Электрические параметры

Обратный ток коллектора не более 10 мкА.

Обратный ток эмиттера не более 10 мкА.

Статический коэффициент усиления тока

базы при = 200 мА 20–80.

Напряжение коллектор – эмиттер в режиме насыщения при = 80 мА,

= 400 мА не более 1 В.

Напряжение эмиттер – база в режиме насыщения при токе = 80 мА,

= 400 мА не более 2 В.

Предельные эксплуатационные данные

Ток коллектора 400 мА.

Импульсный ток коллектора 800 мА.

Напряжение коллектор – эмиттер и напряжение

Коллектор – база 60 В.

Напряжение эмиттер – база – 4 В, импульсное – 8 В.

Импульсное напряжение коллектор – эмиттер

и коллектор – база 80 В.

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора – 0,5 Вт при температуре окружающей среды (–45…+25)С и 0,12 Вт при температуре +85С.

Температура перехода 120˚С.

Параметры транзистора КТ630А

Кремниевый планарный n–p–n-транзистор. Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами. Масса транзистора не более 2 г.

Электрические параметры

Обратный ток коллектора не более 1 мкА.

Напряжение насыщения коллектор – эмиттер при = 150 мА, = 15 мА не более 0,3 В.

Напряжение насыщения база – эмиттер при = 150 мА, = 15 мА

не более 1,1 В.

Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ при = 10 В, = 150 мА 40 – 120

Предельные эксплуатационные данные

Постоянный ток коллектора 1 А

Постоянный ток базы 0,2 А

Импульсный ток коллектора 2 А.

Постоянное напряжение эмиттер – база 7 В

Постоянное напряжение коллектор – база 120 В

Постоянное напряжение коллектор – эмиттер 120 В

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 0,8 Вт

при к = +25˚С.

Температура перехода не более 150˚С

Параметры транзистора КП103М

Кремниевый, диффузионно-планарный полевой транзистор с управляющим p–n-переходом и каналом p-типа предназначен для работы во входных каскадах усилителей низкой частоты, усилителей постоянного тока и в ключевых схемах. Выпускается в металлическом и пластмассовом корпусе. Масса прибора не более одного грамма.

Электрические параметры

Ток стока – (3 – 12) мА при = 10 В, = 0 В

Ток утечки затвора – 20 нА при = 0 В, = 10 В

Напряжение отсечки – (2,8 – 7) В при = 10 В, = 10 мкА

Крутизна характеристики – (1,3 – 7) мА/В при = 10 В, = 0 В

Максимально допустимые параметры

Суммарное напряжение сток – затвор – = 17 В

Максимальное напряжение сток – исток – = 10 В

Рассеиваемая мощность транзистора – = 120 мВт

Допустимая температура окружающей среды – (–55….+85)С

Параметры транзистора КП301Б

Кремниевый планарный МОП-транзистор с индуцированным p- каналом предназначен для работы в приемной, усилительной и другой аппаратуре. Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами. Масса транзистора не более 0,7 г.

Электрические параметры

Ток утечки затвора – = 0,3 нА при = 30В

Пороговый ток – =10 мкА при = –6,5 В, = 6,5 В

Крутизна характеристики – = (1 – 2,6) при = 15 В, = 5 мА

Пороговое напряжение = –(2,7 – 5,4)В при = 15 В, = 0,3 мА

Максимально допустимые параметры

Постоянный ток стока – = 15 мА

Постоянное напряжение сток – исток – = –20 В

Постоянное напряжение затвор – исток – = –30 В

Постоянная рассеиваемая мощность транзистора – = 200 мВт

Рабочая частота – = 100 МГц

Допустимая температура окружающей среды – (–45…+70)С