Параметры тиристора ку101а

Тиристор кремниевый диффузионно-сплавной триодный не-запираемый. Предназначен для работы в переключающих устройствах.

Электрические параметры

Постоянное отпирающее напряжение управляющего электр. –

(0,25 – 10) В.

Постоянный отпирающий ток управляющего электрода – (0,05 – 7,5) мА.

Импульсный отпирающий ток управляющего электрода – не более 14 мА.

Ток утечки в закрытом состоянии при максимальном напряжении:

до 0,5 мА.

Обратный ток при максимальном напряжении: до 0,5 мА.

Время включения, при ( = 25 В, = 50 мА, Т 298 К) не более

2 мкс.

Время выключения, при ( = 25 В, = 50 мА) не более 35 мкс.

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии – 50 В

Постоянное обратное напряжение – 10 В

Постоянное обратное напряжение на управляющем электроде – 2 В

Постоянный (средний) ток в открытом состоянии при температуре от 213 до 343 К – 75 мА

Импульсный ток в открытом состоянии:

при t до 0.05 с – 300 мА

при t до 10 с – 150 мА

Средний - прямой ток управляющего электрода – 15 мА

Средняя рассеиваемая мощность при температуре от 213 до 323 К:

150 мВт.

Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии – 100 В/мкс

Параметры фоторезистора фск-6

Фоторезистор изготавливается на основе сульфида кадмия. Площадь фоточувствительного слоя – 150 мм . Выпускаются в пластмассовых корпусах. Масса не более 5 г.

Технические параметры при температуре 20ºC

Общий световой ток при освещенности – 200 лк, не менее 1,5 мА.

Темновой ток – не более 15 мкА.

Темновое сопротивление – не менее 3,3 МОм.

Отношение темнового сопротивления к световому – не менее 100 отн. ед.

Область спектральной чувствительности 0,2 – 0,9 мкм.

Предельные эксплуатационные данные

Рабочее напряжение 50 В.

Мощность рассеяния 125 мВт.

Минимальная наработка 10000 ч.

Диапазон рабочей температуры окружающей среды –60…+85C.

Параметры фотодиода ФД-27К

Фотодиод кремниевый планарный. Фоточувствительный элемент квадратный, размером 1,9 1,9 мм. Выпускается в металлостеклянном корпусе. Удлиненный вывод – плюсовой. Масса не более 1 г.

Электрические и фотоэлектрические параметры

при температуре – 25C

Интегральная токовая чувствительность – не менее 7,5·10 мкА/лк.

Темновой ток – не более 1 мкА.

Постоянная времени при включении или выключении – не более 10 мкс.

Область спектральной чувствительности 0,4…1,1 мкм.

Предельные эксплуатационные данные

Рабочее напряжение – 20 В.

Освещенность рабочая – 2000 лк.

Диапазон рабочей температуры окружающей среды –60…+85C.

Параметры светоизлучающего диода АЛ307А

Светоизлучающий диод арсенид-галлиевый-алюминиевый в пластмассовом корпусе красного цвета свечения. Предназначен для визуальной индикации. Масса диода не более 0,25 г.

Электрические и световые параметры

Сила света – не менее 0,15 мкд при = 10 мА.

Постоянное прямое напряжение, не более 2 В при = 10 мА.

Предельные эксплуатационные данные

Постоянный прямой ток при температуре от 213 до 343 К – 20 мА.

Обратное напряжение – 2 В.

Температура окружающей среды 213…343 К.

Параметры оптрона АОД101Б

Оптрон, состоящий из излучающего диода на основе арсенид-галлий-алюминия и кремниевого фотодиода, в металлическом корпусе. Предназначен для гальванической развязки электрических цепей, между которыми осуществляется информационная связь. Масса прибора не более 1,1 г.

Электрические параметры

Коэффициент передачи тока, при = 10 мА – не менее 1,5 %.

Входное напряжение, при = 10 мА – не более 1,5 В.

Время нарастания и спада выходного импульса, при импульсе входного тока 20 мА, не более 500 нс.

Емкость между входом и выходом не более 2 пф.

Постоянный обратный ток фотодиода при максимальном обратном напряжении – не более 8 мкА.

Предельные эксплуатационные данные

Обратное напряжение на фотодиоде при температуре окружающей среды от 213 до 343 К – 100 В.

Импульсное обратное напряжение на фотодиоде при длительности импульса – не более 100 нс и скважности не менее двух – 120 В.

Постоянный или средний входной ток при температуре окружающей среды от 213 до 343 К – 20 мА.

Входной импульсный ток при длительности импульса – не более 100 мкс – 100 мА.

Напряжение между входом и выходом – 100 В

Обратное входное напряжение – 3,5 В

Температура окружающей среды – 213…343 К.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. – М.: Энергия, 1977. – 672 с.

2. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы. – М.: Энергоатомиздат, 1990. – 576 с.

3. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника. 2–е изд., перераб. и доп. – М.: Высшая школа, 1991.– 662 с.: ил.

4. Полупроводниковые приборы: Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы: справочник/А.В. Баюков, А.Б. Гитцевич, А.А. Зайцев и др.; под. общ. ред. Н.Н. Горюнова. – М.: Энергоатомиздат, 1982. – 744 с.

5. Полупроводниковые приборы: транзисторы: справочник/ под ред. Н.Н. Горюнова. – М.: Энергоатомиздат, 1982.

6. Забродин Ю.С. Промышленная электроника. – М.: Высшая школа, 1982.– 496 с.

7. Транзисторы для аппаратуры широкого применения: справочник. /под ред. Б.Л. Перельмана. – М.: Радио и связь, 1981.

8. Юшин А.М. Оптоэлектронные приборы и их зарубежные аналоги.: справочник: в 5 т. Т. 3.– М.: ИП Радио Софт., 2000. –512 с.

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ……………………………………………………………………..3

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №1. Исследование статических и динамических характеристик полупроводниковых диодов и стабилитронов………………...6

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №2. Исследование статических характеристик и параметров биполярных транзисторов…………………...29

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №3. Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов………………..……...49

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №4. Исследование статических и динамических характеристик триодного тиристора………………………..65

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №5. Исследование статических характеристик и параметров оптоэлектронных приборов…………..……..81

ПРИЛОЖЕНИЕ……………………………………………………………...104

СПИСК ЛИТЕРАТУРЫ……………………………………………………..111

Юрий Васильевич Мутовин

ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

ПРАКТИКУМ

Научный редактор

профессор Г.С. Евтушенко

Редактор О.Н. Свинцова

Подписано к печати 13.11.07. Формат 60х84/16. Бумага «классика».

Печать RISO. Усл. печ. л.6,45 Уч. -изд. л. 5,84.

­­_____________________Заказ . Тираж 100 кз.___________________

Томский политехнический университет

Система менеджмента качества

Томского политехнического университета сертифицирована

____NATIONAL QUALITY ASSURANCE по стандарту ISO 9001:2000___

ИЗДАТЕЛЬСТВО ТПУ. 634050, г. Томск, пр. Ленина, 30.

108