
- •Оглавление
- •Введение
- •Глава 1. Особенности проектирования имс
- •Глава 2. Проектирование гибридных интегральных микросхем (гис)
- •2.1 Конструктивно-технологические особенности.
- •2.2 Определение функциональной сложности.
- •2.3 Методы оптимизации гис по критерию функциональной точности.
- •Глава 3. Расчет и проектирование пленочных резисторов.
- •3.1 Расчет геометрических размеров резисторов.
- •3.2 Выбор и обоснование материала резистивной пленки.
- •3.3. Расчет и проектирование контактного перехода типа “пленка-пленка”.
- •3.4 Проектирование подгоняемых резисторов.
- •3.5. Точность отношения резисторов.
- •Глава 4. Расчет и проектирование пленочных конденсаторов.
- •4.1 Конструктивно-технологические особенности и основные параметры.
- •4.2 Расчет геометрических размеров конденсаторов.
- •4.3 Потери в пленочных конденсаторах.
- •4.4 Планарные конденсаторы.
- •Последовательность расчета геометрических размеров пленочных конденсаторов.
- •4.5. Проектирование прецизионных конденсаторов.
- •Глава 5. Расчет и проектирование rc-структур с распределенными параметрами.
- •5.1 Тонкопленочные rc-структуры с распределенными параметрами.
- •5.2 Режекторные фильтры на основе rc-структур.
- •5.3 Влияние погрешностей геометрии rc-структуры на электрические характеристики режекторных фильтров.
- •5.4 Избирательные rc-усилители.
- •5.5 Активные фильтры на основе rc-структур.
- •5.6. Конструктивный расчет фильтров на основе rc-структур.
- •Глава 6. Основы оптимального проектирования гис
- •6.1 Зависимости погрешности выходного параметра от физических и геометрических параметров элементов.
- •6.2 Исходные данные для проектирования топологии.
- •Схемотехнические данные и требования.
- •Технологические данные и ограничения.
- •3. Конструктивные данные и требования.
- •6.3 Конструктивные методы защиты имс от воздействия дестабилизирующих факторов.
- •6.4 Бескорпусная герметизация гис.
- •Глава 7. Разработка топологии и конструкции гис.
- •7.1. Принципы практического проектирования и компоновки топологической структуры гис.
- •7.2. Разработка коммутационной схемы соединений.
- •Заключение
- •Литература
- •Приложение 1.
- •Приложение 2. Проектирование фильтров на основе rc—структур с распределенными параметрами средствами Microwave Office. Введение
- •Схемы и результаты моделирования
- •Широкая микрополосковая двухпроводная линия из проводников с различным сопротивлением
- •Однопроводная линия над проводящим слоем
- •Базовая схема используется как элемент других схем
- •Заземление подсхемы в схеме
- •Составные или гибридные rc-структуры и lc-цепи
- •Локальные экстремумы
3.4 Проектирование подгоняемых резисторов.
При проектировании пленочных резисторов повышенной точности применяют специальные конструкции, допускающие дискретную (а) или плавную (б) подгонку их сопротивлений (рис.3.7):
Рис. 3.7
Конструкция резисторов для ступенчатой подгонки предусматривает две части: основную длиной l0 и дополнительную с подгоночными секциями длиной lc. При этом шаг подгонки может быть постоянным и переменным. Дискретное изменение сопротивление сопротивления осуществляется удалением металлических перемычек в подгоночных секциях. Проектирование подгоняемых резисторов сводится к определению длин основной и подгоночных секций, а также количества подгоночных секций с учетом того факта, что в процессе подгонки сопротивления резистора может изменяться только лишь в сторону возрастания. Тогда при максимальном значении сопротивления должно выполняться условие:
|
(3.34) |
где Rнч и R0 – сопротивление основной части с длиной l0 и номинальное значение сопротивления соответственно.
Отсюда сопротивление не подгоняемой части
|
(3.35) |
При минимальном значении сопротивления номинальное значение определяется суммой минимальных значений не подгоняемой части и n последовательно включенных подгоняемых секций.
|
(3.36) |
Здесь Rнч (не подгоняемой части) находится из (3.35), а сопротивление одной секции Rc находится из условия: максимальное значение сопротивления одной секции не должно превышать величину поля допуска, то есть:
|
(3.37) |
Отсюда
|
(3.38) |
где R – допустимая степень отклонения сопротивления, выраженная в омах.
И, наконец, число подгоночных секций определяется из очевидного соотношения:
|
(3.39) |
где
определяется:
|
(3.40) |
Отсюда
|
(3.41) |
Полученное значение n по (3.39) округляется до ближайшего большего целого числа. Кроме того длина подгоночной секции lc должна быть больше технологических ограничений lmin. Если это условие не выполняется, то принимают lc= lmin и рассчитывают ширину bc секции по выражению:
|
(3.42) |
При значении n 10 целесообразно использовать конструкцию с переменным шагом подгонки с законом изменения шага подгонки в виде геометрической прогрессии со знаменателем q = 2. При этом заданная точность обеспечивается самой короткой секцией с сопротивлением, определяемым (3.38), а необходимое количество секций:
n0 = 1,44 ln (n +1); |
(3.43) |
где n – число секций подгонки при постоянном шаге.
Тогда длины подгоночных секций определяются из очевидных соотношений:
|
(3.44) |
Для определения программы обработки секций определяется количество обрабатываемых секций согласно соотношению:
|
(3.45) |
где Ri - реализованное значение сопротивления. Далее число ni представляется в двоичном коде, значимым разрядам которого соответствуют секции подлежащие обработке.
Порядок расчета геометрических размеров подобных структур следующий:
Согласно (3.35) определяется значение сопротивления не подгоняемой части резистора, а затем ее длина по соотношению:
;
где значение b определяется, как и ранее из условия обеспечения теплоотвода (3.7).
Согласно (3.38) определяется сопротивление одной секции, а затем ее длина:
;
и ширина согласно
(3.42). Число подгоночных секций n
определяется из (3.38), а суммарное значение
сопротивления всех подгоночных секций
по соотношению (3.40).
Если принимается решение об использовании конструкции с переменным шагом подгонки, то определяется необходимое число секций согласно (3.48), которое округляется до ближайшего целого числа.
И, наконец, согласно (3.44) определяются длины всех n0 подгоночных секций.