5. Контрольные вопросы

5.1. В чем заключается отличие эффекта фотопроводимости в полупроводниках от фотогальванического эффекта? В каких фотоприемниках эти эффекты используются?

5.2. Какова конструкция фоторезистора и в чем заключается принцип его работы?

5.3. Какие характеристики фотоприемников вы знаете и что они собой представляют?

5.4. Что такое чувствительность фоторезистора и от чего она зависит?

5.5. Что понимают под пороговым потоком фоторезистора и от чего зависит его значение?

5.6. Какие процессы протекают в фотодиоде при воздействии на него светового потока? В чем причина возникновения фото-ЭДС в фотодиоде?

5.7. Какой вид имеет семейство ВАХ фотодиода? Какие области ВАХ являются рабочими и каким режимам работы фотодиода они соответствуют?

5.8. В чем заключается оптимальный режим работы фотодиода при его работе в фотогальваническом режиме?

5.9. От чего зависят частотные свойства фотодиодов?

5.10. Какие основные достоинства излучающих диодов по сравнению с другими видами излучателей некогерентной оптоэлектроники вы знаете?

5.11. Какова структура светодиода и в чем заключается принцип его работы?

5.12. Чем определяется спектральный состав оптического излучения излучающих диодов?

5.13. Почему в обычных диодах невозможна генерация излучения оптического диапазона? От чего зависит цвет свечения излучающих диодов?

5.14. Что представляют собой излучающая и спектральная характеристики излучающего диода?

5.15. В чем отличие ВАХ излучающих диодов от ВАХ обычных?

5.16. От чего зависит быстродействие излучающих диодов?

5.17. Что представляют собой оптопары и какие преимущества они имеют по сравнению с другими приборами?

5.18. Какие типы оптопар вы знаете? В чем заключаются особенности оптопар того или иного типа?

5.19. Какой вид имеют условные графические обозначения оптопары различных типов?

ПРИЛОЖЕНИЕ

Параметры диода Д7Ж

Диод германиевый сплавной. Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Масса диода не более 2 г.

Электрические параметры

Среднее прямое напряжение, при = 300 мА, не более. ..0,5 В. Средний обратный ток при = не более ..... 100 мкА.

Предельные эксплуатационные данные

Обратное напряжение (амплитудное значение) (от 213 до

293 К) ...400 В.

Средний прямой ток (от 213 до 323 К) .....300 мА.

Частота без снижения режимов ..... 2,4 кГц.

Параметры диода Д226

Диод кремниевый сплавной. Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Масса диода не более 2 г.

Электрические параметры

Среднее прямое напряжение, при = 300 мА не более.....1 В.

Средний обратный ток при, = и = не более…..50 мкА.

Предельные эксплуатационные данные

Импульсное обратное напряжение 400 В.

Средний прямой ток 300 мА.

Частота без снижения режимов 1 кГц.

Параметры диода Д220

Диод кремниевый микросплавной. Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Масса диода не более 0,53 г.

Электрические параметры

Постоянное прямое напряжение, при = 50 мА, не более 1,5 В.

Постоянный обратный ток, при = 50 В, не более.....1 мкА.

Импульсное прямое сопротивление, при = 50 мА, не более …

75 Ом.

Общая ёмкость диода, при = 5 В, не более 15 пФ.

Время восстановления обратного сопротивления, при = 30 мА, = 30 В, = 400 мкА, не более.....0,5 мкс.

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное или импульсное напряжение 50 В.

Постоянный или средний прямой ток....50 мА.

Импульсный прямой ток (без превышения сред.пр.тока) 500 мА.

Параметры стабилитронов Д814А и Д814Д

Стабилитроны кремниевые сплавные. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Масса стабилитрона не более 1 г.

Электрические параметры

Напряжение стабилизации номинальное, при = 50 мА, для Д814А – 8,0 В, для Д814Д – 13 В.

Постоянное, прямое напряжение, при = 50 мА, не более....1 В.

Дифференциальное сопротивление, при = 5 мА, для Д814А – 6 Ом, для Д814Д – 18 Ом.

Предельные эксплуатационные данные

Минимальный ток стабилизации....3 мА.

Максимальный ток стабилизации для Д814А – 40 мА, для Д814Д – 24мА.

Рассеиваемая мощность при температуре от 213° до 308°К –

340 мВт.

Параметры транзистора КТ608А

Кремниевый, эпитаксиально-планарный n–p–n-типа. Выпускаются в металлическом, герметичном корпусе с гибкими выводами. Масса транзистора не более 2 г.