какие условия необходимо выполнить при изготовлении транзистора для обеспечения высоких значений коэффициента передачи тока?
5.7. Как работает транзистор в нормальном активном режиме?
5.8. Почему при включении транзистора по схеме с ОБ невозможно усиление по току?
5.9. При каком условии базу транзистора называют тонкой?
5.10. Как связаны между собой ток коллектора, ток эмиттера и ток базы?
5.11. Что представляет собой коэффициент инжекции и коэффициент переноса?
5.12. Что означает условие электрической нейтральности базы?
5.13. В чем заключается управляющее свойство транзистора?
5.14. В чем причина отличий статических ВАХ идеализированного транзистора от ВАХ реального?
5.15. Как влияет температура транзисторной структуры на ВАХ и почему?
5.16. Что такое эффект модуляции базы и как влияет на ход статических ВАХ транзистора?
5.17. Что такое дифференциальное сопротивление коллекторного перехода и как его можно определить по выходным характеристикам транзистора?
5.18. Как записываются выходные характеристики транзистора в аналитической форме для области активного режима (ОБ и ОЭ)?
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 3
Исследование статических характеристик
и параметров полевых транзисторов