Достоинства и недостатки

Применение электронно – лучевой литографии позволяет:

• Получать элементы рисунка с размерами менее или равными 0,01 мкм;

• С высокой точностью контролировать дозу электронного пучка, падающего на резист и подложку;

• Легко отклонять и модулировать электроны пучок с высокой точностью электрическими и магнитными полями;

• Формировать в ряде случаев топологию схемы непосредственно на пластине;

• Автоматизировать технологию создания топологического рисунка;

• Профилировать электронный пучок.

Существенным недостатком электронно-лучевой литографии является её малая производительность по сравнению с оптической.

Заключение

Электронная литография – один из перспективных, но пока ещё достаточно сложный и дорогостоящий для коммерческого применения метод создания и промышленного производства самых различных устройств и компонентов устройств, позволяющий достигнуть разрешения в 1 нм.

Существует проекционная и сканирующая литография.

Процесс проведения и система изменяются с развитием науки, и можно с уверенностью сказать, что разработки найдут своё достойное применение в различных областях нанотехнологий, тк. литографию можно использовать при создании наноустройств для компьютерной техники, в производстве высокоэффективных солнечных батарей, и даже при создании кантилеверов для атомно-силовой микроскопии. (см. Приложение)

Список литературы

1. Аброян И.А., Андронов А.Н., Титов А.И. Физические основы электронной и ионнной технологии. — М.: Высшая школа, 1984. — 320 с.4

2. Гусев А. И. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии. - М., Наука-Физматлит, 2007. - 416 с.

Статьи по электронной литографии: [электронные ресурсы]

3. http://proizvodim.com/elektronnoe-izluchenie-i-elektronnaya-litografiya.html

4. http://thesaurus.rusnano.com/wiki/article1093

5. http://www.nanonewsnet.ru/news/2010/novaya-elektronnaya-litografiya

6. http://all4study.ru/fizika/elektronno-luchevaya-litografiya.html

Приложение

 Американские учёные в недавно опубликованной работе в журнале NanoLetters предложили использовать в качестве источника электронов тонкие плёнки излучателей β-электронов, как, например, ⁶³Ni и Be₃H₂, придумав методу яркое название SPEL (self-powered electron lithography).

Наноструктуры, полученные метом SPEL.

A) Зависимость потока электронов от толщины используемой плёнки источника. (B) Сравнительная характеристика время облучения – облачаемая площадь для SPEL метода с использованием ⁶³Ni и Be₃H₂ и электронной литографии.

11