Дефекты в кристаллах. Классификация дефектов. Точечные, линейные и поверхностные дефекты.

Классификация дефектов

Кристаллов с идеальной правильной структурой в природе не существует. В реальных условиях всегда наблюдаются те или иные отклонения от регулярного расположения частиц в пространстве. Такие отклонения называются дефектами структуры. Принято классифицировать дефекты по размерному признаку.

1. Точечные дефекты, т.е. такие, размеры которых в трёх измерениях соизмеримы с размерами атомов.

2. Линейные дефекты – размеры в двух направления соизмеримы с размерами атомов, а в одном с размерами кристалла.

3. Поверхностные дефекты – размеры в одном направлении соизмеримы с размерами атомов, а в двух с размерами кристалла.

4. Объёмные дефекты – размеры во всех трёх направлениях соизмеримы с размерами кристалла.

Точечные дефекты.

В элементарном полупроводнике, не содержащем примесей существует 6 видов точечных дефектов без учёта их ассоциаций. Это вакансии, междоузельные атомы, атомы-доноры, вакансии акцептора, электроны и дырки.

В химических соединениях существуют ещё таких называемые антиструктурные изменения, т.е. обмен местами атомов, образующих соединения. Вакансии представляют собой свободный или вакантный узел в структуре кристалла. В ионных кристаллах, т.е. в кристаллах, образованных ионами, различают катионные, со знаком , и анионные, со знаком , вакансии.

В кристаллах существуют также так называемые дефекты Шоттки, которые представляют собой вакансии, образующиеся за счёт испарения атом с поверхности кристалла и затем, благодаря последовательным перемещениям атомов, двигающихся вглубь кристалла.

Междоузельные атомы – это атомы основного вещества, покинувшее свои узлы решётки и расположившиеся в пустотах. Если размеры примесных атомов отличаются от размеров основного атома не более чем на 10-15%, то он может замещать основной атом. Это так называемые примесные атомы замещения. Примесные атомы, располагающиеся в пустотах, называются примесными атомами внедрения.

Точечные дефекты могут возникать под действием каких-то внешних факторов. Энергия образования таких дефектов тратиться на разрыв связи и искажение кристаллической решётки вблизи дефекта. Энергия образования одной вакансии составляет порядка 1 эВ, междоузельного атома – порядка 2-3 эВ.

Кристалл всегда содержит вакансии в междоузельных атомах вследствие тепловых колебаний атомов. В полупроводниковых и ионных кристаллах точечные дефекты приводят к изменению распределения электрических зарядов, и поэтому являются электрически активными центрами.

Точечные дефекты могут также существовать в виде ассоциаций или комплексов.

Вакансии могут образовывать дивакансии, тривакансии, вакансионные тетраэдры. Скопления вакансий называются кластерами, которые могут образовывать поры. Такие дефекты неустойчивы, вероятность их образования тем больше, чем выше энергия связи между точечными дефектами и выше концентрация дефекта. В кристаллах 90% вакансий существует в виде моновакансий и лишь порядка 10% в виде их ассоциаций.

Междоузельные атомы могут образовывать неустойчивые линейные конфигурации. Спаренные вакансии с атомами междоузлия, которые образуются в результате перемещения атома из узла решётки в соседнее междоузлие, называются дефектами Френкеля.